對于存儲產(chǎn)業(yè)來說，2016~2017年無疑是難得一見的好年。拿DRAM主流產(chǎn)品DDR4 4Gb與NAND Flash主流產(chǎn)品TLC 128Gb，自2016年中期起一年期間的現(xiàn)貨與晶圓合約價格來看，DRAM價格上漲115%，而NAND Flash的價格也有超過80%的漲價幅度。對于一年前還面臨產(chǎn)品價格下跌和產(chǎn)業(yè)淘汰賽的存儲企業(yè)來說，這是五年來價格漲幅最高、漲價持續(xù)最久的一次榮景。

內(nèi)存大漲的原因

剖析這一波內(nèi)存大漲背后的原因，需要將DRAM與NAND Flash兩類產(chǎn)品分開來談。

先來看DRAM為什么能從去年第三季度開始，價格一路上揚至今年第三季度，甚至將一路漲至2018年。

從供給面來看，這首先是制程轉(zhuǎn)進造成的位產(chǎn)出越來越少的緣故。再觀察內(nèi)存大廠的動態(tài)，在市場寡占的情況下，這一次大廠皆沒有大幅擴增產(chǎn)能，重蹈以往大廠搶擴產(chǎn)，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡的覆轍。從集邦咨詢（TrendForce）統(tǒng)計的數(shù)字來看，2017年DRAM產(chǎn)業(yè)供給端產(chǎn)能增長率僅有19.5%，遠(yuǎn)低于往年動輒二成五以上的年增長幅度，而需求端的年增長依然超過22%，供不應(yīng)求的嚴(yán)峻程度可見一斑。

此外，由于供應(yīng)大廠2017年至2018年正在進行技術(shù)世代交替，由DDR3轉(zhuǎn)進至DDR4，因而使得大容量內(nèi)存的供給多于小容量的供給，造成下游客戶被迫必須升級內(nèi)存搭載容量。

另一方面，需求端也扮演關(guān)鍵角色。不像過去內(nèi)存的使用以個人計算機應(yīng)用為大宗，應(yīng)用市場較為單一；當(dāng)今的內(nèi)存應(yīng)用分類復(fù)雜，除了個人計算機外，還有智能手機、服務(wù)器等重要應(yīng)用市場。對于廠商來說，產(chǎn)品計劃比過往困難得多。綜合供給面與需求面的狀況，造成了此次DRAM價格大幅上揚的原因。

再來看看NAND Flash的狀況。NAND Flash從去年第二季度下旬開始漲價，漲幅翻倍。從需求面來看，智能手機對于NAND Flash的需求，成為拉動NAND Flash產(chǎn)業(yè)的火車頭。盡管從去年開始，智能手機的增長進入高原期，但NAND Flash的搭載容量受到中國市場需求的帶動，出現(xiàn)搭載容量提升的狀況。由于中國手機廠商率先將手機內(nèi)存容量提升至32GB/64GB，甚至以上，加上蘋果去年推出新一代iPhone時，也選擇提升容量，給NAND Flash廠商來了一記漂亮的助攻，整個NAND Flash的需求高于原先預(yù)期。

除了智能手機之外，服務(wù)器需求的暴增，也是拉升這一次NAND Flash價格連續(xù)上漲5個季度的原因。從集邦咨詢統(tǒng)計的數(shù)字來看，就可以嗅到服務(wù)器需求的強勁。2016年企業(yè)級SSD位消耗量較2015年成長100%以上，遠(yuǎn)超過2016年整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求面位消耗量51%的年成長水平。

反觀供給面，卻因為NAND Flash制程轉(zhuǎn)進不順，而造成供給的缺口。要解釋這個狀況，就要回到2016年開年時的背景，當(dāng)時業(yè)界普遍預(yù)期智能手機全年出貨狀況將表現(xiàn)不佳，導(dǎo)致NAND Flash供貨商決定不增加2D產(chǎn)能，并計劃在同個時間點進行制程轉(zhuǎn)進，由2D轉(zhuǎn)進至3D NAND Flash制程。

然而，制程轉(zhuǎn)進的過程同樣不如預(yù)期，除了領(lǐng)導(dǎo)廠商三星之外，其他大廠轉(zhuǎn)進狀況不佳，導(dǎo)致新增產(chǎn)能沒有百分之百完善利用。而去年下半年OEM廠商發(fā)現(xiàn)NAND Flash缺貨狀況后，引發(fā)供應(yīng)鏈全面搶貨，并造成一波恐慌性追貨，這個狀況一直持續(xù)到今年第一季度，第二季度隨著市場需求持平，供給缺口縮小，但價格已經(jīng)自去年中期上漲至今年第三季度。

當(dāng)前的供需狀況

這波DRAM與NAND Flash價格連續(xù)上漲5個季度的情況將會持續(xù)還是反轉(zhuǎn)呢？先來觀察當(dāng)前的供應(yīng)狀況。

放眼2017年下半年，全球內(nèi)存消化量最大的依然是智能手機領(lǐng)域，雖然上半年中國品牌手機陸續(xù)下修出貨數(shù)字，但下半年蘋果將推出iPhone8新款手機，三星也將推出Note8旗艦款手機，高端智能手機內(nèi)存需求的成長依然是產(chǎn)業(yè)的火車頭。

從市場面來觀察，今年智能手機內(nèi)存容量的年成長率將超過30%以上，平均搭載量達到3.2GB，高端智能手機已與主流筆記本電腦所使用的內(nèi)存規(guī)格無異。

隨著智能手機崛起，各式的云端服務(wù)如雨后春筍般興起，帶動內(nèi)存需求顯著成長，2017年服務(wù)器的平均內(nèi)存容量上看130GB以上，尤其美系云端客戶如Google、Facebook等服務(wù)器市場的需求強勁，高于產(chǎn)業(yè)平均水平，讓DRAM廠在2017年下半年的產(chǎn)能分配往服務(wù)器用內(nèi)存移動，同時造成其他DRAM產(chǎn)品線供貨吃緊甚至于缺貨的情形發(fā)生。同樣的，NAND Flash也將因上述需求，帶動其第三季度供給缺口擴大。

未來的價格走勢

就DRAM未來價格走勢來看，受到DRAM大廠在2019年前將不會大幅增加供應(yīng)，供應(yīng)吃緊狀況將持續(xù)至2018年年底的影響，集邦咨詢認(rèn)為，價格上漲的態(tài)勢將持續(xù)整個2017年，而2018年后，價格將維持在高檔，重現(xiàn)去年以來大幅漲價態(tài)勢的可能性不高，劇烈的價格變動難在明年出現(xiàn)，明年DRAM價格將展現(xiàn)因季節(jié)性而有所波動的趨勢，但整體價格相對持穩(wěn)的格局。

NAND Flash產(chǎn)業(yè)未來的價格走勢，今年第三季度在蘋果新機與Server SSD需求帶動下出現(xiàn)供給缺口擴大之勢，然而，第四季度除了蘋果手機的需求以外，其他需求能見度尚不高，因此，集邦咨詢預(yù)期，NAND Flash的供需狀況會在今年第四季度向平衡方向移動。而明年第一季度因為是傳統(tǒng)淡季，根據(jù)目前觀察并沒有特別需求，再加之供給端方面，在非三星陣營廠商陸續(xù)克服轉(zhuǎn)進3D NAND Flash產(chǎn)品線的瓶頸后，供給將開始增加，可能會使不斷上揚的價格出現(xiàn)松動態(tài)勢。不同于DRAM價格將在2018年維持高檔，集邦咨詢預(yù)期，2018年NAND Flash的價格可能將開始走跌。

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