英特爾與美光于2018年1月8日共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研發(fā)后，雙方將開啟各自的研發(fā)之路，雙方目前共同研發(fā)的第二代產(chǎn)品為64層3D NAND Flash，預(yù)計(jì)第三代將可堆棧96層，也意味著96層以后3D NAND Flash的產(chǎn)品研發(fā)，Intel將正式與美光分道揚(yáng)鑣。

盡管這項(xiàng)決議不會(huì)對雙方后續(xù)的制程提升、產(chǎn)品規(guī)劃產(chǎn)生重大影響，但在確定分家之后，雙方將有更大的彈性尋求新的合作伙伴。

根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，英特爾與紫光集團(tuán)正積極研擬后續(xù)合作計(jì)劃，雙方可望建立正式銷售合作關(guān)系。

英特爾與紫光擬訂銷售合約，紫光存儲(chǔ)藉以耕耘渠道銷售競爭力

從近期英特爾的動(dòng)向來看，DRAMeXchange分析，英特爾一直以來高度關(guān)注中國市場，在CPU、modem、內(nèi)存等領(lǐng)域皆積極尋求不同的合作或合資機(jī)會(huì)。

除了積極尋求合作伙伴，英特爾也持續(xù)擴(kuò)大在中國的產(chǎn)能，包含在中國大連地區(qū)也有3D NAND為主的NAND Flash自主產(chǎn)能將持續(xù)擴(kuò)張。

近日來Intel與紫光存儲(chǔ)(紫光集團(tuán)旗下子公司)正積極擬訂長期合約，未來在此合約架構(gòu)底下，紫光存儲(chǔ)將能夠獲得一定比例來自英特爾的NAND晶圓，經(jīng)自行封裝測試成不同產(chǎn)品后，由紫光存儲(chǔ)的自有渠道進(jìn)行銷售。

觀察清華紫光集團(tuán)在閃存的布局，清華紫光集團(tuán)主要有長江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)閃存的開發(fā)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)，并由紫光存儲(chǔ)負(fù)責(zé)銷售。

但由于目前長江存儲(chǔ)所設(shè)計(jì)的NAND Flash產(chǎn)品仍為32層為主，因此在他們正式開發(fā)出64層或更高層數(shù)的產(chǎn)品以前，紫光存儲(chǔ)為了維持渠道銷售的競爭力，將透過協(xié)議每個(gè)月自英特爾取得閃存的晶圓成品，進(jìn)而封裝成包含UFS、eMMC以及SSD產(chǎn)品。

清華紫光集團(tuán)透過這樣的方式，除了能夠維持渠道競爭力以外，也能夠加強(qiáng)品牌能見度。

此外，盡管一開始尚無法切入中高端智能手機(jī)，或在client SSD領(lǐng)域取得優(yōu)勢，然上述策略將可望以較低的售價(jià)切進(jìn)包含Chromebook或其他消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用，后續(xù)對NAND Flash整體價(jià)格走勢帶來變量。

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