Intel Pentium 4發(fā)售初期，因為市面沒有其他足以匹配FSB前端匯流排速度的存儲器，而選擇采用較不常見的RDRAM搭配，其后的主要技術(shù)來源即為Rambus公司。近日Rambus在一場投資者會議談到未來存儲器趨勢，DDR5和HBM3傳輸速度相較現(xiàn)行產(chǎn)品均翻倍。

如果大家還記得Rambus公司，可能都是較為負面的消息，但這家公司手上依然有許多存儲器技術(shù)專利，雖然主導(dǎo)的RDRAM無論在消費或企業(yè)市場都以失敗收場，每年卻靠這些專利擁有破億美元的授權(quán)收入，在技術(shù)上依然有其領(lǐng)導(dǎo)地位。

根據(jù)ComputerBase網(wǎng)站的消息，Rambus近日于投資者會議稍微透露下世代存儲器的規(guī)格，HBM3將使用7納米制程制造，具備4000Mbps傳輸速度，DDR5同樣使用7納米，預(yù)期將有4800Mbps~6400Mbps的傳輸速度。這些單pin針腳傳輸傳輸速度，若是乘上1024bit和64bit的匯流排位元寬度，則最高相當(dāng)于500GB/s和50GB/s。

▲HBM3和DDR5預(yù)計最高頻寬均能翻倍。（Source：ComputerBase）

現(xiàn)在談下世代存儲器速度只是展望，HBM2在顯示卡市場還不是相當(dāng)普及，DDR4在AMD和Intel 2家的標準支援速度也才剛剛跨過等效2666MHz門檻，還沒有達到JEDEC制定的最高規(guī)格3200MHz。Rambus所提的7納米制程，預(yù)計還要經(jīng)過好幾年才有辦法進入量產(chǎn)階段。

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