DDR2 1Gb現(xiàn)貨顆粒價(jià)格續(xù)創(chuàng)歷史新低價(jià)，DDR2 1GB合約價(jià)破10美元信心關(guān)卡

雖然近期政府是否要救DRAM市場(chǎng)的議題不斷發(fā)酵中，也引起各方人士熱烈討論與爭(zhēng)辯，但DRAM顆粒的價(jià)格終究仍取決于市場(chǎng)的需求，隨著全球整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境的惡化與歐美圣誕假期的需求急凍，現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，DDR2顆粒價(jià)格更頻創(chuàng)歷史新低價(jià)，上周(11/18-11/24)DDR2 1Gb eTT的顆粒價(jià)格從0.87美元下滑至0.81美元，跌幅達(dá)6.9%，從第四季開(kāi)始僅僅二個(gè)月間跌幅高達(dá)33.6%，DDR2 667Mhz 1Gb顆粒價(jià)格也不遑多讓，價(jià)格從0.86美元下滑至0.77美元，跌幅約10.5%，截至目前為止的第四季跌幅更高達(dá)36.8%。以往在現(xiàn)貨市場(chǎng)中原廠顆粒因?yàn)榻?jīng)過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)測(cè)試的關(guān)系，原廠顆粒價(jià)格大都高于eTT顆粒價(jià)格，但現(xiàn)今原廠顆粒價(jià)格皆低于eTT顆粒價(jià)格，顯見(jiàn)DRAM原廠的庫(kù)存壓力極大與市場(chǎng)供過(guò)于求的情形仍未有效紓解。

而在合約市場(chǎng)方面，十一月下旬的合約價(jià)正式跌破10美元信心關(guān)卡，DDR2 667Mhz 1Gb與2GB的模塊平均價(jià)約落在9.5美元與20美元左右，跌幅將近10%，截至目前第四季的跌幅分別為30%與26%，也創(chuàng)下了合約市場(chǎng)有史以來(lái)的新低價(jià)，11月開(kāi)始PC市場(chǎng)開(kāi)始步入傳統(tǒng)淡季，加上整體市場(chǎng)需求銳減，合約價(jià)不排除繼續(xù)探底，但下跌空間有限。但值得注意的是，隨著低價(jià)計(jì)算機(jī)(Netbook)的出貨量節(jié)節(jié)攀升，甚至2009年華碩與宏碁將有五成與三成筆記型計(jì)算機(jī)出貨皆為低價(jià)計(jì)算機(jī)的情形下，將會(huì)抑制住整體平均內(nèi)存模塊容量的上升，無(wú)異于讓合約市場(chǎng)更雪上加霜，加上整體大環(huán)境不佳，將會(huì)延緩合約市場(chǎng)價(jià)格的復(fù)蘇之路。

DRAM市場(chǎng)的急遽惡化與嚴(yán)重供過(guò)于求，造成DRAM廠的營(yíng)收下滑與現(xiàn)金不斷流出，無(wú)論是私募、技術(shù)母廠相挺或是政府出手相救，核心競(jìng)爭(zhēng)力還是DRAM廠的能夠生存與否的自救之道，臺(tái)系DRAM廠縱使無(wú)如三星、美光、爾必達(dá)等的DRAM核心技術(shù)，但臺(tái)系DRAM廠的大量生產(chǎn)與嚴(yán)密控制成本的能力也是DRAM技術(shù)母廠降低成本及擴(kuò)大市場(chǎng)占有率的最佳戰(zhàn)友，如同爾必達(dá)與力晶的緊密合作、南科與華亞和美光的技術(shù)結(jié)盟，皆是看中臺(tái)系DRAM廠的制造能力，未來(lái)DRAM市場(chǎng)將如同三國(guó)時(shí)代一般形成三強(qiáng)鼎立的局勢(shì)，由美、日、韓三國(guó)主導(dǎo)整個(gè)DRAM市場(chǎng)，臺(tái)系DRAM廠與技術(shù)母廠的合作將更為緊密，由技術(shù)母廠負(fù)責(zé)研發(fā)并由臺(tái)系廠制造生產(chǎn)的合作模式進(jìn)行，與技術(shù)母廠唇齒相依、禍福與共，臺(tái)系DRAM廠絕對(duì)是關(guān)鍵性的角色，幫助技術(shù)母廠攻城略地。

