作為近30年來存儲芯片市場上首次出現(xiàn)的主流新技術(shù)，3D XPoint的速度和耐用性都是目前NAND閃存的1000倍，儲存密度則是DRAM的10倍，且壽命更長。但遺憾的是，因為技術(shù)和產(chǎn)能問題，要在市場大規(guī)模商用尚需時日。

不過，英特爾正在大力普及3D XPoint存儲技術(shù)，目前產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋數(shù)據(jù)中心SSD、消費(fèi)級SSD等領(lǐng)域，推出的產(chǎn)品包括Intel存儲黑科技傲騰內(nèi)存（Optane Memory）、消費(fèi)級傲騰SSD 900P系列、以及針對數(shù)據(jù)中心的傲騰SSD DC P4800X等。

此外，在今天舉辦的UBS全球技術(shù)大會上，英特爾還表示基于3D XPoint技術(shù)的DIMM內(nèi)存條將于2018年下半年推出。

與此同時，英特爾也在加速3D XPoint存儲器工廠的建設(shè)。最新消息是，英特爾和存儲器大廠美光已經(jīng)宣布，IM Flash B60晶圓廠的擴(kuò)建工作已經(jīng)完成，未來主要負(fù)責(zé)3D XPoint存儲器的生產(chǎn)，但距離實際投產(chǎn)還有一段時間。

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按照早前英特爾CEO柯再奇（Brian Krzanich）在今年第一季度財報會議上的說法，3D XPoint閃存的盈虧平衡點(diǎn)會在2018年底出現(xiàn)，屆時3D XPoint閃存的性能將完全展現(xiàn)出來，同時制造成本也會下來。

據(jù)悉，IM Flash Technologies是英特爾和美光于2006年共同成立的半導(dǎo)體晶圓制造公司，總部位于美國猶他州，專門為美光和英特爾生產(chǎn)非揮發(fā)性存儲芯片，初期生產(chǎn)用于SSD、手機(jī)、平板的NAND Flash，該合資公司由英特爾出資，美光提供技術(shù)。2015年，IM Flash開始生產(chǎn)3D XPoint。

事實上，英特爾近年來已經(jīng)越來越重視3D XPoint存儲技術(shù)的開發(fā)，除了擴(kuò)建美國本土工廠生產(chǎn)相關(guān)存儲器之外，同時也在加大力度轉(zhuǎn)型中國的半導(dǎo)體工廠。

最典型的案例是，在2016年英特爾信息技術(shù)峰會（Intel Developer Forum，簡稱“IDF”），英特爾全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭就曾表示，未來3-5年內(nèi)英特爾將投資35億美元升級大連晶圓廠，轉(zhuǎn)產(chǎn)為“非易失性存儲器”制造，生產(chǎn)3D NAND和3D XPoint產(chǎn)品。

在市場需求以及產(chǎn)能擴(kuò)充下，未來英特爾的3D XPoint產(chǎn)品占比將持續(xù)增加。科再奇預(yù)計，2017年3D XPoint產(chǎn)品將占據(jù)英特爾存儲部門營收的10%，2018年的占比還將大幅提升。

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