存儲(chǔ)器進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)能大減，從去年下半年到今年上半年以來(lái)，DRAM均價(jià)飆升17%、NAND均價(jià)攀漲12%，難怪業(yè)者無(wú)不砸錢(qián)擴(kuò)產(chǎn)。

韓媒etnews報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠(chǎng)SK海力士（SK hynix）26日表示，今年將斥資86.1億美元（約9.6萬(wàn)億韓元），進(jìn)行設(shè)備投資。此一金額比年初宣布數(shù)字高出37%，也比該公司去年的設(shè)備投資總額高出53%。

SK海力士增加投資，是想讓新廠(chǎng)提前完工。該公司主管Lee Myung-young說(shuō)，生產(chǎn)DRAM的中國(guó)無(wú)錫廠(chǎng)和生產(chǎn)NAND Flash的韓國(guó)清州（Cheongju）廠(chǎng)，原定完工時(shí)間是2019年上半年，如今將提早至2018年第四季，比預(yù)定時(shí)間提早半年。

SK海力士強(qiáng)調(diào)，新廠(chǎng)落成后，存儲(chǔ)器產(chǎn)出不至于暴增，估計(jì)DRAM和NAND Flash產(chǎn)能只會(huì)增加3~5%，呼吁市場(chǎng)放心。業(yè)界人士認(rèn)為，這是因?yàn)橘Y金多用于技術(shù)升級(jí)。

然而存儲(chǔ)器業(yè)者大手筆投資，仍讓研究機(jī)構(gòu)表示擔(dān)憂(yōu)。有機(jī)構(gòu)18日新聞稿稱(chēng)，根據(jù)存儲(chǔ)器以往的市況顯示，過(guò)度投資常會(huì)造成產(chǎn)能過(guò)剩、削弱價(jià)格。未來(lái)幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪、武漢新芯（XMC）/長(zhǎng)江存儲(chǔ)（Yangtze River Storage）都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，未來(lái)可能還有新廠(chǎng)商加入戰(zhàn)場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能過(guò)多的可能性“非常高”（very high）。

此外，DRAM和NAND的價(jià)格漲勢(shì)也逐漸放緩。盡管DRAM均價(jià)漲勢(shì)在2016年第四季觸頂，但是直到2017年Q2仍表現(xiàn)強(qiáng)健。

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