據(jù)傳臺積電微縮制程進度大幅超前三星，高通變心，決定把7納米芯片訂單轉(zhuǎn)給臺積電。

韓媒etnews報導(dǎo)，三星替高通代工驍龍820、830系列芯片。不過業(yè)界消息透露，未來高通將轉(zhuǎn)單臺積電，生產(chǎn)7納米的次世代驍龍?zhí)幚砥鳌?jù)了解，臺積電今年9月將試產(chǎn)7納米驍龍芯片，預(yù)定今年底到明年初之間量產(chǎn)。據(jù)稱三星掉單原因是，去年下半年臺積電就提供客戶7納米的制程設(shè)計套件(Process Design Kit, PDK)，三星電子遠遠落后，要到今年七月才能發(fā)布7納米PDK的beta測試版本。

報導(dǎo)稱，臺積電眼光精準，跳過10納米、直攻7納米制程。三星電子則停留10納米，近來才推出比10納米略為升級的8納米制程。從三星自家Exynos處理器生產(chǎn)進度也可發(fā)現(xiàn)，三星7納米腳步遲緩。明年初量產(chǎn)的次世代Exynos芯片，將采8納米，7納米Exynos芯片要到明年下半年才會量產(chǎn)。

臺積電不只制程研發(fā)腳步快，另一優(yōu)勢是掌握先進封裝技術(shù)--“扇出型晶圓級封裝”(Fan-Out Wafer Level Package，F(xiàn)oWLP)。三星在這方面也落后臺積電，盡管全力研發(fā)比FoWLP更進步的“扇出型面板級封裝”(Fan-out Panel Level Package、FoPLP)，但估計仍需一兩年時間才能采用。

之前外媒也有謠傳，高通次世代驍龍845芯片訂單，或許不再由三星吃下。

AndroidHeadlines 5月報導(dǎo)，據(jù)了解高通次世代芯片驍龍845進入研發(fā)，預(yù)定2018年初問世，首發(fā)機種是三星電子的Galaxy S9；一如今年上市的驍龍835，首發(fā)機種為Galaxy S8。目前驍龍835訂單由三星電子一家通吃。

消息稱，驍龍835采用10納米制程，明年的驍龍845將晉級至7納米制程，和前代相比，效能將提升25~35%。三星電子和臺積電都努力爭取訂單，目前臺積電7納米制程已進入試產(chǎn)。

據(jù)稱，除了高通之外，聯(lián)發(fā)科、華為、Nvidia也都有意改用7納米制程。

另外，外傳三星封測技術(shù)不如人，10納米以下封裝制程打算外包。

韓媒etnews 6月8日報導(dǎo)，業(yè)界消息透露，最近三星系統(tǒng)LSI部門找上美國和大陸的OSAT(委外半導(dǎo)體封裝測試業(yè)者)，請他們開發(fā)7、8納米的封裝技術(shù)。據(jù)傳美廠手上高通訂單忙不完，未立即回覆。陸廠則表達了接單意愿。

倘若三星真的把封測制程外包，將是該公司開始生產(chǎn)Exynos芯片以來首例。三星仍在考慮要自行研發(fā)或外包，預(yù)料在本月或下個月做出最后決定。

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