2009將成3-bit/cell MLC NAND Flash推廣年；11月下旬NAND Flash合約價(jià)開(kāi)平盤

目前NAND Flash廠商在進(jìn)行芯片成本下降的技術(shù)研發(fā)主要有兩個(gè)方向：一是將制程技術(shù)持續(xù)微縮，二是采用單位記憶儲(chǔ)存胞的多位化(multi-bit per cell)的設(shè)計(jì)，過(guò)去NAND Flash廠商主要多以制程技術(shù)的微縮來(lái)進(jìn)行成本的競(jìng)爭(zhēng)，過(guò)去幾年NAND Flash業(yè)者是以約每年一個(gè)世代的超摩爾定律速度在推進(jìn)制程技術(shù)，因此目前已從90nm→ 6xnm→ 5xnm→ 4xnm發(fā)展到準(zhǔn)備進(jìn)入3xnm制程技術(shù)的階段。

2008年隨著Toshiba/SanDisk陣營(yíng)在2Q08量產(chǎn)56nm 3-bit/cell MLC NAND Flash后，NAND Flash廠商也開(kāi)始朝3-bit/cell MLC的設(shè)計(jì)方向開(kāi)發(fā)，一般而言以相同制程技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)3-bit/cell MLC的單位芯片面積，約可比2-bit/cell MLC的面積再縮小約20-30%以上，因此理論上講相同記憶容量的3-bit/cell MLC單位芯片生產(chǎn)成本將會(huì)比2-bit/cell MLC低，不過(guò)由于3-bit/cell MLC的設(shè)計(jì)復(fù)雜度比2-bit/cell MLC高，因此3-bit/cell MLC在生產(chǎn)的良率及芯片性能(performance)及可靠度(reliability)的參數(shù)指標(biāo)都會(huì)比2-bit/cell MLC來(lái)得較遜色。

目前SanDisk是最積極推廣3-bit/cell MLC NAND Flash產(chǎn)品的廠商，Toshiba/SanDisk陣營(yíng)繼領(lǐng)先推出56nm 3-bit/cell 16Gb MLC后，也計(jì)劃于1Q09量產(chǎn)43nm 3-bit/cell MLC的產(chǎn)品，然后于1Q10量產(chǎn)3xnm 3-bit/cell MLC，預(yù)期2009年SanDisk也將會(huì)持續(xù)扮演3-bit/cell MLC市場(chǎng)推廣的推手，其它NAND Flash廠商，雖未有具體的生產(chǎn)時(shí)間表，但也都表示將會(huì)在2009年中推出各自的3-bit/cell MLC產(chǎn)品，例如：Samsung計(jì)劃1H09將生產(chǎn)42nm 3-bit/cell MLC ，Intel計(jì)劃2009年年中將生產(chǎn)34nm 3-bit/cell MLC，及Hynix計(jì)劃2009年年中將生產(chǎn)41nm 3-bit/cell MLC。

由于3-bit/cell MLC的寫入速度及耐久性(endurance)將會(huì)隨著制程技術(shù)的微縮而下降，但是單位芯片生產(chǎn)成本會(huì)比相同制程及容量的2-bit/cell MLC低，因此Toshiba/SanDisk陣營(yíng)初期是把56nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，先用在性能及可靠性要求較不高的UFD及記憶卡低價(jià)市場(chǎng)應(yīng)用上來(lái)試水溫，該陣營(yíng)未來(lái)也會(huì)隨著市場(chǎng)的接受度來(lái)調(diào)整其3-bit/cell MLC的產(chǎn)出比重，目前各NAND Flash廠商也正在開(kāi)發(fā)不同的技術(shù)改善方案，想將其3-bit/cell MLC的寫入速度及耐久性提高，希望未來(lái)也能應(yīng)用到性能及可靠性要求較高的PC的儲(chǔ)存應(yīng)用領(lǐng)域如：low-cost PCs、SSD的領(lǐng)域，由于目前多數(shù)NAND Flash廠商的4xnm & 3xnm 3-bit/cell MLC產(chǎn)品仍處在開(kāi)發(fā)及改良期，所以相關(guān)的產(chǎn)品參數(shù)仍在調(diào)整中，在考慮3-bit/cell MLC產(chǎn)品的良率及性能調(diào)整時(shí)間以及Flash controller的支持配合進(jìn)度，我們預(yù)期到2H09時(shí)3-bit/cell MLC在記憶卡及UFD的低價(jià)市場(chǎng)應(yīng)用才會(huì)更普及，預(yù)期2010年隨著3-bit/cell MLC的性能及耐久性持續(xù)改善后，則可望獲得消費(fèi)性電子、手機(jī)及PC的低價(jià)市場(chǎng)采用。

