之前，芯片大廠英特爾(英特爾)在中國舉行的“尖端制造大會”上，正式向大家展示了藉由最新的10納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的晶圓，并且表示由10納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的Cannon Lake處理器將會在2017年年底之前開始量產(chǎn)。

只是，現(xiàn)在有消息透露，首批進入到市場的英特爾 10納米制程技術(shù)產(chǎn)品，將不會是大家期待的CPU，而是目前市場價格高漲的NAND Flash快閃存儲器。

根據(jù)業(yè)界人士透露，英特爾計劃在自家最新的64層3D NAND Flash快閃存儲器上使用最新的10納米制程技術(shù)。至于為何在3D NAND Flash快閃存儲器上首先使用新制程技社，很可能是因為NAND Flash快閃存儲器的結(jié)構(gòu)相對簡單，基本上就是大量同類電晶體的堆積。

相較之下，CPU處理器的架構(gòu)就顯得復雜多了。而就由使用新制程技術(shù)來生產(chǎn)，復雜性也是關(guān)系成功與否的重要風險之一，而這也是英特爾在14納米制程、10納米制程上屢屢延后推出的一項主要因素。

而依照英特爾的說法，10納米制程技術(shù)使用了FinFET(鰭式場效應電晶體)、Hyper Scaling(超縮微)技術(shù)，可將電晶體密度提升2.7倍，結(jié)果自然可以大大縮小芯片面積，對NAND Flash快閃存儲器的設計來說，當然就能極大地提升容量。

不過，目前還不清楚英特爾的10納米制程NAND Flash快閃存儲器的具體生產(chǎn)情況為何，但是可以確認的是，未來該批產(chǎn)品將會首先運用于資料中心的市場，等成本下降之后，再推廣到消費等級市場領(lǐng)域。

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