晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及存儲器市場。臺積電這次重返存儲器市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代存儲器，因傳輸速度比一般快閃存儲器快上萬倍，是否引爆存儲器產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。

臺積電技術(shù)長孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取存儲器）和eRRAM（嵌入式電阻式存儲器）分別訂明后年進行風險性試產(chǎn)，主要采用22納米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網(wǎng)、移動設備、高速運算電腦和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新存儲器。

這也是臺積電共同執(zhí)行長魏哲家向法人表達不會跨足標準型存儲器，不會角逐東芝分割成立半導體公司股權(quán)后，臺積電再次說明存儲器的戰(zhàn)策布局，將瞄準效能比一般DRAM和存儲型快閃存儲器（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代存儲器產(chǎn)品的存儲器廠，產(chǎn)品技術(shù)時程大幅領先臺積電，三星的MRAM并獲恩智浦導入。

據(jù)了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代存儲器研發(fā)，多年來因難度高，商業(yè)化和競爭力遠不如DRAM，導致多家廠商都都僅限于研發(fā)。

存儲器業(yè)者表示，次世代存儲器中，投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化存儲器（PRAM）等三大次世代存儲器，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的存儲器類型。

不過，在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限，包括無人車、AI人工智能、高端智能手機和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能的情況下，臺積電認為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進行商業(yè)化量產(chǎn)。

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