存儲(chǔ)器模組廠全部認(rèn)為DRAM的缺貨狀況將持續(xù)，價(jià)格將維持在高檔；今年DRAM與NAND Flash缺貨幾乎達(dá)一整年，加上NOR Flash亦因缺貨帶動(dòng)價(jià)格高漲，使得制造廠南亞科、華邦電及旺宏本業(yè)營(yíng)運(yùn)第三季看漲。

存儲(chǔ)器模組廠創(chuàng)見預(yù)期，未來(lái)DRAM與NAND Flash缺貨狀況仍將持續(xù)，價(jià)格將維持在高檔。威剛也認(rèn)為第三季在DRAM供給依然吃緊，再加上3D NAND Flash新制程良率有待提升，公司營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)可望優(yōu)于第二季。

宇瞻也持同樣看法，預(yù)期DRAM全球供貨吃緊將延續(xù)；主要是制程轉(zhuǎn)進(jìn)20納米以下，設(shè)計(jì)、生產(chǎn)難度大幅提升，至于需求端產(chǎn)品分類趨復(fù)雜，生產(chǎn)規(guī)劃難度增加。應(yīng)用方面，上半年服務(wù)器標(biāo)案需求強(qiáng)勁；第三季手機(jī)大廠推新機(jī)，平均存儲(chǔ)器容量3~6GB，搭載量增加。今年DRAM位元需求成長(zhǎng)率估22.5%，三大主要供應(yīng)商因先進(jìn)制程難度提高以及獲利為導(dǎo)向，整體供給仍吃緊。

受到DRAM供貨短缺仍未紓解，加上地緣政治緊張的預(yù)期心理，市場(chǎng)漲勢(shì)可望延續(xù)至今年第四季。第三季隨著DRAM價(jià)格上漲，南亞科本業(yè)營(yíng)運(yùn)可望更上一層樓。NOR Flash今年也加入缺貨的行列，華邦電及旺宏將同步受惠，并支撐股價(jià)仍處于相對(duì)高檔。

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