10月27日，兆易創(chuàng)新發(fā)布2017年三季報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，兆易創(chuàng)新2017年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.2億元，同比增長(zhǎng)45%，歸母凈利潤(rùn)3.4億元，同比增長(zhǎng)135%，前三季度毛利率和凈利率分別高達(dá)39%和22%。其中三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.8億元，同比增長(zhǎng)47%，環(huán)比增長(zhǎng)19%，單季實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.6億元，同比增速高達(dá)193%，環(huán)比增長(zhǎng)45%，大超市場(chǎng)預(yù)期，毛利率和凈利率分別高達(dá)43%和28%，同比環(huán)比均顯著提升，經(jīng)營(yíng)持續(xù)向好。

核心觀點(diǎn)

1.NOR Flash國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，NAND Flash加速追趕。兆易創(chuàng)新作為國(guó)內(nèi)NOR Flash龍頭企業(yè)，美光與Cypress等大廠逐步淡出，NOR Flash三季度調(diào)漲10%-20%，公司市場(chǎng)地位提升，盈利能力大幅增強(qiáng)；公司結(jié)合NOR已有技術(shù)積累進(jìn)行NAND布局，募投項(xiàng)目瞄準(zhǔn)NAND Flash小容量市場(chǎng)力求突破。

2. 攜手合肥產(chǎn)投，切入DRAM領(lǐng)域。公司近日與合肥產(chǎn)投簽署合作協(xié)議，開(kāi)展工藝制程19nm的 12英寸晶圓存儲(chǔ)器（ DRAM等）的研發(fā)，目標(biāo)在2018年底研發(fā)成功，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%，DRAM市場(chǎng)空間廣闊，有望成為公司新的增長(zhǎng)動(dòng)能。

3. 提前卡位32位MCU，借勢(shì)物聯(lián)網(wǎng)加速發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)將成為MCU市場(chǎng)增長(zhǎng)新動(dòng)能。公司在32位通用MCU市場(chǎng)產(chǎn)品線布局廣泛， GD32系列MCU榮獲“年度最佳處理器/MCU/FPGA”殊榮。公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的技術(shù)積累將有效推動(dòng)MCU創(chuàng)新升級(jí)，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)與MCU業(yè)務(wù)相互助力，互相促進(jìn)增長(zhǎng)。

4. 聯(lián)手中芯國(guó)際，產(chǎn)能瓶頸打通。今年九月，公司與中芯國(guó)際簽署《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，至2018年底原材料晶圓采購(gòu)金額至少為12億元人民幣，公司長(zhǎng)期穩(wěn)定的產(chǎn)能供應(yīng)得以保證。

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