進(jìn)入第 4 季，在供貨吃緊下，DRAM 價(jià)格上漲趨勢(shì)持續(xù)，集邦咨詢TrendForce旗下半導(dǎo)體研究中心 DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷指出，在智能型手機(jī)存儲(chǔ)器容量升級(jí)，加上服務(wù)器 / 資料中心的強(qiáng)勁需求，拉動(dòng)其他產(chǎn)品漲勢(shì)，預(yù)估第 4 季 ASP 平均漲幅約 5-10%，明年也將持續(xù)上漲；NAND Flash 也同樣是供不應(yīng)求的情況，不過(guò)，集邦咨詢預(yù)期，供需狀況會(huì)在今年第 4 季往平衡方向移動(dòng)，不同于 DRAM 價(jià)格將在 2018 年維持高檔，明年 NAND Flash 的價(jià)格可能將開(kāi)始走跌。

吳雅婷表示，今年 DRAM 價(jià)格約較去年上漲 4 成，第 3 季平均漲幅約 7%，第 4 季仍將持續(xù)上漲，保守預(yù)估平均漲幅約 5-10%，供貨吃緊的情況將延續(xù)到明年一整年，但因今年 的 ASP 已經(jīng)上漲非常多，預(yù)估明年漲幅將不像今年的年增幅度，由于產(chǎn)能并未大幅增加，保守預(yù)估明年漲幅將超過(guò) 5%。

三大 DRAM 廠陸續(xù)在下半年召開(kāi)針對(duì)明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議，根據(jù) DRAMeXchange 的調(diào)查，2018 年各 DRAM 廠資本支出計(jì)劃都傾向保守，產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估 2018 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)的供給年成長(zhǎng)率為 19.6%，維持在近年來(lái)的低點(diǎn)，加上明年整體 DRAM 需求端年成長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá) 20.6%，供給吃緊態(tài)勢(shì)將延續(xù)。

吳雅婷指出，從需求端來(lái)看，智能型手機(jī)存儲(chǔ)器容量的升級(jí)，服務(wù)器 / 資料中心的強(qiáng)勁需求，都拉升明年需求的成長(zhǎng)；就供給面來(lái)看，從目前三大 DRAM 廠產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，預(yù)計(jì)明年各家新增投片量?jī)H約 5-7%，這些新增產(chǎn)能都來(lái)自現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃與制程轉(zhuǎn)進(jìn)。

至于 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)未來(lái)的價(jià)格走勢(shì)部分，今年第 3 季在蘋果新機(jī)與 Server SSD 需求帶動(dòng)下出現(xiàn)供給缺口擴(kuò)大，第 4 季除了蘋果手機(jī)的需求以外，其他需求能見(jiàn)度還不高，因此，集邦咨詢預(yù)期，NAND Flash 的供需狀況會(huì)在今年第 4 季往平衡方向移動(dòng)。

集邦咨詢表示，明年第 1 季因?yàn)槭莻鹘y(tǒng)淡季，根據(jù)目前觀察并沒(méi)有特別需求，再加上供給端上，在非三星陣營(yíng)廠商陸續(xù)克服轉(zhuǎn)進(jìn) 3D NAND Flash 產(chǎn)品線的瓶頸，供給將開(kāi)始增加的情況下，可能會(huì)使得不斷上揚(yáng)的價(jià)格出現(xiàn)松動(dòng)態(tài)勢(shì)；不同于 DRAM 價(jià)格將在 2018 年維持高檔，集邦咨詢預(yù)期，明年 NAND Flash 的價(jià)格可能將開(kāi)始走跌。

DRAMeXchange 資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，今年 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)需求受智能型手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自 2016 年第 3 季起已持續(xù)六個(gè)季度；明年 NAND Flash 供給將增加 42.9%，需求端將成長(zhǎng) 37.7%，整體供需狀況將由今年的供不應(yīng)求轉(zhuǎn)為供需平衡。

