不久前，中芯國(guó)際宣布公司聯(lián)手兩大政府基金，共同投資102.4億美元以加快14nm技術(shù)發(fā)展，中國(guó)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(俗稱(chēng)大基金)、上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金將入股其子公司中芯南方。

中芯南方主營(yíng)集成電路芯片制造、針測(cè)和凸塊制造等業(yè)務(wù)，為中芯國(guó)際發(fā)展14nm及以下先進(jìn)制程的12英寸晶圓廠。獲得資本支持的中芯南方，預(yù)期將專(zhuān)注研發(fā)14nm及以下制程技術(shù)，并擴(kuò)大產(chǎn)能，目標(biāo)產(chǎn)能為每月3.5萬(wàn)片晶圓。

先鞏固28nm HKMG制程良率，再投入14nm較為妥當(dāng)

28nm晶體管閘極架構(gòu)分成兩種，一是Poly/SiON架構(gòu)，但其閘極氧化層太薄因此有漏電流缺點(diǎn)，應(yīng)用于較低階市場(chǎng)；另一種是HKMG架構(gòu)，此架構(gòu)比Poly/SiON能耗低30%左右，不僅漏電流問(wèn)題改善，且可做出更小的晶體管，因此下世代制程基本上是以此結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良。

目前中芯最先進(jìn)的28nm制程是Poly/SiON架構(gòu)，簡(jiǎn)言之，中芯要進(jìn)展至14nm，在研發(fā)端必須先克服28nm HKMG挑戰(zhàn)，缺乏28nm HKMG開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)直接挑戰(zhàn)14nm并不太現(xiàn)實(shí)。

因此將研發(fā)能量集中在開(kāi)發(fā)相對(duì)于14nm難度較低的28nm HKMG，并以此基礎(chǔ)再接續(xù)14nm研發(fā)，以減少研發(fā)過(guò)程中不必要的時(shí)間浪費(fèi)是較為妥當(dāng)方式。

著力于培養(yǎng)制程經(jīng)驗(yàn)豐富的基層團(tuán)隊(duì)最有助于良率穩(wěn)定

現(xiàn)階段中芯28nm良率尚未穩(wěn)定，表示在既有制程的管理上仍有些問(wèn)題尚未克服，畢竟先進(jìn)制程是站在既有制程的基礎(chǔ)上才得以穩(wěn)定發(fā)展，而制程優(yōu)化是一連串問(wèn)題發(fā)現(xiàn)及流程改善反覆不斷交替的過(guò)程，非常需要經(jīng)驗(yàn)累積。

如果以缺乏28nm HKMG制程經(jīng)驗(yàn)的狀態(tài)挺進(jìn)14nm，在遭遇良率不佳或良率不穩(wěn)的情形時(shí)，將造成工程人員在維持良率穩(wěn)定時(shí)不易分辨問(wèn)題的真正來(lái)源，使得復(fù)雜的除錯(cuò)過(guò)程影響經(jīng)驗(yàn)的累積速度。

以臺(tái)積電為例，臺(tái)積電在先進(jìn)制程的良率表現(xiàn)優(yōu)異主要來(lái)自長(zhǎng)期累積的制程經(jīng)驗(yàn)，以此經(jīng)驗(yàn)規(guī)劃嚴(yán)格的管理機(jī)制及流程，更重要的是培養(yǎng)出經(jīng)驗(yàn)豐富的基層員工團(tuán)隊(duì)，此管理經(jīng)驗(yàn)是相當(dāng)值得中芯借鑒的。

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