今年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，碳化硅（SiC）頗為火熱。

前不久，英飛凌宣布以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進(jìn)一步加碼碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。

那么國內(nèi)SiC市場又是何種景象？事實(shí)上，今年以來關(guān)于碳化硅相關(guān)消息已越來越多地出現(xiàn)。近期山東天岳碳化硅材料項(xiàng)目在瀏陽高新區(qū)開工，項(xiàng)目總投資30億元，一期主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底、二期主要生產(chǎn)功能器件；時(shí)間再往前，今年9月芯光潤澤國內(nèi)首條碳化硅IPM產(chǎn)線正式投產(chǎn)......

熱度漸起，那么國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀如何？又有哪些廠商在攻關(guān)碳化硅產(chǎn)業(yè)？

國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

碳化硅為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢，在電動(dòng)汽車、電源、軍工、航天等領(lǐng)域備受歡迎，為眾多產(chǎn)業(yè)發(fā)展打開了全新的應(yīng)用可能性，被行業(yè)寄予厚望。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。

在全球市場中，單晶襯底企業(yè)主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日鐵住金、Norstel等，外延片企業(yè)主要有DowCorning、II-VI、Norstel、Cree、羅姆、三菱電機(jī)、Infineon等，器件方面，全球大部分市場份額被Infineon、Cree、羅姆、意法半導(dǎo)體等少數(shù)企業(yè)瓜分。

由于碳化硅產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)如芯片性能與材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝之間的關(guān)聯(lián)性較強(qiáng)，不少企業(yè)仍選擇采用IDM模式，如羅姆和Cree均覆蓋了碳化硅襯底、外延片、器件、模組全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，其中Cree占據(jù)襯底市場約40%份額、器件市場約23%份額。

事實(shí)上，目前整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)尚未進(jìn)入成熟期，但國際廠商已實(shí)現(xiàn)多個(gè)環(huán)節(jié)規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)瓶頸的突破，并已摩拳擦掌、即將掀起一場大戰(zhàn)，而國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段，與國際水平仍存在差距。

如今SiC器件在國內(nèi)光伏逆變器、車載充電器、充電樁等領(lǐng)域雖已開始應(yīng)用，但國內(nèi)市場上大部分碳化硅功率器件依賴進(jìn)口，主要為Cree、Infineon、羅姆等占有。

不過，近年來國內(nèi)已初步建立起相對完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系，包括有IDM廠商中車時(shí)代電氣、世紀(jì)金光、泰科天潤、揚(yáng)杰電子等，單晶襯底企業(yè)山東天岳、天科合達(dá)、同光晶體等，外延片企業(yè)天域半導(dǎo)體、瀚天天成等，部分廠商已取得階段性進(jìn)展。

單晶襯底方面，目前國內(nèi)可實(shí)現(xiàn)4英寸襯底的商業(yè)化生產(chǎn)，山東天岳、天科合達(dá)、同光晶體均已完成6英寸襯底的研發(fā)，中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底。

外延片方面，國內(nèi)瀚天天成和天域半導(dǎo)體均可供應(yīng)4-6英寸外延片，中電科13所、55所亦均有內(nèi)部供應(yīng)的外延片生產(chǎn)部門。

器件方面，國內(nèi)600-3300 V SiC SBD已開始批量應(yīng)用，有企業(yè)研發(fā)出1200V/50A SiC MOSFET；泰科天潤已建成國內(nèi)第一條碳化硅器件生產(chǎn)線，SBD產(chǎn)品覆蓋600V-3300V的電壓范圍；中車時(shí)代電氣的6英寸碳化硅生產(chǎn)線也于今年1月首批芯片試制成功。

模塊方面，國內(nèi)已開發(fā)出1200V/50-400A全SiC功率模塊、600-1200V/100-600A混合SiC功率模塊；今年9月18日，廈門芯光潤澤國內(nèi)首條碳化硅 IPM產(chǎn)線正式投產(chǎn)。

總體而言，國內(nèi)已初步形成了涵蓋各環(huán)節(jié)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，在央地政府政策的支持以及市場需求的驅(qū)動(dòng)下，國內(nèi)企業(yè)正在努力跟跑趕超。

盤點(diǎn)國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)

01單晶襯底

山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司

山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司成立于2010年10月，山東天岳晶體材料公司是其旗下控股公司。山東天岳是山東大學(xué)晶體研究所的產(chǎn)業(yè)化基地，主要從事寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體襯底的研發(fā)與生產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于電力輸送、航空航天、新能源汽車、半導(dǎo)體照明、5G通訊等技術(shù)領(lǐng)域。

