群聯(lián)昨日在SD協(xié)會全球技術研討會展示最新3D NAND技術存儲器控制芯片PS8131，搭載東芝64層垂直儲存的3D NAND（BiCS3）技術，相較前一代2D NAND版本的產(chǎn)品，其效能速度快上2倍，已在第一季送樣。

群聯(lián)表示，隨著5G、4K8K等高端規(guī)格數(shù)位串流時代來臨，公司積極進攻高端智能手機、平板電腦等智能移動設備快閃存儲器市場，并提供穩(wěn)定且可靠的擴充型存儲器解決方案，今年推出符合SD最新規(guī)范芯片PS8131，該芯片不僅具備群聯(lián)自主開發(fā)技術，更搭配最新制程3D TLC的 NAND Flash，為市場提供高速且符合經(jīng)濟效益的完整解決方案。

在效能表現(xiàn)上，PS8131延續(xù)前一代的MaxIOPS系列技術，為具備SD 5.1 A1規(guī)范的NAND Flash高端控制芯片，能提供高于前一代產(chǎn)品2倍的隨機寫入速度，從500 IOPS提升至1300 IOPS。

在技術發(fā)展上，PS8131支持群聯(lián)電子自主開發(fā)的最新科技StrongECCTM糾錯技術，因此具備精簡及低功耗的設計特性，也能增加3D NAND Flash的可靠度，且預計于今年上半年開始出貨搭載具備東芝(Toshiba)64層垂直儲存的3D NAND(BiCS3)的高容量儲存解決方案。

NAND Flash價格去年起不斷上漲，逐漸影響消費者購買意愿，群聯(lián)董事長潘健成認為，第二季NAND Flash報價可望溫和下修，下半年在一線智能手機出貨帶動下，加上各大存儲器廠商SK海力士、美光及東芝在64層的3D NAND良率將會大幅改善，價格將恢復正常表現(xiàn)，預估下半年64層將成為3D NAND主流，明年進一步演進至96層。