八月上旬DRAM合約價格續(xù)漲5% ;今年下半年DRAM供給成長將下修

上周現(xiàn)貨市場開低走高，在月底仍交易清淡，DDR2 eTT 64Mx8 512Mb顆粒價格穩(wěn)定在1.94至2.00美元之間。八月初，價格微幅上漲, 站穩(wěn)2美元且交易量擴大。上周DDR2 eTT顆?；厣?.13美元，漲幅7.58%。而品牌顆粒DDR2 512Mb 64Mx8則是上漲至2.23美元，漲幅4.69%。

上周現(xiàn)貨市場狀況,雖至月底，并未出現(xiàn)DRAM原廠月底大量倒貨的情形。主要是計算機系統(tǒng)大廠因應(yīng)旺季需求，持續(xù)拉高ＤＲＡＭ庫存。使得DRAM現(xiàn)貨市場供應(yīng)量有限，然而現(xiàn)貨需求也未轉(zhuǎn)強，價格變化不大。但上周五Samsung出現(xiàn)工安事故，產(chǎn)線遭到斷電影響，現(xiàn)貨市場在下午涌進買單。

合約價方面，在八月上旬合約價持續(xù)向上調(diào)整，DDR2 667MHz 512MB UDIMM的平均價格由19.5美元上漲至20.5美元，漲幅約5%，平均顆粒成本為2.25美元/512Mb。與現(xiàn)貨市場價格之2.23美元相當接近。短期來看，計算機系統(tǒng)大廠在旺季來臨，２ＧＢ搭載量增加，帶動DRAM需求，DRAMeXchange認為，ＤＲＡＭ八月下旬合約價仍有調(diào)漲的空間。

華邦于8/3日舉行07年第二季之法人說明會，受到第二季營收表現(xiàn)不佳的影響，Q2單季虧損達臺幣13億7千4百萬(約合美金41.6m)，EPS為-0.37 (NTD)。 展望下半年，華邦將增加NOR Flash的產(chǎn)出比重，并以Consumer Logic IC為提升毛利率的主要產(chǎn)品，同時與奇夢達簽訂新的代工合約，75nm以及58nm，預(yù)計將于08年導入75nm。由于受限于現(xiàn)行代工合約的計價方式，獲利與市場價格相關(guān)聯(lián)，華邦與奇夢達新的代工合約，則會降低市場價格波動帶來的影響，以固定獲利比率為主。

Samsung的部份產(chǎn)線于上周五出現(xiàn)電源供應(yīng)問題，使得FLASH產(chǎn)能受到影響，在 NAND Flash短缺將進一步擴大下，預(yù)計Samsung或Hynix將轉(zhuǎn)移DRAM產(chǎn)能至NAND Flash。下半年DRAM供給成長將較原本預(yù)估為低。接下來DRAM現(xiàn)貨及合約價的高點有機會挑戰(zhàn) 2.5美元/512Mb。

2Q07全球NAND Flash銷售額達28.67億美元，QoQ僅成長7.5%; 三星停電事件短期內(nèi)將使的NAND Flash供貨狀況更加吃緊

1Q07 NAND Flash平均價格急跌達40%以上，制造商在上半年暫緩產(chǎn)能擴充計劃，再加上Samsung、Toshiba以及Hynix 2Q07在新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期。因此2Q07的整體NAND Flash的位(bit)產(chǎn)出量與1Q07變化極小。DRAMeXchange分析師指出市場由1Q07的供過于求在2Q07轉(zhuǎn)變供需較平衡之狀況，因此2Q07 NAND Flash價格也得以止跌反彈達10%以上。

依個別廠商在2Q07 NAND Flash銷售狀態(tài)而言：

三星(Samsung)仍以43.9%的市占率持續(xù)保持第一名的位置，市占率較1Q07 的39.6%高，Samsung在06年下半已將部份NAND Flash產(chǎn)能漸漸轉(zhuǎn)為DRAM。1H07產(chǎn)出主要以制程技術(shù)升級為主，而50 nm新制程技術(shù)在2Q07仍處于調(diào)整期，2Q位產(chǎn)出成長約比1Q成長11%。2Q07 ASP約較1Q07上漲約10%，銷售值約成長QoQ19.4%達12.6億美元。

