國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）昨（28）日公布2月份北美半導(dǎo)體設(shè)備商出貨金額達(dá)24.114億美元，較1月份成長(zhǎng)1.7%，較去年同期成長(zhǎng)22.2%，仍連續(xù)12個(gè)月守穩(wěn)在20億美元以上，并改寫2000年12月以來(lái)、逾17年的單月新高紀(jì)錄，顯示半導(dǎo)體廠的設(shè)備投資持續(xù)加溫。

■ 今年全球設(shè)備銷售估又創(chuàng)高

SEMI中國(guó)臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，持續(xù)樂觀看待今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的景氣，2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出，可望出現(xiàn)自1990年代以來(lái)首次連續(xù)4年成長(zhǎng)。

而根據(jù)SEMI發(fā)布的2017年終預(yù)測(cè)報(bào)告，2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額較2016年大幅成長(zhǎng)35.6%、來(lái)到559.3億美元規(guī)模并創(chuàng)歷史新高。2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額預(yù)期將持續(xù)成長(zhǎng)7.5%達(dá)到601億美元，再創(chuàng)歷史新高。

■資本支出概念股營(yíng)運(yùn)看旺

法人表示，上半年進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備支出旺季，2月出貨金額創(chuàng)下逾17年來(lái)新高，包括無(wú)塵室工程設(shè)備廠漢唐及亞翔、晶圓傳載供應(yīng)商家登、設(shè)備代工廠京鼎及帆宣、半導(dǎo)體檢測(cè)廠閎康及宜特等半導(dǎo)體資本支出概念股，今年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)將優(yōu)于去年。

以今年半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)情況來(lái)看，存儲(chǔ)器制程微縮及升級(jí)、晶圓代工廠布建極紫外光（EUV）產(chǎn)能，是推升北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額快速拉高的主因。以存儲(chǔ)器廠的投資來(lái)看，今年投資重點(diǎn)集中在3D NAND的制程與產(chǎn)能轉(zhuǎn)換，包括48層及64層3D NAND擴(kuò)產(chǎn)等。在DRAM投資部份，擴(kuò)建新廠計(jì)劃仍不明確，設(shè)備投資以20納米制程微縮至1x/1y納米為主。

■臺(tái)積電、三星EUV設(shè)備大投資

在晶圓代工廠的投資部份，今年的投資重點(diǎn)之一在于將10納米產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至7納米產(chǎn)能，投資重點(diǎn)之二則是開始建置EUV生產(chǎn)鏈。臺(tái)積電、三星等業(yè)者將在明年開始提供部份光罩層導(dǎo)入EUV制程的7納米晶圓代工服務(wù)，今年將是EUV設(shè)備大投資的一年。

■大陸設(shè)備采購(gòu)也明顯沖高

此外，大陸今年對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備的采購(gòu)也將明顯沖高，2017年完工的晶圓廠廠房，將在2018年進(jìn)入設(shè)備裝機(jī)階段。不同于過(guò)去大陸的晶圓廠投資有逾6成來(lái)自外廠，今年大陸本土業(yè)者的晶圓廠設(shè)備支出金額，將首次趕上外來(lái)廠商水準(zhǔn)達(dá)約58億美元，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長(zhǎng)鑫等已大舉投資設(shè)廠，而外來(lái)廠商預(yù)計(jì)將投資67億美元。

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