現(xiàn)貨行情筑底并持續(xù)走揚；2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出預估削減40%-50%

現(xiàn)貨市場方面DDR2 1G eTT自十二月中開始起漲，顆粒價格從低點的0.59美元上漲至今0.91美元，漲幅將近55%，DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多讓，價格也從0.58美元上漲至0.77美元，漲幅約33%，由市場面來觀察，雖然近期適逢圣誕假期與新年關系，歐美市場陸續(xù)休兵，雖僅剩亞洲市場獨撐大局，并未出現(xiàn)大幅下跌的走向，整體現(xiàn)貨顆粒價格仍持續(xù)走穩(wěn)上揚。再者，以現(xiàn)貨市場為主的臺系DRAM繼續(xù)控制出貨量的方針依然不變，原因在于以目前的顆粒價格來說，仍未達到廠商的1.3-1.5美元的現(xiàn)金成本，為了保有現(xiàn)金與價格水位，出貨量的控制將有再繼續(xù)的必要性。由減產(chǎn)方面來觀察，自力晶九月宣布減產(chǎn)后，爾必達、茂德、南科與華亞科陸續(xù)跟進，全球DRAM廠合計減產(chǎn)近20%，其中又以臺系DRAM廠減產(chǎn)幅度最高達29%，加上臺系DRAM廠有較高比例的顆粒供給現(xiàn)貨市場，現(xiàn)貨供給已銳減了36%，比合約市場供給減少19%幅度更為驚人，待歐美市場歸隊后及中國新年補貨潮雙重影響下，對現(xiàn)貨市場后市的發(fā)展絕對有正面的幫助。

而在合約市場方面，隨著現(xiàn)貨市場顆粒價格持續(xù)走揚趨穩(wěn)，DRAM廠間希望藉此抑住持續(xù)走跌的合約價格，但適逢第一季為PC產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季加上全球金融風暴影響，眾多PC OEM廠已經(jīng)下修出貨目標，甚至筆記型計算機市場不排除由原先2008年超過20%的高成長率轉變?yōu)樨摮砷L，更增添一月上旬合約價議定時的不確定性，目前，在現(xiàn)貨價上漲動能帶動下，數(shù)家DRAM廠均表示意圖調漲一月上旬的合約價至少0.5美元，由7.5美元到8美元，約6-7%，正積極與PC OEM買方談判中。

隨著邁入2009年，各家DRAM廠資本支出的部份也將于第一季陸續(xù)公布，雖然2008年第四季的財報尚未公布，但面對著全球DRAM產(chǎn)業(yè)2008年一到三季將近80億美元的虧損，資本支出的削減勢必無可避免，預估全球資本支出將削減40%-50%。臺系廠方面，力晶與瑞晶將50nm制程計劃遞延，今年只做65nm的微縮制程，除了保有競爭力更可大幅降低資本支出，南亞與華亞科因轉進美光堆棧式技術關系資本支出雖無法大幅降低資本支出，可能將技術的轉進分次到位，68nm技術為先，50nm依市場狀況而定。而國際廠方面，爾必達方面除了DDR3將轉進50nm制程外，DDR2也將維持原有的65nm與70nm制程，三星方面目前也有計劃削減資本支出，勢必影響著68nm轉進56nm制程與提升DDR3市占率的計劃。

NAND Flash供貨商減產(chǎn)和庫存降低，使12月下旬主流顆?，F(xiàn)貨價出現(xiàn)跌深反彈

NAND Flash現(xiàn)貨市場于12月下半月出現(xiàn)主流顆粒MLC 8Gb與16Gb分別大漲38.5%和23.6%。根據(jù)我們的觀察，這波市場價格跌深反彈主要歸功于：

1. 日系供貨商東芝12月16日正式公布該公司09年1月開始進行歲修和減產(chǎn)約三成的計劃。

2. 在其它供貨商也陸續(xù)淘汰了部份8吋廠產(chǎn)能的效應下，NAND Flash上游供貨商于12月持續(xù)降低顆粒的供貨數(shù)量，且廠商也進行策略性的調低獲利性較差的產(chǎn)品生產(chǎn)比重。

