NAND Flash控制IC廠群聯(lián)宣布推出，搭載支持64層3D NAND Flash技術(shù)SD 5.1 A1規(guī)范相容之MaxIOPS系列存儲卡控制IC，相較2D NAND Flash版本速度快上兩倍，瞄準(zhǔn)新一代高端智能手機(jī)及平板等移動市場，預(yù)計(jì)上半年開始出貨。

群聯(lián)于2017年SD協(xié)會全球技術(shù)研討會上介紹新推出搭載東芝64層TLC 3D NAND Flash的存儲器控制IC“PS8131”。群聯(lián)表示，隨著5G、4K、8K等高端規(guī)格數(shù)字串流時(shí)代來臨，正積極地?fù)尮ジ鞣N高端智能手機(jī)、平板電腦等智能移動設(shè)備的快閃存儲器市場，并提供穩(wěn)定且可靠的擴(kuò)充型存儲卡解決方案，新一代產(chǎn)品不僅具備群聯(lián)電子自主開發(fā)技術(shù)，更搭配了最新制程3D TLC的 NAND Flash，將為市場提供一個(gè)高速且符合經(jīng)濟(jì)效益的完整解決方案。

在效能表現(xiàn)上，新產(chǎn)品延續(xù)前一代的MaxIOPS系列技術(shù)，為具備SD 5.1 A1規(guī)范的NAND Flash高端控制芯片，能提供高于前一代產(chǎn)品兩倍的隨機(jī)寫入速度，并強(qiáng)化了控制芯片的硬件及韌體架構(gòu)，而且不僅能相容于目前的Android Marshmallow作業(yè)系統(tǒng)，更能流暢支持最新的Nougat作業(yè)系統(tǒng)，與智能移動設(shè)備的內(nèi)存透過嵌入式擴(kuò)展儲存功能（Adoptable storage function）完美地整合運(yùn)作，讓終端使用者能有更高的存儲器儲存容量可以使用，提升使用者體驗(yàn)。

在技術(shù)發(fā)展上，PS8131支持群聯(lián)電子自主開發(fā)的最新科技StrongECCTM糾錯(cuò)技術(shù)，因此不但具備精簡及低功耗的設(shè)計(jì)特性，更能增加3D NAND Flash的可靠度，且預(yù)計(jì)于今年上半年開始出貨搭載具備東芝（Toshiba）64層TLC的 3D NAND Flash的高容量儲存解決方案。

群聯(lián)指出，PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1規(guī)范（Application Performance Class），具備高性能表現(xiàn)，不但能為Android 7.0/6.0設(shè)備的使用者提供即刻擴(kuò)充內(nèi)部存儲器儲存容量的便利性，更能完美地與移動設(shè)備內(nèi)存整合運(yùn)作，將移動設(shè)備使用者體驗(yàn)提升到全新水準(zhǔn)，以滿足日益增加的高容量移動儲存需求的智能手機(jī)、平板電腦等新一代移動設(shè)備擴(kuò)充存儲器儲存的需求。