東芝(Toshiba) 2Q07 NAND Flash銷售值雖比1Q07減少，但2Q07 Toshiba仍以24.8%的市占率保持第二名，而市占率則較1Q07的30.1%低。主因來自于其56 nm新制程技術(shù)在2Q07仍處于調(diào)整期，因此QoQ位產(chǎn)出比減少約10%，且客戶多以長期合作伙伴為主，所以ASP與1Q07 呈現(xiàn)大致持平的狀況，2Q07銷售值約較1Q07 減少約11.6%達7.11億美元。

海力士(Hynix)則以16.8%的市占率持續(xù)保持第三名的位置，較1Q07的15.4%高。Hynix在2H06也將部份NAND Flash產(chǎn)能漸漸轉(zhuǎn)為DRAM。所以1H07的產(chǎn)出主要也以制程技術(shù)的升級為主，但是因為60 nm新制程技術(shù)在2Q07仍處于調(diào)整期，所以2Q位產(chǎn)出比1Q稍為減少，但因2Q07平均價格(ASP, average selling price)比1Q07上漲25%，所以2Q07銷售值約較1Q07 成長約16.7%達4.81億美元。

前三名NAND Flash廠商約占整體市場85.5%的市占率，市場集中度仍然很高。就其它廠商的狀況而言，因IM Flash 3Q07末才會于新的12吋廠投產(chǎn)50 nm新制程產(chǎn)品，但因價格反彈及制程技術(shù)提升的產(chǎn)出增加，2Q07 Micron & Intel的NAND Flash銷售額仍較1Q07穩(wěn)定成長，2Q07市占率分別為4.8%及1.9%。

瑞薩( Renesas)因策略上將持續(xù)降低自有AG-AND Flash的生產(chǎn)比重，并轉(zhuǎn)由合作伙伴力晶(PSC)代工。2Q07瑞薩與力晶陣營銷售值比1Q07 減少，其2Q07市占率也降到4.2%，3Q07末，力晶也將開始生產(chǎn)MLC NAND Flash產(chǎn)品。

另外，意法半導體( STMicro) 2Q07則因來自手機的相關(guān)應(yīng)用業(yè)務(wù)明顯增加，因此2Q07 的NAND Flash銷售值較1Q07明顯成長，使得其2Q07 的市占率也提高到2.9% ; 奇夢達(Qimonda)自2007年起為維持服務(wù)客戶，將采漸進減產(chǎn)的方式來生產(chǎn)Twin Flash，故2Q07銷售值較1Q07減少，而其市占率約為0.7%。

DRAMeXchange預(yù)期因傳統(tǒng)旺季效應(yīng)及廠商新制程調(diào)整期延長，下半年NAND Flash市場將呈現(xiàn)供給不足的狀況。此外，8月3日下午三星的半導體廠區(qū)發(fā)生了停電事件，使得該公司的6,7,8,9 &14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常的生產(chǎn)狀況，公司初步估計約損失 4,300萬美元，由于該廠區(qū)為三星的NAND Flash主要生產(chǎn)地，我們預(yù)估該停電事件，將影響三星至少5.5%的NAND Flash月產(chǎn)出量及全球約2.2%的NAND Flash月產(chǎn)出量，因此短期內(nèi)NAND Flash市場供貨不足的狀況，也將因這一事件而更加吃緊，使得8月份的NAND Flash價格也將持續(xù)的看漲。

最后，DRAMeXchange將7/30和8/6的NAND Flash現(xiàn)貨收盤價做一比較：1Gb的價位從4.09美元上升至5.13美元，漲幅為25.4%；2Gb從7.3上漲至7.86美元，漲幅7.7%；4Gb從10.54上升至11.69美元，漲幅10.9%；8Gb則從12.17上升至15.9美元，漲幅為30.6%；16Gb從20.74上升至22.03美元，漲幅6.2%。