觀察明年需求面狀況，在第 1 季淡季影響下，智能型手機(jī)、PC、平板計(jì)算機(jī)等出貨量預(yù)期都將比今年第 4 季來(lái)得明顯下滑，綜觀供給與需求面狀況，明年 NAND Flash 市場(chǎng)將從供不應(yīng)求轉(zhuǎn)為供需平衡。

在存儲(chǔ)器漲勢(shì)持續(xù)下，相關(guān)存儲(chǔ)器廠也交出不錯(cuò)的營(yíng)運(yùn)成績(jī)，華邦電9 月合并營(yíng)收 43.16 億元（新臺(tái)幣，下同），寫(xiě)下自 2000 年 10 月來(lái) 17 年新高；總經(jīng)理詹東義日前表示，下半年 DRAM 及 NOR Flash 需求穩(wěn)定健康，NOR Flash 一直還是缺貨，第 4 季 NOR 將持續(xù)漲價(jià)。

詹東義分析，NOR Flash 方面一直還是缺貨，華邦電的 NOR Flash 都有打入熱門產(chǎn)品供應(yīng)鏈，第 4 季整體需求非常強(qiáng)勁，預(yù)期未來(lái)半年在 NOR 部分相當(dāng)穩(wěn)定。價(jià)格部分，NOR 第 3 季上漲，第 4 季在需求強(qiáng)勁下，價(jià)格持續(xù)穩(wěn)定上漲。

旺宏 9 月合并營(yíng)收達(dá) 41.5 億元，創(chuàng)下單月歷史第 3 高紀(jì)錄，為自 2000 年 12 月以來(lái)、16 年 10 個(gè)月的新高。旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)在先前法說(shuō)會(huì)后指出，NOR Flash、SLC NAND Flash 持續(xù)供不應(yīng)求，更預(yù)期缺貨狀況將延續(xù)到明年。

南亞科 9 月合并營(yíng)收 46.44 億元，月增 6.71%，年增 32.83%，寫(xiě)下自 2013 年 5 月來(lái)的單月?tīng)I(yíng)收新高；自結(jié) 8 月稅后純益 23.07 億元，年增 335.29%，每股純益 0.84 元。

南亞科總經(jīng)理李培瑛在先前的法說(shuō)會(huì)時(shí)指出，下半年需求較上半年高，由于 DRAM 廠商自律擴(kuò)產(chǎn)，位元成長(zhǎng)主要來(lái)自制程轉(zhuǎn)換，供給持續(xù)吃緊，甚至到明年都有機(jī)會(huì)維持市場(chǎng)穩(wěn)定，呈現(xiàn)微幅缺貨，預(yù)估今年第 3 季平均報(bào)價(jià)季增 4-6%；南亞科本季毛利率、營(yíng)益率有把握優(yōu)于第 2 季，第 4 季則約與第 3 季接近。

DRAM 量?jī)r(jià)俱揚(yáng)，存儲(chǔ)器模組大廠威剛 9 月合并營(yíng)收 29.26 億元，創(chuàng) 47 個(gè)月新高，自結(jié)前 8 月每股稅前獲利 8.66 元；威剛指出，由于服務(wù)器、智能型手機(jī)及 PC 等三大市場(chǎng)下半年需求陸續(xù)回溫，DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下，全面性嚴(yán)重缺貨，不但價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，PC 大廠及通路客戶也積極備貨。

威剛強(qiáng)調(diào)，在國(guó)際資料中心大廠對(duì) DRAM 需求快速擴(kuò)張下，全球 DRAM 廠今年都無(wú)新增產(chǎn)線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應(yīng)，造成 PC DRAM 供給面臨嚴(yán)重的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，缺貨問(wèn)題將延燒至明年第 2 季都無(wú)法紓解；這波 DRAM 報(bào)價(jià)漲勢(shì)將延續(xù)至明年。

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