華邦電今年來自于NOR Flash的需求強勁，更進一步排擠到了利基型DRAM的產(chǎn)能，在臺中廠目前空間與產(chǎn)能有限下，將加緊微縮制程的腳步，華邦電總經(jīng)理詹東義表示，自主開發(fā)成功的3X納米DRAM生產(chǎn)技術(shù)，目前量產(chǎn)順利，接下來希望趕快導入2X納米，預計明年下半年量產(chǎn)，2X納米技術(shù)一樣也是由公司自主開發(fā)。

詹東義表示，為了要自主研發(fā)DRAM生產(chǎn)技術(shù)，當中有整整6年空白的時間，也就是這6年來，同業(yè)的制程微縮不斷前進，可是華邦電卻一直停留在既有的制程，過了多年的努力研發(fā)，終于成功邁向3X納米，目前的量產(chǎn)情況非常順利，現(xiàn)在正在著手往2X納米邁進，希望可以跟上市場技術(shù)發(fā)展的腳步。

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