3. 多數(shù)下游業(yè)者的存貨普遍已經(jīng)降至約2至3周，庫存水位已恢復正常。

NAND Flash市占率排名第二的東芝于去年12月16日對外發(fā)布從去年底開始對其兩座12吋Fab廠進行13天和兩座8吋Fab廠進行4天的停產(chǎn)歲修，該公司并會持續(xù)視市場的需求變化來調整其生產(chǎn)線的產(chǎn)能狀況，東芝預期這次的停產(chǎn)歲修將會對其09年1月之后的產(chǎn)出減少3成左右。2008年12月除東芝宣布停產(chǎn)歲修的消息外，較早之前其它上游業(yè)者進行旗下8吋Fab廠停產(chǎn)所造成的產(chǎn)出減少效應在12月也明顯的發(fā)酵，而此時多數(shù)下游業(yè)者的NAND Flash顆粒存貨天數(shù)也已經(jīng)調降至兩2至3周的正常水平。由于東芝的減產(chǎn)消息加上其它供貨商的供貨數(shù)量持續(xù)往下，使得下游業(yè)者預期09年第一季NAND Flash顆粒的供應將明顯地下滑。在預期09年第一季可能會出現(xiàn)供貨量減少的狀況下，部分市場人士開始適度地回補NAND Flash顆粒的庫存，之前跌幅較深的主流顆粒8Gb和16Gb MLC現(xiàn)貨價格從12月17日到31日兩周內分別漲了38.5%和23.6%。

目前時間已進入09年1月，NAND Flash市場的價格能否持續(xù)上月的漲勢仍視市場供需兩端的變化而定。從需求面來看，第一季向來為傳統(tǒng)淡季加上今年仍受去年金融風暴的影響，我們預期手機、數(shù)字相機、隨身碟和MP3/PMP等主要應用今年第一季的出貨狀況普遍會比去年第四季下滑10至25%。從供給面來看，多數(shù)廠商都將減少晶圓的產(chǎn)出量，因此預估1Q09晶圓產(chǎn)量將比4Q08減少約10%，我們預估09年第一季NAND Flash市場狀況將是供過于求6.8%。因此，若未來市場需求能回溫的話，預期1月NAND Flash的市場價格仍將持穩(wěn)，部份產(chǎn)品有機會持續(xù)反彈。 

DT 繪圖卡內存容量提升，無助于內存用量

個人計算機低價化趨勢以及整合型北橋芯片效能的提升，促使桌上型計算機（DT）之繪圖核心采用整合型芯片產(chǎn)品，占系統(tǒng)出貨達八成以上，然獨立型之繪圖卡出貨規(guī)模在近兩年占DT仍有四成五之水平，顯示多媒體娛樂的應用，使得消費者對繪圖卡有其升級需求。

然而2008下半年，受全球景氣下滑影響，各家廠商下半年PC出貨目標不斷下修，連帶桌上型獨立型繪圖卡出貨量也紛紛未能達成。2008年原預估市場規(guī)模為80M，目前達標率約九成，70M-72M，較2007年下跌8%。展望2009年出貨規(guī)模，隨筆記型計算機持續(xù)在消費市場成長，削弱DT的需求，獨立顯卡需求亦隨之減少，外加景氣何時回溫尚不確定之下，消費者支出緊縮，使得DT 獨顯卡占DT出貨比重將下降至 35%-40%，市場規(guī)模預估為50M-55M，跌幅預估二至三成。

DT繪圖卡搭載內存容量部份，2008下半年GPU 兩大廠NVidia、AMD推出的新產(chǎn)品線，主流產(chǎn)品內存容量皆以512MB為主（Figure-5），容量與前一代GF8000系列、HD3000系列中高階產(chǎn)品相等。藉由新舊產(chǎn)品的交替，DT繪圖卡內存容量由256MB漸漸被512MB所取代，后者將成為2009年市場主流容量。

因此觀察DT繪圖卡之內存2009年成長性，雖然繪圖卡單片搭載容量仍有兩位數(shù)成長，但在繪圖卡市場規(guī)模大幅下滑情況下，內存需求量將呈持平或小幅下跌。