根據(jù)韓國媒體《每日經(jīng)濟(jì)》的報(bào)導(dǎo)指出，面對(duì)當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)不論DRAM，或是NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供不應(yīng)求的情況，韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士預(yù)計(jì)將在2017年下半年開始，提高1x納米生產(chǎn)制程的DRAM生產(chǎn)比例。另外，還將持續(xù)增加14納米制程的NAND Flash產(chǎn)量。目的在于以更具優(yōu)勢(shì)的成本競(jìng)爭力，達(dá)到獲利提升的目的。

報(bào)導(dǎo)中進(jìn)一步表示，在當(dāng)前行動(dòng)通訊設(shè)備對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)品的容量持續(xù)增加，并且受惠于大數(shù)據(jù)的應(yīng)用普及、人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)的快速發(fā)展，也使得云端資料中心的服務(wù)器需求增加，帶動(dòng)DRAM、固態(tài)硬盤（SSD）需求提升的情況下，市場(chǎng)上對(duì)于存儲(chǔ)器的需求自2016年中以來熱度持續(xù)不減，造成供應(yīng)量的不足，并導(dǎo)致價(jià)格的上揚(yáng)。

鑒于市場(chǎng)上的需求，各家存儲(chǔ)器大廠紛紛提供投資金額，擴(kuò)大產(chǎn)能，以爭取市場(chǎng)商機(jī)。其中，SK海力士在2016年的總投資規(guī)模達(dá)到6.29萬億韓元，而2017年投資金額預(yù)估更加達(dá)到9.6萬億韓元（約86.1億美元），并且計(jì)劃在2019年6月底前，投資2.2萬億韓元用于韓國清州興建NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠。

另外，在產(chǎn)品的研發(fā)上，2016年SK海力士總計(jì)斥資了占營收12.2%，金額達(dá)到2.1萬億韓元的研究經(jīng)費(fèi)。其成果，除了在2017年1月推出全球最高容量的超低功耗移動(dòng)設(shè)備DRAM–LPDDR4X之外，也在4月份推出可作為人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、自動(dòng)駕駛、以及4K以上高畫質(zhì)顯示器用存儲(chǔ)器的超高速繪圖DRAM–Graphics DDR6。

至于，在NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)品上，2017年SK海力士成功開發(fā)出72層堆疊，比上一代48層堆疊芯片運(yùn)作速度提升2倍，讀寫性能也拉升20%的3D NAND Flash之后，已經(jīng)在7月份開始進(jìn)行量產(chǎn)。據(jù)了解，72層堆疊比上一代48層堆疊的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器生產(chǎn)效能提高30%。而針對(duì)市場(chǎng)上對(duì)SSD硬盤的需求，SK海力士也推出搭載自主研發(fā)控制器的移動(dòng)設(shè)備用eMMC產(chǎn)品，以及PCI介面SSD固態(tài)硬盤，提升SK海力士在3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品上的競(jìng)爭力。

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