7月4日，納思達股份有限公司發(fā)布公告稱，收到全資子公司珠海艾派克微電子的通知，已經(jīng)與中科院上海微系統(tǒng)所以及中芯國際在相變儲存器（“PCRAM”，Phase Change Random Access Memory）產(chǎn)業(yè)化獲突破性進展，三方聯(lián)合研發(fā)打印機用基于PCRAM耗材芯片，在130納米技術(shù)節(jié)點取得了工程應(yīng)用的突破，并成功批量生產(chǎn)與銷售。

這是是繼國家 01 專項（核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品）中的國產(chǎn) CPU 成功在艾派克微電子產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用后，國家 02 專項（《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝》項目）中的重大存儲器項目在艾派克微電子的參與下實現(xiàn)重大技術(shù)突破，并在艾派克微電子實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化銷售。

PCRAM 的寫速度比傳統(tǒng) EEPROM 或 FLASH 非易失性存儲器快 1000 倍，此技術(shù)的成功突破，將為公司帶來良好的商業(yè)機會，并進一步提高公司的核心競爭力

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