英特爾（Intel）和美光（Micron）合作研發(fā)NAND Flash多年，8日宣布準(zhǔn)備拆伙，將在完成第三代3D NAND研發(fā)之后，正式分道揚(yáng)鑣。

Anandtech、Barronˋs報(bào)導(dǎo)，英特爾和美光12年前成立合資公司IM Flash Technologies，發(fā)展NAND。英特爾資助研發(fā)成本，并可分享NAND銷售收益。不過(guò)兩家公司NAND策略迥異，英特爾的NAND幾乎全用于企業(yè)市場(chǎng)的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。美光除了銷售SSD、也供應(yīng)NANDFlash芯片。

目前兩家公司的3D NAND制程，進(jìn)入第二代，可堆疊64層，正在研發(fā)第三代，預(yù)料可堆疊96層，預(yù)計(jì)在2018年底、2019年初問(wèn)世。此一制程之后，英特爾和美光將各走各的路。

Anandtech猜測(cè)，也許是NAND堆疊層數(shù)破百之后，需要調(diào)整String Stacking的堆疊方式，兩家公司對(duì)此看法不同，因而分手。另一個(gè)可能是，目前3D NAND的生產(chǎn)主流是電荷儲(chǔ)存式（Chargetrap），三星電子等都采用此一方式，英特爾／美光是唯一采用浮閘（floatinggate）架構(gòu)的業(yè)者。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲(chǔ)存式架構(gòu)，但是此舉等于坦承失敗，代表從2D NAND轉(zhuǎn)換成3D NAND后，續(xù)用浮閘是錯(cuò)誤決定，因而鬧翻。

值得注意的是，兩家公司仍會(huì)繼續(xù)共同研發(fā)3D XPoint存儲(chǔ)器，此一技術(shù)被譽(yù)為打破摩爾定律的革命技術(shù)。

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