11月下旬NAND Flash合約價(jià)簡(jiǎn)評(píng)

11月下旬NAND Flash合約價(jià)大致呈現(xiàn)持平，主因?yàn)?1月初供貨商已經(jīng)先行采取降價(jià)策略，來(lái)配合下游客戶的年終促銷行動(dòng)，因此下旬價(jià)格與上旬價(jià)格相若，由于客戶對(duì)今年年終銷售情況抱持較保守的心態(tài)，所以對(duì)年節(jié)的備貨量也實(shí)行比較謹(jǐn)慎的控制態(tài)度，未來(lái)的采購(gòu)量也會(huì)視年終銷售情況再來(lái)做調(diào)整，由于NAND Flash價(jià)格累計(jì)跌幅已大，且下游客戶庫(kù)存水位也降低了，我們預(yù)期短期內(nèi)NAND Flash合約價(jià)將呈現(xiàn)持平或緩跌的狀況。

左右受制之Atom平臺(tái)之All in one PC

Intel Atom系列CPU產(chǎn)品專供省電、體積小之PC使用，自從在Netbook打出市場(chǎng)后，Nettop產(chǎn)品于11月下旬相繼上市，包括的業(yè)者有Asus和MSI。華碩E-TOP配備15.6吋的屏幕，規(guī)格與Eee PC相去不遠(yuǎn)，1.6 GHz Intel Atom CPU、1GB的內(nèi)存、160GB的硬盤、一個(gè)視訊鏡頭、以及Windows XP，報(bào)價(jià)臺(tái)幣18,900元。

微星方面，推出Wind Neton M19和M16，前者是18.5吋屏幕，后者是15.6吋屏幕。M16最低階規(guī)格會(huì)采用Atom處理器，售價(jià)會(huì)從399美元起跳，2009年第一季陸續(xù)上市。

All in one概念在PC領(lǐng)域并非新產(chǎn)品，如Apple和日系業(yè)者，皆有相關(guān)產(chǎn)品持續(xù)推出，差別是其CPU采用的是主流規(guī)格，而相對(duì)價(jià)格定位都在高階市場(chǎng)。例如Sony VAIO系列最新之「VGC-JS15T」產(chǎn)品，其搭載Intel雙核心DT CPU E7200，1680 x 1050高分辨率的20.1吋液晶屏幕，強(qiáng)調(diào)影音娛樂(lè)應(yīng)用。售價(jià)為臺(tái)幣44,800元。

就Atom平臺(tái)之前之a(chǎn)ll in one PC市占率一直有限，其高價(jià)定位，且無(wú)法自行變更，或主機(jī)與屏幕壽命不能同步情況下，皆讓消費(fèi)者購(gòu)買意愿不高。而今因Atom平臺(tái)推出，讓All in one產(chǎn)品有機(jī)會(huì)走入平價(jià)市場(chǎng)，為其擴(kuò)張市占率打開(kāi)一線希望。

然而比較現(xiàn)行入門級(jí)桌上型計(jì)算機(jī)性價(jià)比，以及Netbook的取代性，可能又限制了all in one產(chǎn)品發(fā)展性。以華碩易PC為例，規(guī)格接近之下，若另加購(gòu)19吋屏幕，約臺(tái)幣20,000至23,000元，與ETOP價(jià)格相去不遠(yuǎn)，卻可兼顧移動(dòng)性之方便性，而若是屏幕加入門級(jí)DT，價(jià)格臺(tái)幣15000元有找，故在市場(chǎng)定位上，Nettop產(chǎn)品與DT比較的是主機(jī)與屏幕的總成本考慮，與Netbook比較的是移動(dòng)性與成本，可見(jiàn)Nettop在市場(chǎng)空間上，左右受制情況高于Netbook。