截至目前，山東天岳累計(jì)投資15億元建成了碳化硅單晶襯底材料產(chǎn)業(yè)化基地。2017年，山東天岳自主開發(fā)了全新的高純半絕緣襯底材料，目前量產(chǎn)產(chǎn)品以4英寸為主，此外其4H導(dǎo)電型碳化硅襯底材料產(chǎn)品主要有2英寸、3英寸、4英寸及6英寸。山東天岳還獨(dú)立自主開發(fā)了6英寸N型碳化硅襯底材料，現(xiàn)在產(chǎn)品正處于工藝固化階段。

今年5月，山東天岳董事長宗艷民在接受媒體采訪時(shí)表示，山東天岳的碳化硅襯底訂單已接到明年下半年。11月中旬，山東天岳碳化硅材料項(xiàng)目在瀏陽高新區(qū)開工，項(xiàng)目總投資30億元，一期主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底、二期主要生產(chǎn)功能器件。

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，由新疆天富集團(tuán)、中國科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。天科合達(dá)在北京總部擁有一個(gè)研發(fā)中心和一個(gè)集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地，新疆子公司主要進(jìn)行碳化硅晶體生長。

天科合達(dá)在國內(nèi)首次建立了完整的碳化硅晶片生產(chǎn)線、實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化，打破了國外長期的技術(shù)封鎖和壟斷，向國內(nèi)60余家科研機(jī)構(gòu)批量供應(yīng)晶片2~4英寸碳化硅單晶襯底（包括半絕緣體、導(dǎo)電、沿C軸和偏角度等），已形成一條年產(chǎn)量達(dá)7萬片的生產(chǎn)線。今年7月消息顯示，天科合達(dá)6英寸碳化硅晶片正在準(zhǔn)備中，尚未實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

2018年10月19日，天科合達(dá)在徐州經(jīng)開區(qū)投資的碳化硅晶片項(xiàng)目正式簽約。

河北同光晶體有限公司

河北同光晶體有限公司成立于2012年，主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。同光晶體的主要產(chǎn)品包括4英寸和6英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底，其中4英寸襯底已達(dá)到世界先進(jìn)水平，目前已建成完整的碳化硅襯底生產(chǎn)線。

同光晶體先后承擔(dān)了國家863計(jì)劃“大功率GaN電子器件用大尺寸SiC襯底制備及外延技術(shù)研究”課題、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)“中低壓SiC材料、器件及其在電動(dòng)汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”課題，前者已通過驗(yàn)收。

2017年10月，同光晶體聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、河北大學(xué)共同搭建了“第三代半導(dǎo)體材料檢測平臺(tái)”。

中科鋼研節(jié)能科技有限公司

中科鋼研節(jié)能科技有限公司成立于2016年，是由新冶集團(tuán)、國宏華業(yè)投資有限公司和公司骨干員工三方共同出資成立的由央企控股的混改公司。中科節(jié)能與上海大革、國宏華業(yè)及四家地方國企共同組建了“中科節(jié)能碳化硅生長技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”，后來被北京市發(fā)改委批復(fù)為“第三代半導(dǎo)體制備關(guān)鍵共性技術(shù)北京市工程實(shí)驗(yàn)室”，上述單位聯(lián)合研發(fā)的升華法4英寸導(dǎo)電性碳化硅晶體長晶生產(chǎn)過程穩(wěn)定，可獲得高品質(zhì)、大規(guī)格的碳化硅晶體。

2017年5月，中科節(jié)能宣布將聯(lián)合國宏華業(yè)等4-5家已取得共識(shí)的合作單位通過全國布局投資30億人民幣，打造國內(nèi)最大的碳化硅晶體襯底片生產(chǎn)基地，正式啟動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

2017年7月，中科節(jié)能與青島萊西市、國宏中晶簽訂合作協(xié)議，投資建設(shè)碳化硅長晶生產(chǎn)線項(xiàng)目。該項(xiàng)目總投資10億元，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期投資約5億元，預(yù)計(jì)2019年6月建成投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn)5萬片4英寸N型碳化硅晶體襯底片和5千片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片；二期投資約5億元，建成后可年產(chǎn)5萬片6英寸N型碳化硅晶體襯底片和5千片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

02外延片

瀚天天成電子科技（廈門）有限公司

瀚天天成電子科技（廈門）有限公司成立于2011年3月，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術(shù)企業(yè)，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半導(dǎo)體外延晶片生產(chǎn)線，并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求。

官網(wǎng)信息顯示，2012年3月瀚天天成宣布開始接受商業(yè)化碳化硅半導(dǎo)體外延晶片訂單，成為中國第一家提供產(chǎn)業(yè)化3英寸和4英寸碳化硅半導(dǎo)體外延晶片生產(chǎn)商。2014年4月，瀚天天成正式接受商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片訂單，成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。

