西部數(shù)據(jù)（Western Digital）發(fā)布開(kāi)發(fā)出適用于64層3D NAND(BiCS3)的X4(每單元4位元)快閃存儲(chǔ)器架構(gòu)技術(shù)。

西數(shù)先前開(kāi)拓創(chuàng)新的X4 2D NAND技術(shù)、成功商品化的經(jīng)驗(yàn)及深厚扎實(shí)的垂直整合能力，此次再次成功研發(fā)推進(jìn)適用于3D NAND的X4架構(gòu)技術(shù)。這前進(jìn)的邁步包括硅芯片加工和其相關(guān)設(shè)備工程以達(dá)到每個(gè)存儲(chǔ)器單元保存4位元的信息（16種信息狀態(tài)），以及快閃存儲(chǔ)器管理系統(tǒng)的專業(yè)技術(shù)。

BiCS3 X4技術(shù)能在單一芯片上提供領(lǐng)先業(yè)界的768Gb(gigabits)儲(chǔ)存容量，與采用X3(每單元3位元)技術(shù)的512Gb芯片相比，提高了50%的容量。西數(shù)將在今年8月美國(guó)加州圣塔克拉拉(Santa Clara)的快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示采用BiCS3 X4架構(gòu)技術(shù)的SSD和可移動(dòng)攜帶式產(chǎn)品。

西數(shù)存儲(chǔ)器技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“X4架構(gòu)技術(shù)應(yīng)用于BiCS3是西數(shù)的一項(xiàng)重大發(fā)展，因?yàn)檫@不但證明了我們?cè)贜AND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，也讓我們能提供客戶更多的儲(chǔ)存方案。這次發(fā)布最重要的一點(diǎn)，就是在BiCS3采用X4架構(gòu)的創(chuàng)新技術(shù)能提供與BiCS3 X3相當(dāng)?shù)男?。縮小X4與X3架構(gòu)的效能差距，是一項(xiàng)重要和革新化的功能，有助于在未來(lái)幾年提高市場(chǎng)對(duì)X4架構(gòu)技術(shù)的接受度。”

3D NAND X4架構(gòu)技術(shù)是西數(shù)在快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)近30年來(lái)再次創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)的成就，其他包括早期業(yè)界領(lǐng)先采用X2(每單元2位元)與X3(每單元3位元)架構(gòu)的多層儲(chǔ)存單元(MLC)快閃存儲(chǔ)器技術(shù)。

西數(shù)期望能將3D NAND X4技術(shù)商品化并應(yīng)用到各種能充分利用X4更高容量?jī)?yōu)勢(shì)的終端產(chǎn)品。未來(lái)世代的3D NAND技術(shù)，包括96層BiCS4在內(nèi)也預(yù)估將具備X4性能設(shè)計(jì)。

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