DRAM現(xiàn)貨市場交投清淡，一月下旬合約價可望持平

上周現(xiàn)貨市場交投相當清淡，DDR2 1Gb eTT小幅下滑至0.97美元，跌幅約4%左右，DDR2 667Mhz 1Gb維持平盤約落在0.85美元左右，由整體市場面來分析，由于中國市場補貨潮已經(jīng)進入尾聲，整體交易量不多，加上中國新年將近，現(xiàn)貨市場交易量的提升仍需靜待年后的表現(xiàn)。而在合約市場方面，隨著一月上旬合約價的持平，DDR2 667Mhz 1GB與2GB均價約8美元與16美元，亦中止連續(xù)七個月下跌的走勢，近日更傳出某韓系大廠有意加入減產(chǎn)的行列達10%-20%左右，合約價格筑底態(tài)勢形成，一月合約價可望持平，二、三月醞釀真正的反彈契機。

DDR3邁入主流規(guī)格將可能遞延至2010年

對于DRAM產(chǎn)業(yè)來說，2008年絕對是慘淡經(jīng)營的一年，整體市況的供過于求與下半年的金融風暴吹襲之下，不光DDR2 1Gb eTT顆粒價格從高點的2.15美元曾經(jīng)下滑至0.59美元，跌幅達73%，DDR3顆粒價格也因DDR2顆粒價格嚴重下滑而受到牽連，光第四季DDR3 1066Mhz 1GB合約價就從10月的13美元下滑至12月的8美元，跌幅將近40%，12月時更等同DDR2 667Mhz 1GB合約價，就產(chǎn)品的世代交代來看絕不常見，也凸顯了整體DRAM市場面臨的嚴峻考驗。

就規(guī)格面來分析，與DDR2相比，DDR3擁有高頻率與低電壓的優(yōu)點，可惜DDR3的推展卻屢遭困難，從DRAM市場的供過于求到全球市場的不景氣，讓DDR3邁入主流的時程一直延后，所以集邦科技根據(jù)當前DDR3的市場與未來進展逐步分析。

1. 從供給面來分析，隨著DRAM廠樽節(jié)成本之際也將大砍2009資本支出，根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，今年全球DRAM產(chǎn)業(yè)支出預估約70億美元左右，比2008年的135億美元減少將近50%，也意味著各DRAM廠將無余力大筆購入新機臺用于擴張DDR3產(chǎn)能，資本支出僅將用于顆粒的微縮制程與持續(xù)生產(chǎn)DDR2顆粒，集邦預估今年年底DDR3市占率可達28%，DDR2約50%；整年平均DDR3顆粒市占率約17%，而DDR2顆粒仍有60%左右的市占率。

2. 而從需求面來分析，隨著大環(huán)境的不景氣，今年全球除了輕省筆電（Netbook）仍有機會大幅成長超過100%外，主機板（MB）與筆記型計算機（NB）預估皆為負成長17%與2%左右，但全球輕省筆電當?shù)赖耐瑫r，不光削弱了整體PC市場內(nèi)存的搭載量，無形中也阻礙了DDR3顆粒邁入主流之路。（注一）

3. 零售市場方面，雖然12月DDR3的合約價等同DDR2的價格，但此價格畢竟是DRAM廠提供給PC OEM廠的合約價格，以零售市場1GB內(nèi)存模塊為例，DDR3內(nèi)存模塊價格約落在20-25美元左右，仍是高出DDR2內(nèi)存模塊價格10-15美元許多，加上主機板廠商都將支持DDR3主機板的價格定位在200-300美元左右，也遠比主流DDR2主機板價位70-100美元為高，零售市場出貨量方面，模塊廠表示由于需求不佳，現(xiàn)今DDR3模塊的出貨量仍不到整體出貨量的1%，更讓DDR3擴展市場不易。

4. 而在芯片組方面，隨著英特爾（Intel）X58系列市場銷售不如預期，原本于2009年中開始對于中高階市場不推出支持DDR2的計劃也將可能延后，加上DRAM廠間DDR3轉(zhuǎn)進速度不如當初所預期，DDR2顆粒將還是今年的市場主流，而DDR3顆粒邁入主流規(guī)格將可能遞延至2010年。（注二）