瀚天天成今年在接受媒體采訪時(shí)表示，目前已著手實(shí)施擴(kuò)大產(chǎn)能的規(guī)劃，預(yù)計(jì)今年年底完成二期廠房的土地建設(shè)，并于明年上半年逐步釋放新產(chǎn)能，預(yù)期實(shí)現(xiàn)十倍產(chǎn)能增長，達(dá)到年產(chǎn)能30萬片。

東莞市天域半導(dǎo)體科技公司

東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司（TYSTC）成立于2009年1月，是我國首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

2010年天域半導(dǎo)體與中國科學(xué)院半導(dǎo)體所合作成立了“碳化硅技術(shù)研究院”，聯(lián)合進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，成為全球成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。

根據(jù)媒體報(bào)道，2012年天域半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)超2萬片3英寸、4英寸碳化硅外延晶片的產(chǎn)業(yè)化能力，目前可提供6英寸碳化硅外延晶片以及各種單極、雙極型SiC功率器件等產(chǎn)品。

03器件/模塊/IDM

中國電子科技集團(tuán)有限公司

中國電子科技集團(tuán)有限公司是在原信息產(chǎn)業(yè)部直屬的46家電子科研院所及26家全資或控股公司基礎(chǔ)上組建而成，于2002年3月正式掛牌運(yùn)營，主要從事國家重要軍民用大型電子信息系統(tǒng)的工程建設(shè)，以及重大電子裝備、軟件、基礎(chǔ)元器件、功能材料的研制、生產(chǎn)及保障服務(wù)。

中電科旗下2所、13所、55所等均在碳化硅產(chǎn)業(yè)有相關(guān)布局。其中，中電科2所已實(shí)現(xiàn)高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)，官網(wǎng)顯示其產(chǎn)品有N型4H-SiC襯底材料、高純4H-SiC襯底材料；中電科55所是國內(nèi)少數(shù)從4-6寸碳化硅外延生長、芯片設(shè)計(jì)與制造、模塊封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)單位，其6英寸碳化硅中試線已投入運(yùn)行，旗下的控股子公司揚(yáng)州國揚(yáng)電子為“寬禁帶電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”的重要實(shí)體單位，專業(yè)從事以碳化硅為代表的新型半導(dǎo)體功率模塊的研制和批產(chǎn)，現(xiàn)有一條于2017年投產(chǎn)、產(chǎn)能50萬只/年的模塊工藝線。

2018年9月，中電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目奠基，該產(chǎn)業(yè)園占地1000余畝，投資50億元，其中包括中國電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地，表示將通過吸引上游企業(yè)、形成產(chǎn)業(yè)聚集效應(yīng)，打造電子裝備制造、三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地。

此外，中電科48所成功研制出適用于4-6英寸碳化硅材料及器件制造的高溫高能離子注入機(jī)、單晶生長爐、外延生長爐等關(guān)鍵裝備并實(shí)現(xiàn)初步應(yīng)用，并于今年5月通過科技部驗(yàn)收。

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè)，其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年。

2011年，中車時(shí)代電氣與中科院微電子所成立聯(lián)合研發(fā)中心，正式開展碳化硅功率半導(dǎo)體器件研究；2013年后，陸續(xù)獲得國家科技重大專項(xiàng)“02專項(xiàng)”等多項(xiàng)國家重點(diǎn)項(xiàng)目支持；2016年該公司自主研發(fā)的碳化硅功率模塊在軌道交通、光伏逆變器成功進(jìn)行示范應(yīng)用。

2017年12月，中車時(shí)代電氣總投資3.5億元人民幣的6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)基地技術(shù)調(diào)試成功，2018年1月首批芯片試制成功。這是國內(nèi)首條6英寸碳化硅生產(chǎn)線，獲得了國家“02專項(xiàng) ”、國家發(fā)改委新材料專項(xiàng)等國家重點(diǎn)項(xiàng)目支持，是中車時(shí)代電氣的重點(diǎn)投資項(xiàng)目之一，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管和MOSFET芯片工藝流程整合，成功試制1200V碳化硅肖特基二極管功率芯片。

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年12月，前身為始建于1970年的中原半導(dǎo)體研究所（國營542廠），主要產(chǎn)品包括碳化硅高純粉料、碳化硅單晶片、碳化硅同質(zhì)外延片、氮化鎵基外延片、石墨烯、碳化硅SBD器件、碳化硅MOSFET器件、碳化硅功率模塊、IGBT模塊等，集半導(dǎo)體單晶材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售于一體的，貫通了第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。

世紀(jì)金光于2015年第一款碳化硅SBD研制成功，開始碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈工業(yè)生產(chǎn)線建設(shè)；2016年第一款碳化硅 MOSFET器件研發(fā)成功；2018年2月1日，世紀(jì)金光6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線成功通線，我國首次實(shí)現(xiàn)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通。

