晶圓代工廠聯(lián)電21日宣布，推出40納米結(jié)合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式Super Flash非揮發(fā)性的存儲器制程平臺。而新推出的40納米SST嵌入式快閃存儲，較當前量產(chǎn)的55納米制程在單元尺寸上減少逾20%，并使整體存儲器面積縮小20%到30%。目前，日本半導體大廠東芝電子元件暨儲存產(chǎn)品公司已開始評估其微處理器（MCU）芯片于聯(lián)電40納米SST技術(shù)制程平臺的適用性。

聯(lián)電表示，目前已有超過20個客戶和產(chǎn)品正以聯(lián)電的55納米SST制程技術(shù)嵌入式快閃存儲器制程進行各階段的生產(chǎn)。其生產(chǎn)的產(chǎn)品包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、MCU、及其他應(yīng)用產(chǎn)品。而針對新一代的40納米SST制程技術(shù)嵌入式快閃存儲制程平臺，東芝電子元件暨儲存產(chǎn)品公司混合信號芯片部門副總松井俊指出，東芝期待采用聯(lián)電的40納米SST制程技術(shù)來提升MCU產(chǎn)品的性能。與聯(lián)電合作，將可透過穩(wěn)定的制造供應(yīng)及配合東芝的生產(chǎn)需求提供靈活的產(chǎn)能，亦將能夠保持強勁的業(yè)務(wù)連續(xù)性計劃。

聯(lián)華電子特殊技術(shù)組織協(xié)理丁文琪表示，自2015年起，聯(lián)電開始提供55納米SST制程技術(shù)的嵌入式快閃存儲器成為主流技術(shù)以來，一直受到客戶的高度關(guān)注。因為藉此制程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可用于汽車、工業(yè)、消費者和物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。未來，這些嵌入式快閃存儲器解決方案在擴展到40納米制程技術(shù)平臺之后，將可把SST制程技術(shù)的高速度和高可靠性優(yōu)勢帶給東芝和其他晶圓代工客戶。

聯(lián)電指出，分離式的閘極存儲器單元SST制程，是依據(jù)JEDEC所制定的規(guī)范標準，具100K耐久性，以及在85℃及工作溫度范圍為-40℃至125℃溫度的情況下，數(shù)據(jù)可保存10年以上的性能。而現(xiàn)階段除了40納米的SST制程技術(shù)外，還有20多家客戶使用聯(lián)電的55納米SST制程技術(shù)來生產(chǎn)各類應(yīng)用產(chǎn)品。

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