注一：輕省筆電（Netbook）因為硬件限制關系內(nèi)存僅能搭載至DDR2 533Mhz 2GB。

注二：Intel X58系列是支持Intel新CPU i7的芯片組，僅支持DDR3內(nèi)存。

供給成長減速及2H09需求回溫將有助NAND Flash價格止穩(wěn)回升

在全球金融風暴的陰影籠罩下，使得2H08傳統(tǒng)電子業(yè)旺季備貨需求已不如往年的成長幅度， NAND Flash價格在旺季需求不如預期及下游客戶去化庫存的雙重影響下，3Q08及4Q08價格均下滑約30% QoQ以上，多數(shù)NAND Flash供貨商在3Q08已出現(xiàn)虧損的的情況，2008年9月Hynix 首先宣布將淘汰部份200mm 廠的NAND Flash產(chǎn)量，4Q08隨著市場對2009年全球景氣預期更趨保守，IM Flash也在2008年10月宣布其200mm 廠房將停止生產(chǎn)NAND Flash，同時也把新的300mm NAND Flash廠房的投產(chǎn)時程由4Q09延后到1Q10，由于一些下游電子領導廠商也開始陸續(xù)下修2009年的電子產(chǎn)品出貨量預期，2008年12月時Toshiba/Sandisk陣營也宣布將自 2009年1月減產(chǎn)約30% MoM的NAND Flash產(chǎn)量，同時 Samsung 2009年也將會按原定計劃繼續(xù)逐漸淘汰200mm 廠的NAND Flash產(chǎn)量，預估1Q09晶圓總產(chǎn)量將比4Q08減少約10% QoQ左右。

在全球經(jīng)濟不景氣及金融市場籌資難度增高的低迷氛圍下，NAND Flash廠商對2009年的供給策略多是采用淘汰成本競爭優(yōu)勢較差的200mm廠房設備，暫緩擴充300mm廠房的產(chǎn)能，而以提升現(xiàn)有300mm廠房的制程技術(shù)來增加位產(chǎn)出量，以達到降低資本支出及減緩位產(chǎn)出成長速度的雙重目的，因此我們預估4Q08及1Q09 NAND Flash 200mm晶圓產(chǎn)能將分別減少約20% QoQ，預期1Q09時200mm晶圓產(chǎn)量將降到NAND Flash總晶圓產(chǎn)量的20%以下，也使得8Gb MLC 以下的低容量NAND Flash顆粒在1Q09的產(chǎn)出量將明顯的減少，同時隨著4xnm將在2Q09成為 300mm廠房的主流制程技術(shù)后，16Gb MLC以上的高容量產(chǎn)出比重也將持續(xù)增加，隨著微縮制程難度的增加，預期3xnm制程技術(shù)要到4Q09時生產(chǎn)比重才會有明顯的提升，由于2009年總體環(huán)境不確定因素仍多，所以NAND Flash市場的能見度也不高，因此多數(shù)NAND Flash供貨商原則上將會以整體市場需求的成長幅度為參考區(qū)間，而來調(diào)整各自的產(chǎn)出成長目標，同時對2H09的產(chǎn)能規(guī)劃也將視市場需求的復元情況而定，我們預估NAND Flash位元供給成長率將由2008年的132.1% yoy減緩到2009年的65.4% yoy。

雖然2009年多數(shù)NAND Flash終端的應用產(chǎn)品出貨量將比2008年小幅衰退，且新的殺手級應用產(chǎn)品SSD的市場仍小，但在2008年NAND Flash價格累計降幅頗大的情況下，將使2009年NAND Flash在各種應用產(chǎn)品的搭配容量持續(xù)的提升，因此預估NAND Flash位元需求成長率將由2008年的120% yoy減緩到2009年的77.5% yoy，1H09在淡季效應及全球不景氣的雙重沖擊下，雖然供貨商已在4Q08提前做了一些減產(chǎn)及歲修的措施來因應，但在需求及供給同時減少的狀況下，集邦預期1H09 時NAND Flash市場仍將呈現(xiàn)供過于求的情況，因此農(nóng)歷年前急速反彈的合約價格 , 在 1Q09 的支撐及續(xù)航力道,仍需視后續(xù)市場需求回溫的程度而定，2H09由于2H08的市場需求比較基期低，因此預期2H09 NAND Flash相關產(chǎn)品市場的改善狀況將會比1H09來得好，若屆時供貨商能夠節(jié)制產(chǎn)能的擴充速度，預期價格可望隨著2H09 NAND Flash市場的供需轉(zhuǎn)趨平衡或小缺的情況下，在2H旺季需求的帶動下逐步回升。