泰科天潤半導(dǎo)體科技公司

泰科天潤成立于2012年，致力于碳化硅功率器件的自主研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用解決方案，目前在北京已建成國內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在碳化硅外延上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。

泰科天潤的基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，產(chǎn)品包含各種封裝形式的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和碳化硅模塊等，其中600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已投入批量生產(chǎn)。

此外，泰科天潤還研制成功1200V碳化硅MOSFET功率器件，掌握了碳化硅MOSFET器件的設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝和制造等全套技術(shù)，成為國際上少數(shù)幾個(gè)能提供碳化硅MOSFET器件的公司之一。

廈門芯光潤澤科技有限公司

廈門芯光潤澤科技有限公司成立于2016年3月，是專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件與模塊研發(fā)制造產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的高新科技型企業(yè)。據(jù)悉，芯光潤澤在2012年就通過引進(jìn)海內(nèi)外頂尖行業(yè)專家，組建碳化硅芯片科研技術(shù)團(tuán)隊(duì)，并在第三代半導(dǎo)體方面與西交大、西電等院校成立聯(lián)合研發(fā)中心。

2016年12月，芯光潤澤第三代半導(dǎo)體碳化硅功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開工建設(shè)，2018年9月18日，芯光潤澤國內(nèi)首條碳化硅IPM產(chǎn)線正式投產(chǎn)。近期消息顯示，目前該生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月生產(chǎn)規(guī)?？蛇_(dá)30萬、每年可達(dá)360萬顆。

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年，致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

2015年3月，揚(yáng)杰科技與西安電子科技大學(xué)簽約開展第三代半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究工作；2015年4月，揚(yáng)杰科技通過增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓方式取得國宇電子38.87%股權(quán)，與中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所在碳化硅芯片和模塊產(chǎn)品方面建立緊密合作關(guān)系。2015年7月，揚(yáng)杰科技募資1.5億元用于碳化硅芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。

今年年中，揚(yáng)杰科技表示碳化硅項(xiàng)目正處于封裝與流片的技術(shù)積累階段，為建線進(jìn)行前期的研發(fā)準(zhǔn)備。

上海瞻芯電子科技有限公司

上海瞻芯電子科技有限公司成立于2017年7月，是一家無晶圓廠（Fabless）半導(dǎo)體初創(chuàng)公司，致力于開發(fā)以新型功率器件為核心的高性價(jià)比功率集成電路和應(yīng)用模塊產(chǎn)品，為電源和電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小型化、高效化和輕量化提供完整的半導(dǎo)體解決方案。

2018年5月，上海瞻芯電子稱其制造的第一片國產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET晶圓正式面世。據(jù)介紹，上海瞻芯電子于2017年10月上旬完成工藝流程、器件和版圖設(shè)計(jì)，在10月至12月間完成初步工藝試驗(yàn)，并且從2017年12月開始正式流片，2018年5月成功地在一條成熟量產(chǎn)的6英寸工藝生產(chǎn)線上完成碳化硅MOSFET的制造流程。晶圓級(jí)測試結(jié)果表明，各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)達(dá)到預(yù)期，為進(jìn)一步完成工藝和器件設(shè)計(jì)的優(yōu)化奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司

全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司前身為國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院，是國家電網(wǎng)公司直屬科研單位，國內(nèi)首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備開發(fā)的高端研發(fā)機(jī)構(gòu)。

全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司搭建了國內(nèi)首個(gè)高壓大功率碳化硅電力電子器件平臺(tái)，與科研院所聯(lián)合開展了從材料到器件的協(xié)同開發(fā)，在高溫離子注入、高溫氧化退火等關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)水平處于世界先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)了從材料到功率器件研發(fā)到電力電子裝備應(yīng)用的協(xié)同發(fā)展。

今年4月，由全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司承擔(dān)的“高壓大功率碳化硅電力電子器件平臺(tái)工藝開發(fā)與器件研制”項(xiàng)目通過北京市科委組織的專家組驗(yàn)收。

深圳基本半導(dǎo)體有限公司

深圳基本半導(dǎo)體有限公司由深圳青銅科技股份有限公司與瑞典國家科技研究院旗下Ascatron AB合資設(shè)立，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位，并與深圳清華大學(xué)研究院共建“第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心”。

基本半導(dǎo)體官方消息顯示，其對碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等各方面進(jìn)行研發(fā)，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，并擁有獨(dú)創(chuàng)的3D SiC™外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。

基于3D SiC™技術(shù)，基本半導(dǎo)體今年已推出自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二極管（SiC JBS），其生產(chǎn)的碳化硅外延片低摻雜層厚度可高達(dá)250μm，具有極低的缺陷密度和高均勻性，可生產(chǎn)3.3千伏以上的高壓器件和1萬伏以上的超高壓器件。

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