上周現(xiàn)貨價(jià)格創(chuàng)歷史新低價(jià)，九月上旬合約價(jià)將再續(xù)跌

中國自8/24奧運(yùn)結(jié)束后，現(xiàn)貨市場需求未見明顯回升，在期待落空下，模塊廠轉(zhuǎn)而以低價(jià)策略在中國市場銷售DRAM模塊，DDR2 1Gb eTT跌破自去年11/27所創(chuàng)下的1.57美元的歷史低價(jià)，來到了1.51美元的新歷史低價(jià)，單日跌幅近7%，八月以來DDR2 1Gb eTT現(xiàn)貨價(jià)下跌達(dá)20%。DDR2 667 1Gb原廠顆粒價(jià)格也來到1.65美元的歷史新低。

上周現(xiàn)貨市場創(chuàng)下歷史新低點(diǎn)，根據(jù)市場人士表示，八月下旬合約價(jià)下跌近10%，原因?yàn)镻C OEM需求大減。隨著全球經(jīng)濟(jì)不景氣，而第四季圣誕檔期銷售仍未見明朗下，原本庫存水位在6-8周的PC OEM廠商已經(jīng)逐步修正手上的庫存量，八月下旬合約市場方面已經(jīng)傳出部份DRAM的廠商訂單被PC OEM廠商取消，DRAM廠只能大幅降價(jià)以求售出顆粒。合約價(jià)下跌趨勢已成，預(yù)計(jì)九月、十月價(jià)格仍是往下探低。

DRAM價(jià)格在2007年初開始快速下滑，中間雖有短暫反彈或止跌，價(jià)格始終未回到DRAM廠成本以上，在今年第二季，價(jià)格反彈超過20%，原本預(yù)計(jì)第三、四季，若價(jià)格再向上，則DRAM廠有望獲利。然而現(xiàn)貨價(jià)在七月初就快速下跌，合約價(jià)在七月底也出現(xiàn)下跌訊號。主要來自于第二季的價(jià)格上揚(yáng)，乃因PC OEM及現(xiàn)貨買賣商屯積庫存所帶動的需求。在第三季價(jià)格無力向上后，市場面臨需求萎縮及原有買家出清庫存的壓力。雖然市場殷殷期待廠商減產(chǎn)，以帶動價(jià)格復(fù)蘇，然而，DRAM廠產(chǎn)能擴(kuò)張及制程往下微縮似乎已是不歸路。DRAM廠成本下降的速度趕不上價(jià)格下跌的速度?！?/p>

明年，DRAM廠除了拼50nm世代的轉(zhuǎn)進(jìn)，新陣營形成又帶動新產(chǎn)能。與美光合作的南亞，預(yù)計(jì)Fab3 Phase2再擴(kuò)每月3萬片的新產(chǎn)能，由Fab2升級的亞美12吋廠也將達(dá)每月4萬5千片的新產(chǎn)能。瑞晶的R2廠也計(jì)劃明年擴(kuò)張至每月3萬片的產(chǎn)能，還有爾必達(dá)與聯(lián)電和中國蘇州SVG集團(tuán)合作的二座12吋新晶圓廠。以DRAM廠擴(kuò)張的腳步，DRAM難以在短時(shí)間內(nèi)擺脫供過于求，價(jià)格下跌，持續(xù)虧損的陰影。而財(cái)務(wù)惡化，籌資困難的環(huán)境也再再考驗(yàn)著成本結(jié)構(gòu)不佳的DRAM廠。

NAND Flash 價(jià)格疲軟，市場充滿對SSD未來廣泛應(yīng)用的期待

從NAND Flash合約價(jià)格走勢來看，八月下旬合約價(jià)部分維持持平與下跌走勢，8月下旬8Gb MLC平均合約價(jià)為1.9美元，16 Gb MLC平均合約價(jià)為2.96美元，平均合約價(jià)較前期分別下跌約10%與8%。

續(xù)探究目前價(jià)格低迷原因，主要仍是由于市場仍處于供過于求的狀況，短期內(nèi)NAND Flash下游業(yè)者仍在等待奧運(yùn)過后中國白牌市場補(bǔ)貨需求回復(fù)，并期待暑假過后與圣誕節(jié)假期前歐美買氣逐漸回升，藉由需求面的改善穩(wěn)定目前NAND Flash價(jià)格大幅波動的狀況。

然就NAND Flash產(chǎn)業(yè)整體中長期而言，殺手級產(chǎn)品的出現(xiàn)與廣泛應(yīng)用才是維持價(jià)格穩(wěn)定的關(guān)鍵要素，在眾多產(chǎn)品中，固態(tài)硬盤(以下簡稱SSD)因?yàn)槿萘扛撸苡诙唐趦?nèi)快速去化NAND Flash產(chǎn)能，因而被視為足以維持NAND Flash價(jià)格穩(wěn)定的殺手級應(yīng)用。

2008年第二季后SSD市場呈現(xiàn)緩慢加溫的狀態(tài)，雖然因?yàn)槟壳皟r(jià)格仍高，使SSD于消費(fèi)性電子商品的實(shí)際應(yīng)用僅局限于少數(shù)利基市場，然上游各大廠皆視SSD為明日之星，因而持續(xù)投入研發(fā)能量，除了既有生產(chǎn)SSD的廠商外，目前上游各大廠皆有樣品試產(chǎn)，部份廠商并宣布已經(jīng)進(jìn)入大量生產(chǎn)階段，除了持續(xù)研發(fā)進(jìn)程外，重點(diǎn)方向也在積極配合下游進(jìn)行各項(xiàng)產(chǎn)品的實(shí)際測試與產(chǎn)業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)的制定。

在SSD市場成熟前，標(biāo)準(zhǔn)制定與規(guī)格認(rèn)證成為一項(xiàng)重要的議題，目前包含Samsung、SanDisk、Intel、Micron與Toshiba都各別提出關(guān)于SSD的運(yùn)作標(biāo)準(zhǔn)，多數(shù)業(yè)者都希望能夠領(lǐng)先同業(yè)推動SSD商品的標(biāo)準(zhǔn)化。

日前Toshiba結(jié)合中國臺灣模塊與控制芯片業(yè)者組成SSD Alliance，看好中國臺灣PC廠商的制造能力，也計(jì)劃廣泛邀請中國臺灣PC制造業(yè)者加入；Intel則藉由ONFi組織制定NAND Flash的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，ONFi日前并正式宣布與JEDEC簽署協(xié)議，共同開發(fā)ONFi 2.0標(biāo)準(zhǔn)，以簡化NAND Flash在各領(lǐng)域的應(yīng)用；Samsung選擇與微軟進(jìn)行合作，積極提升SSD與Vista的兼容性與效能，看好未來SSD與Vista整合后的市場；Sandisk也提出針對不同終端使用者定義耐用程度的 Endurance & Bapco Usage Models，同時(shí)也提出LDE (Longterm Data Endurance)概念，認(rèn)為應(yīng)該藉由衡量SSD生命周期內(nèi)所能寫入的所有數(shù)據(jù)來定義其耐用度(LDE =Total amount of data writes allowed in SSD lifespan)。

目前各家業(yè)者對于SSD有不同的測試標(biāo)準(zhǔn)，短期內(nèi)仍難有一個(gè)通用的定義，然而在SSD普遍應(yīng)用前，制定共通標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)格認(rèn)證卻是一項(xiàng)必須解決的當(dāng)務(wù)之急，在樂觀預(yù)估未來SSD市場的同時(shí)，取得市場一致的共識也成為一項(xiàng)亟待解決的議題。