1月下旬NAND Flash合約價簡評

1月下旬NAND Flash合約價持續(xù)地反彈，主要反應近期供貨商減產(chǎn)效應的持續(xù)發(fā)酵及客戶在中國農(nóng)歷年前的補貨需求回溫，為因應中國農(nóng)歷年前的客戶鋪貨作業(yè)，多數(shù)廠商也提前開出1月下旬的NAND Flash合約價，雖然目前市場對低容量NAND Flash的需求已在遞減，但在近期NAND Flash供貨商宣布4Q08及1Q09將陸續(xù)淘汰約20% QoQ 200mm NAND Flash晶圓產(chǎn)量消息的激勵下，8Gb MLC & 4Gb MLC的平均合約價上漲幅度分別達到26-30%，此次的減產(chǎn)在8吋的比例最高，造成4Gb & 8Gb MLC的NAND Flash供應量大減，所以價格的漲價幅度最大。 

此外，在1月客戶庫存已降低到正常水位后，1月中旬也開始回補農(nóng)歷年的所需庫存，再加上先前Toshiba/SanDisk陣營宣布1月減產(chǎn)30% MoM 300mm NAND Flash產(chǎn)量消息的預期心理下，其它高容量MLC產(chǎn)品的平均合約價上漲約在 5 -15%，至于市場需求量已經(jīng)降低的SLC產(chǎn)品，此次合約價則大致呈現(xiàn)小幅上漲的情況。

自4Q08以來NAND Flash廠商陸續(xù)宣布的一些減產(chǎn)或歲修措施，預計將使1Q09的NAND Flash晶圓產(chǎn)量減少約10% QoQ，因此也激勵了低迷的NAND Flash市場，而在12月下旬開始出現(xiàn)了止跌反彈的情況，雖然1Q09供給及需求都將同時減少，使得1Q09 NAND Flash市場仍將處于淡季供過于求的狀況，但農(nóng)歷年前在減產(chǎn)效應及客戶庫存水位較低的情況下，預期短期內(nèi)價格仍可望呈現(xiàn)持穩(wěn)的狀況，由于目前市場對1Q09傳統(tǒng)淡季的需求仍傾向保守，因此1月后的NAND Flash價格的后續(xù)支撐力道，仍將視整體市場需求的回溫程度而定。

Netbook對NB價格破壞力道遠大于市占率

2008年PC最熱門產(chǎn)品之Netbook，年出貨達一千萬臺，其規(guī)模占NB雖然未超過10%，但對NB市值跌幅以及低價化的影響，遠超過其市占率之力量。

從Intel一月中旬公布的營收來看，2008年第4季營收為82億美元，營業(yè)利益為15億元，凈利益為2.34億美元。較上季比凈利銳減90%、營收則降 23%，整體營收反映了2008年底旺季需求急速萎縮。

而從各別產(chǎn)品營收變化，MG（Mobility Group）凈營收較上季跌幅達25.2%，遠高于DEG（Digital Enterprise Group）15.4%之跌幅。但PC市場2008年第四季表現(xiàn)，桌上型計算機出貨量季跌幅達 14%，NB仍有小幅正成長。在Intel 市占率高達八成、九成的情況下，其DEG 量價跌幅相當接近（暫不考慮server的狀況），然MG卻呈現(xiàn)量價背離，可以推論Mobile之CPU和芯片組之產(chǎn)品跌價超乎預期或說低價產(chǎn)品占出貨比重大幅提高。

另依Intel公告4Q08 Atom 處理器和芯片組營收成長50%，達3億美元，如果將Atom平臺的產(chǎn)品以其對等規(guī)格之主流NB Celeron 585 CPU換算，其價差約兩倍，那么MG第四季營收仍較3Q下跌近20%，可以說明MG低價產(chǎn)品比重提高之事實。究其可能原因：一是旺季需求疲軟，PC業(yè)者以低階產(chǎn)品為銷售主力。第二，超低價Netbook將消費者對NB價格的認知低價化，由900美元變成600美元甚至更低；而后者的存在更是讓PC業(yè)者不得不以低價產(chǎn)品，才能與之競爭，因而大幅拉低Intel MG之營收表現(xiàn)。

展望2009，在買氣緊縮情況下，Netbook仍大行其道，從各家PC業(yè)者在CES展出之產(chǎn)品即可略之一二，預估占NB比重將一舉提高至17%，為NB帶來成長性，但對NB價格的破壞，將是業(yè)者更難以處理的問題，即使未來Intel縮減Atom供貨，但NB價格卻是難以回頭。