4月15日晚間，國內(nèi)閃存芯片及MCU廠商兆易創(chuàng)新發(fā)布2017年年度報告。報告顯示，2017年兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入20.30億元，同步增長36.32%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤（以下簡稱“凈利潤”）3.97億元，同比增長125.26%。

從數(shù)據(jù)可見，2017年兆易創(chuàng)新在營收和凈利均實現(xiàn)較大增長，尤其凈利潤。報告稱，營收增幅較大，主要是因為公司不斷開發(fā)新產(chǎn)品、開拓新客戶，以及市場需求擴大；凈利潤增幅較大，主要是由于開發(fā)新的產(chǎn)品及應(yīng)用領(lǐng)域，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化導(dǎo)致毛利率增加，而費用的增幅和收入一致，導(dǎo)致凈利潤增幅較大。

兆易創(chuàng)新以閃存芯片及微控制器兩大產(chǎn)品為主營業(yè)務(wù)，閃存芯片主要有NOR Flash和NAND Flash兩類，微控制器主要為基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU產(chǎn)品。2017年兆易創(chuàng)新兩大產(chǎn)品營收和毛利率雙豐收，其中存儲芯片營收17.16億元，同比增長32.81%，毛利率37.61%，同比增長13.40%；微控制器營收3.11億元，同比增長58.23%，毛利率47.77%，同比增長4.64%。

報告顯示，2017年兆易創(chuàng)新Flash持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，高容量256Mb NOR Flash產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，低容量開發(fā)了更具成本優(yōu)勢的新產(chǎn)品系列，工藝方面加大先進工藝節(jié)點55nm和45nm NOR Flash技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)，而NAND Flash自研38nm產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，24nm研發(fā)推進順利。

MCU方面則針對高性能和低功耗應(yīng)用分別開發(fā)新產(chǎn)品，高性能M4系列產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，在指紋識別、無線充電等領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用，更低功耗M3系列產(chǎn)品推出，繼續(xù)保持M3產(chǎn)品市場的領(lǐng)先優(yōu)勢。

以資本運作加強上下游合作、拓展產(chǎn)業(yè)布局

除了上文提及的新產(chǎn)品及應(yīng)用領(lǐng)域外，2017年兆易創(chuàng)新較為突出的舉措則在于資本運作，包括引入投資者及對外投資。

2017年8月，兆易創(chuàng)新正式進入集成電路“國家隊”：國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（即“大基金”）通過協(xié)議轉(zhuǎn)讓，斥資14.5億元受讓啟迪中海、盈富泰克兩位股東所持兆易創(chuàng)新合計11%股份，成為公司第二大股東，這意味著兆易創(chuàng)新成為國家集成電路戰(zhàn)略落地的產(chǎn)業(yè)平臺。

除了大基金，兆易創(chuàng)新還引入了陜國投的戰(zhàn)略投資，陜國投持股比例7.13%，成為公司第五大股東。

引入投資的同時，兆易創(chuàng)新也著手對外投資。2017年12月，兆易創(chuàng)新以境外全資子公司芯技佳為主體認購中芯國際1.02%股份，投資成本為4.49億元，這代表著兆易創(chuàng)新與中芯國際的合作已從供應(yīng)鏈升級深入到股權(quán)投資領(lǐng)域。

在此之前，中芯國際是兆易創(chuàng)新的供應(yīng)商，在去年晶圓嚴重緊缺的情況下，兩者簽署供貨協(xié)議，該協(xié)議合同標的為原材料晶圓，協(xié)議約定至2018年底采購金額為12億元或以上。如今兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略入股中芯國際，無疑進一步助力保障產(chǎn)能供應(yīng)。

兆易創(chuàng)新還于2017年10月與合肥產(chǎn)投簽署了合作協(xié)議，雙方合作開發(fā)19nm的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發(fā)，項目預(yù)算為180億元，由兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投根據(jù) 1:4 的比例負責(zé)籌集，即兆易創(chuàng)新出資36億元。

該項目投資也意味著兆易創(chuàng)新正式踏入DRAM領(lǐng)域，構(gòu)建NOR+NAND+DRAM完整的存儲芯片產(chǎn)品體系。在存儲芯片產(chǎn)業(yè)三大產(chǎn)品類別中，兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，NAND Flash方面其自研38nm產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，但在DRAM領(lǐng)域尚未涉足，如今通過與合肥產(chǎn)投的合作，填補在該領(lǐng)域的空白。

值得一提的是，2017年12月底，兆易創(chuàng)新正式宣布擬收購上海思立微100%股權(quán)，布局物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域人機交互技術(shù)。

對于資本運作，兆易創(chuàng)新董事長朱一明日前在接受媒體專訪時表示，兆易創(chuàng)新絕不單純搞資本。“兆易創(chuàng)新任何的投資，都不會是財務(wù)投資，兆易做的投資都是戰(zhàn)略投資。”

2018年發(fā)展戰(zhàn)略

對于2018年，兆易創(chuàng)新在報告中稱，將抓住中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大好機遇，以成為全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計公司為目標，通過自主創(chuàng)新和并購重組等多種途徑，以市場為導(dǎo)向，聚焦產(chǎn)品研發(fā)，拓展及豐富產(chǎn)品線，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，改善產(chǎn)品性能，降低成本，提升產(chǎn)品全球競爭力，實現(xiàn)公司的快速、健康、持續(xù)、長遠發(fā)展。

NOR Flash 方面，將拓展更高容量產(chǎn)品，提供從512kb到1Gb以上全容量產(chǎn)品方案開發(fā)成熟制程的新產(chǎn)品，尤其是針對市場新型應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)、汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的產(chǎn)品線；NAND Flash方面，將推出中低容量的產(chǎn)品，提供容量達32Gb的SLC NAND 產(chǎn)品，重點拓展在工業(yè)、汽車等高可靠性應(yīng)用；MCU方面，沿著高性能與超低功耗兩條主線布局，充分適應(yīng)市場的需求，以領(lǐng)先的工藝水平和高集成度應(yīng)對多元化應(yīng)用挑戰(zhàn)；DRAM方面，通過與合肥產(chǎn)投的合作，力爭填補國內(nèi)DRAM 領(lǐng)域空白。

兆易創(chuàng)新表示將進一步與上游產(chǎn)業(yè)鏈加強合作，建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，協(xié)同推進技術(shù)、產(chǎn)品開發(fā)以及客戶和市場開拓；同時與下游客戶密切協(xié)作，構(gòu)建應(yīng)用生態(tài)。

具體而言，兆易創(chuàng)新2018年的經(jīng)營計劃包括加大技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)投入、積極開拓市場、推進行業(yè)并購和產(chǎn)業(yè)整合、加強人才隊伍建設(shè)、提升管理水平五大方面。

目前中國集成電路發(fā)展正處于關(guān)鍵期，在國家重視、政策支持、資本投入等利好條件下，業(yè)界看好兆易創(chuàng)新接下來的發(fā)展。

如需獲取更多資訊，請關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號（全球半導(dǎo)體觀察）。