存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）昨（27）日召開(kāi)2017年會(huì)計(jì)年度第4季（2017年6月至8月）法說(shuō)會(huì)，非一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)財(cái)（Non-GAAP）每股稀釋盈余2.02美元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，美光在北京時(shí)間27日晚上開(kāi)盤(pán)后，截至11點(diǎn)為止大漲了7.9%。

美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra在法說(shuō)會(huì)中亦明白表示，今年底前DRAM及NAND Flash都將呈現(xiàn)供不應(yīng)求的缺貨狀態(tài)。

受惠于DRAM及NAND Flash價(jià)量齊揚(yáng)，美光2017年會(huì)計(jì)年度第4季的Non-GAAP財(cái)報(bào)大幅超標(biāo)，營(yíng)收季增10%達(dá)61.38億美元，較去年同期大增約91%，平均毛利率沖上51%，稅后凈利季增26%達(dá)23.86億美元，與去年同期虧損情況相較不僅由虧轉(zhuǎn)盈，獲利還大幅超越市場(chǎng)預(yù)期，單季每股稀釋盈余2.02美元。

美光對(duì)于2018年會(huì)計(jì)年度第1季（2017年9月至11月）的展望同樣明顯優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。營(yíng)收預(yù)估介于61～65億美元之間，優(yōu)于市場(chǎng)普遍預(yù)估的60.6億美元，平均毛利率介于50～54%，營(yíng)業(yè)利益預(yù)估介于26.5～28.5億美元之間，每股稀釋盈余預(yù)估介于2.09～2.23美元之間，優(yōu)于市場(chǎng)普遍預(yù)估的1.85美元。

美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra在法說(shuō)會(huì)中表示，美光1x納米DRAM、64層3D NAND的生產(chǎn)計(jì)劃順利進(jìn)行，預(yù)估今年底前良率可達(dá)成熟穩(wěn)定階段。由產(chǎn)業(yè)來(lái)看，今年DRAM市場(chǎng)位元成長(zhǎng)率僅20%，NAND Flash位元成長(zhǎng)率僅30～40%之間，均低于市場(chǎng)需求成長(zhǎng)幅度，所以預(yù)期至今年底前，DRAM及NAND Flash都將供不應(yīng)求，而且良性的產(chǎn)業(yè)基本面會(huì)延續(xù)到明年。

Sanjay Mehrotra也對(duì)2018年存儲(chǔ)器市場(chǎng)提出看法，其中DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率仍然只在20%左右，在云端運(yùn)算等需求維持強(qiáng)勁情況下，將維持健康的供需平衡狀態(tài)。至于NAND Flash在各家業(yè)者的3D NAND產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出下，位元成長(zhǎng)率將提升到50%左右，可望滿足目前的市場(chǎng)供給缺口。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）昨日表示，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第3季起已持續(xù)6個(gè)季度。2018年NAND Flash位元供給端將增加42.9%，需求端將成長(zhǎng)37.7%，整體供需狀況將由2017年的供不應(yīng)求轉(zhuǎn)為供需平衡。

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