AI熱潮之下，高算力AI芯片需求水漲船高，以英偉達(dá)為代表的AI芯片大廠以及其背后產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)受益。近期，英偉達(dá)發(fā)布最新一代AI芯片，推理性能提升30倍，再次引發(fā)業(yè)界關(guān)注。

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英偉達(dá)市值飆漲
最新一代AI芯片性能大幅提升

北京時間3月19日凌晨，英偉達(dá)宣布推出新一代AI芯片架構(gòu)Blackwell，首款Blackwell芯片命名為GB200，性能與功耗均較上一代產(chǎn)品大幅升級。

圖片來源：英偉達(dá)

據(jù)悉，GB200 NVL機(jī)架規(guī)模系統(tǒng)配備了36顆Grace Blackwell超級芯片，與芯片數(shù)量相同的H100 Tensor Core圖形處理器相比，其推理性能最高可以提升30倍，功耗則降低至1/25。

英偉達(dá)CEO黃仁勛對外表示，預(yù)計(jì)亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)、戴爾、谷歌、Meta、微軟、OpenAI、甲骨文、特斯拉等在內(nèi)的企業(yè)將會采用Blackwell。

與此同時，英偉達(dá)車載芯片AI能力也將得到升級，并將繼續(xù)擴(kuò)大與中國車企的合作。

英偉達(dá)集中式車載計(jì)算平臺“NVIDIA DRIVE Thor”將搭載專為Transformer、大語言模型（LLM）和生成式AI工作負(fù)載而打造的全新NVIDIA Blackwell架構(gòu)。包括比亞迪、廣汽埃安、小鵬、理想汽車和極氪等中國車企展示了其基于英偉達(dá)最新技術(shù)的下一代AI車型。

當(dāng)日英偉達(dá)股價小幅上漲0.7%，總市值達(dá)2.21萬億美元。截止美東時間3月19日，英偉達(dá)總市值達(dá)2.23萬億美元。

值得一提的是，AI算力爆發(fā)式增長推動之下，英偉達(dá)股價與市值連連創(chuàng)下新高。

據(jù)媒體報(bào)道，過去12個月內(nèi)，英偉達(dá)股價狂漲240%。去年5月，英偉達(dá)市值突破1萬億美元，業(yè)界統(tǒng)計(jì)英偉達(dá)大約花了24年時間躋身進(jìn)萬億美元俱樂部。而隨后僅僅用了9個月時間，英偉達(dá)市值便從1萬億跨越至2萬億美元。AI芯片火熱態(tài)勢，由此可見一斑。

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AI強(qiáng)勢助力
CoWoS先進(jìn)封裝及HBM持續(xù)受益

當(dāng)然，AI熱潮不僅利好單一的半導(dǎo)體廠商，而且也在持續(xù)推動整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。近年，受高通貨膨脹因素影響，消費(fèi)電子市場需求持續(xù)疲軟，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入下行周期，AI成為這一周期下半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的關(guān)鍵動力，ChatGPT、Sora等大模型驅(qū)動AI芯片需求持續(xù)高漲，英偉達(dá)以及其他廠商的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，與之相關(guān)的代工、CoWoS先進(jìn)封裝以及HBM持續(xù)受益。

過去一年智能手機(jī)需求低迷，而AI芯片發(fā)展強(qiáng)勁，抵消了手機(jī)帶來的影響，為英偉達(dá)等廠商代工的臺積電2023年業(yè)績超出外界預(yù)期，該公司認(rèn)為今年將穩(wěn)健成長。CoWoS方面，為持續(xù)滿足市場需要，臺積電計(jì)劃投資160億美元新建先進(jìn)封裝廠，預(yù)計(jì)有望在下個月開工。此前媒體報(bào)道，臺積電計(jì)劃今年CoWoS產(chǎn)能目標(biāo)為每月35000片晶圓，2025年底再提高至每月44000片。隨著新工廠不斷啟用，臺積電CoWoS產(chǎn)能有望較預(yù)期的要高。

HBM方面，存儲器原廠擴(kuò)產(chǎn)主要集中在HBM3以及HBM3e產(chǎn)品上，HBM3為當(dāng)前市場主流，HBM3e則有望在下半年逐季放量，并逐步成為HBM主流。

三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)，目前三星已開始向客戶提供HBM3e 12H樣品，計(jì)劃于今年上半年量產(chǎn)。SK海力士計(jì)劃在2024年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在HBM等高端存儲產(chǎn)品上，HBM的產(chǎn)能對比去年將增加一倍以上。美光2024財(cái)年資本支出同樣略高于去年的水平，在75億美元至80億美元之間，主要是為了支持HBM3e的產(chǎn)量增長。

TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，預(yù)估截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。

結(jié)語

近期，國際半導(dǎo)體組織SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍對外表示，2023年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭遇周期性下行，全年市場規(guī)模下滑約11%，目前大家預(yù)期2024年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走向復(fù)蘇。SEMI預(yù)測，2024年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長有望超過10%，市場規(guī)模將接近6000億美元。

隨著廠商減產(chǎn)、庫存調(diào)整卓有成效，以及手機(jī)等消費(fèi)電子市場需求逐漸回溫，業(yè)界看好2024年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會復(fù)蘇，邁入上行周期。助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功度過下行周期的AI以及相關(guān)公司們，在上行周期內(nèi)是否將繼續(xù)高歌猛進(jìn)？我們拭目以待。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)