雖然，目前處理器大廠英特爾（intel）的主力制程為14納米。不過，日前公布以10納米制程，Cannonlake架構(gòu)生產(chǎn)的Core i3-8121處理器目前已經(jīng)上市，而且還搭載在聯(lián)想Ideapad 330的筆記型電腦上。因此，既然有了產(chǎn)品，就有媒體開始以此來研究英特爾10納米制程的狀況。根據(jù)目前實(shí)測(cè)的結(jié)果了解，英特爾的10納米制程中，電晶體密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14納米制程的2.7倍。而且，在處理器中，英特爾首次使用了貴金屬釕，增加起導(dǎo)電特性。

根據(jù)外國科技媒體《Techinsights》在日前以聯(lián)想Ideapad 330中的Core i3-8121處理器進(jìn)行的測(cè)試分析，雖然詳細(xì)報(bào)告還沒有發(fā)布，但是就是先公布的幾項(xiàng)數(shù)據(jù)來看，英特爾的10納米制程，邏輯電晶體密度達(dá)到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1億個(gè)電晶體，電晶體密度是14納米制程的2.7倍多的水準(zhǔn)。

另外，10納米FinFET制程使用的是第3代FinFET電晶體制程技術(shù)，其最小柵極距（gate pitch）從之前的70納米，縮小到了54納米。而最小金屬間距（metal pitch）也從之前的52納米，縮小到了36納米。以這樣的技術(shù)層級(jí)下，與現(xiàn)有10納米制程，以及即將問世的7納米制程相比，英特爾10納米制程具有最好的間距縮小技術(shù)。另外，因?yàn)橛⑻貭柕?0納米制程在后端制程的BEOL中，首次聯(lián)合使用金屬銅及貴金屬釕，使得其導(dǎo)電性能提升。而且在contact及BEOL端也使用了自對(duì)齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）。

關(guān)于英特爾的10納米制程優(yōu)勢(shì)，英特爾執(zhí)行長科在奇日前表示，英特爾的10納米制程為什么難產(chǎn)的問題，一大原因，就是他們對(duì)10納米制程指標(biāo)定的太高了。例如10納米制程在100MTr/mm2的電晶體密度上，實(shí)際上跟臺(tái)積電、三星的7納米制程差不多，這是較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手優(yōu)秀之處。但是，因?yàn)榕錾狭肆悸实膯栴}時(shí)，隊(duì)會(huì)讓英特爾的10納米制程發(fā)展屢屢難產(chǎn)，也讓最后量產(chǎn)時(shí)間要比臺(tái)積電與三星兩家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)受落后兩年多。

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