繼三星、SK海力士之后，中國臺(tái)灣廠商南亞科、華邦電和力晶等三家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者，都悄悄啟動(dòng)增加資本支出計(jì)劃。隨著業(yè)者“資本支出大戰(zhàn)”再度開打，是否會(huì)打破維系已久的產(chǎn)業(yè)平衡默契，導(dǎo)致價(jià)格反轉(zhuǎn)，備受關(guān)注。

其中，主攻存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造的南亞科、華邦電今年資本支出都近200億元（新臺(tái)幣，下同），南亞科更上調(diào)逾七成至197.1億元，華邦電則為歷史新高的182億元，年增逾二成。

力晶雖已宣布轉(zhuǎn)型晶圓代工，但仍有不少業(yè)務(wù)來自為晶豪科、愛普等存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)業(yè)者代工芯片，力晶日前宣布將啟動(dòng)近3,000億元的12英寸新廠建設(shè)計(jì)劃，對(duì)產(chǎn)業(yè)影響同受矚目。

隨著各種電子終端產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)器需求量增加，各大存儲(chǔ)器廠和市調(diào)機(jī)構(gòu)普遍認(rèn)為，今年DRAM業(yè)仍是大豐收的一年。

看好存儲(chǔ)器需求強(qiáng)勁，各大廠趁勢(shì)透過提高資本支出等方式，擴(kuò)大產(chǎn)出，希望能搶到更多商機(jī)，也為未來市場(chǎng)供需失衡狀況埋下隱憂。

南亞科加碼投資20納米制程，今年資本支出由原訂的115億元上調(diào)至197.1億元，增幅逾71%，規(guī)劃在明年第2季底前，將20納米制程月產(chǎn)出提升至4.7萬片，也讓南亞科DRAM月產(chǎn)能增至7.3萬片。

這是南亞科在轉(zhuǎn)型專注利基型存儲(chǔ)器市場(chǎng)后，重新擴(kuò)大標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器，甚至重返服務(wù)器DRAM的一項(xiàng)重要投資行動(dòng)。

南亞科強(qiáng)調(diào)，增加的產(chǎn)出占全球供應(yīng)數(shù)量有限，影響也有限。

華邦電與力晶也都宣布增加資本支出，力晶并將啟動(dòng)12英寸新廠，雖然相關(guān)計(jì)劃要到2020年才會(huì)完工并陸續(xù)投資，但也隱約透露DRAM廠已有意增產(chǎn)，未來是否會(huì)讓一直處于上漲的DRAM市況，進(jìn)入反轉(zhuǎn)下跌，已成為全球投資人關(guān)注的焦點(diǎn)。

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