旺季需求無法帶動DRAM價格上揚,庫存水位太高將使DRAM價格重返年初價格低點
DRAM廠在去年第二季開始進入虧損,雖然今年DRAM資本支出大減高達(dá)40% YoY, DRAM廠擴廠及產(chǎn)能增加也大幅下降。但在三星及爾必達(dá)仍高度積極增產(chǎn),力圖在逆勢中增加DRAM市占率,也使今年DRAM供給成長率接近65%。DRAM單機搭載率在年初低價刺激下,2GB以上搭載快速增加,但在2GB以上的搭載率超過50%后,其成長速度也減緩下來。
DRAM已在今年四月底提早起漲,到六月底,各家OEM已透過長約或鎖定價格等各種方式建立成本較低的DRAM部位。也使七月合約價無力上揚。八月上旬合約價下跌5%,下旬更大跌10%,為近半年來合約價最大跌幅。由于多數(shù)PC OEM DRAM庫存水位達(dá)六至八周,加上全球不景氣影響, PC OEM大廠對今年下半年出貨量成長均略呈保守,也使DRAM合約價談判在七月后轉(zhuǎn)為買方主控市場。
簡而言之,三星今年高達(dá)90%-100%的供給成長率,壓抑了合約價的上揚,而爾必達(dá)/力晶集團的合資廠瑞晶在今年第一、第二季的高產(chǎn)出則壓抑了現(xiàn)貨價的上揚。因此,在第二季DRAM價格短期上揚后,DRAM價格又急轉(zhuǎn)而下。DRAM廠成本下降速度趕不上價格下降速度。在持續(xù)虧損下,明年DRAM廠除了要面對籌資困難、財務(wù)惡化以及50奈米技術(shù)瓶頸以外,能否繼續(xù)生存將是更重要的課題。
需求低迷,現(xiàn)貨市場殺聲隆隆
上周現(xiàn)貨市場價格再次下殺,指標(biāo)顆粒DDR2 eTT 1Gb在近期低檔1.7美元附近盤旋數(shù)日。上周雖數(shù)度有買盤出現(xiàn),但購買力道相對有限,對現(xiàn)貨價格幫助不大??v使市場上近期并無見到太多的供給,不過需求依舊疲軟,價格下跌趨勢持續(xù)。
在中國方面,奧運期間不論是需求不振或供給因為安檢加強而造成的不通暢,現(xiàn)貨市場整體氣氛低迷交頭冷清,對于原本庫存以高的各環(huán)節(jié)而言,更是雪上加霜。近兩周來,在中國市場更有領(lǐng)導(dǎo)品牌模塊廠開始?xì)r供應(yīng),若將其模塊供應(yīng)價格換算成顆粒價格,已低于目前現(xiàn)貨市場報價,無形中對現(xiàn)貨價格產(chǎn)生壓力。

市場等待NAND Flash傳統(tǒng)旺季的回春效應(yīng)
2H08 NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品受到次貸風(fēng)暴的余波蕩漾,整體旺季需求可能不如往年的成長幅度,且可能會遞延到3Q08末期后才會開始逐漸回溫,不過從另一個角度來看,由于自3Q07中期的高點以來到2008年8月,主流NAND Flash的累計價格跌幅已達(dá)80%以上,預(yù)期此一低價效應(yīng)也將有助于NAND Flash廠商在接下來的中國大陸10月初長假,感恩節(jié)到圣誕節(jié)等歐美傳統(tǒng)銷售旺季來刺激市場買氣。因此我們預(yù)期4Q08 NAND Flash市場,將可望由3Q08的供過于求轉(zhuǎn)為供需較平衡的狀況。我們也預(yù)估2008年NAND Flash年需求量成長率將由2007年的151%稍微減少到 141%達(dá)到30681 m Gb。
展望NAND Flash的價格趨勢,雖然7月中旬 Apple 3G iPhone上市的熱賣效應(yīng)是一個好的開始,且Hynix在7月底再度調(diào)降2008年的位成長目標(biāo),短期將有助于提振NAND Flash市場信心,但目前NAND Flash相關(guān)廠商因為4Q08的產(chǎn)業(yè)不確定因素仍多,因此NAND Flash相關(guān)業(yè)者對8月以后的傳統(tǒng)旺季需求的能見度也變得比較難以掌握,目前買方為了控制庫存水位,在采購上也采取比較謹(jǐn)慎的觀望態(tài)度。因此我們也預(yù)期NAND Flash市場要隨著低價效應(yīng)漸漸激發(fā)出傳統(tǒng)旺季的買氣后,價格才有機會隨著旺季備貨需求回溫而能止穩(wěn)及小幅反彈。
由于迄今NAND Flash供貨商除了Hynix再次將2008年的產(chǎn)出成長目標(biāo)由90-100%調(diào)降到50-60%外,主要廠商對其原先設(shè)定的2008 年NAND Flash位產(chǎn)出成長目標(biāo)的變動不大,因此我們預(yù)期2008年NAND Flash年供給量成長率將由2007年的144% 微幅增加到146%達(dá)到31919m Gb,由2008全年來看仍是呈現(xiàn)供過于求的狀況。
由于2008年NAND Flash產(chǎn)業(yè)是處在一個供過于求及價格大幅下跌的情況,且2009年的 NAND Flash景氣,也因總體的不確定因素而難以掌握,因此目前主要的NAND Flash業(yè)者,對2009年的產(chǎn)能規(guī)劃及資本支出都尚未有具體計劃,而是采取彈性的態(tài)度,將隨著未來市場的狀況再隨時調(diào)整, NAND Flash供貨商的策略也轉(zhuǎn)向加速推動殺手級應(yīng)用--SSD的普及推廣工作如: 建立SSD產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及SSD性能比較指針(benchmark),同時也致力于開發(fā)新的NAND Flash制程技術(shù)及架構(gòu)技術(shù),以降低NAND Flash的生產(chǎn)成本,使NAND Flash未來能以更佳的性價比來滲透到更多的應(yīng)用領(lǐng)域。
8月下旬NAND Flash 合約價簡評
8月下旬NAND Flash合約價下跌約0-13%,主要原因為市場仍在等待8月以后的傳統(tǒng)旺季需求回溫,因而買方仍多持觀望態(tài)度,使得市場買氣仍顯清淡,因此8月下旬合約價格仍然持續(xù)疲軟,由于目前4Q08的旺季情況能見度仍低,因此市場也對8月后的大陸奧運后補貨需求,及歐美暑假后的返校需求,也持比較審慎的期望態(tài)度, 預(yù)期NAND Flash價格也需等到傳統(tǒng)旺季的備貨需求到來時,才可望逐漸止穩(wěn)反彈。