DRAM合約價(jià)緩步攻堅(jiān);現(xiàn)貨市場(chǎng)買氣需等待八月下旬，九月歐洲市場(chǎng)買氣回籠

雖然上周現(xiàn)貨報(bào)價(jià)受到三星停電事件影響而走高，但是后續(xù)追價(jià)力道不強(qiáng)，使得部份庫存水位較高的通路商反手殺出手中的庫存。DDR2 eTT報(bào)價(jià)又跌破2美元關(guān)卡，來到1.93美元。

目前時(shí)序已經(jīng)進(jìn)入傳統(tǒng)PC銷售的旺季，但是現(xiàn)貨市場(chǎng)終端需求始終沒有明顯放大，尤其是七月份為大陸地區(qū)往年的銷售旺季，需求也顯得十分冷清。盡管近期現(xiàn)貨市場(chǎng)需求已較上個(gè)月回溫，但仍不足以刺激現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格。

至于合約市場(chǎng)部分，八月上旬合約價(jià)格仍上漲3-5%不等的幅度。PC市場(chǎng)的銷售旺季來臨，帶動(dòng)OEM廠商積極的拉貨，帶動(dòng)合約市場(chǎng)價(jià)格上漲。DRAMeXchange估計(jì)臺(tái)式機(jī)加上筆記本計(jì)算機(jī)第三季出貨數(shù)字可望達(dá)到6,900萬臺(tái)，較上季成長(zhǎng)15%的幅度。此外，近期拜訪部分PC OEM廠商后發(fā)現(xiàn)，目前大多數(shù)PC OEM廠商的DRAM搭載率已經(jīng)達(dá)到1.2-1.4GB不等的內(nèi)存容量，顯示合約市場(chǎng)需求確實(shí)逐季往上。

而現(xiàn)貨與合約市場(chǎng)需求兩樣情的狀況，DRAMeXchange認(rèn)為有以下幾個(gè)原因:1.部分DRAM廠商與模塊廠商在第二季價(jià)格底部時(shí)囤積了許多庫存，由于數(shù)量不容易掌握，使得現(xiàn)貨市場(chǎng)不時(shí)傳出有低價(jià)庫存釋出，破壞了目前的市場(chǎng)價(jià)格。2.PC OEM廠商為了要在規(guī)格上與其它家OEM廠商競(jìng)爭(zhēng)，因此DRAM搭載量已經(jīng)提高到相當(dāng)高的比重，使得消費(fèi)者到售后市場(chǎng)自行升級(jí)的比例降低。3.此外，物價(jià)上漲也影響到消費(fèi)者花錢在PC方面支出的意愿，部份大陸通路商指出，大陸地區(qū)民生用品的物價(jià)漲幅過大影響到消費(fèi)者需求為七月份旺季不旺的主要原因。

展望未來幾個(gè)月，DRAMeXchange認(rèn)為三星停電事件會(huì)影響到下半年韓系廠商在DRAM以及NAND FLASH產(chǎn)能配置上的變化，加上廠商在下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)70nm，DRAM價(jià)格將在九月達(dá)到下半年高點(diǎn)，但第四季價(jià)格向下修正幅度在產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至NAND FLASH效應(yīng)下應(yīng)該比預(yù)期縮小。

NAND Flash業(yè)者預(yù)期產(chǎn)業(yè)未來7年仍將持續(xù)穩(wěn)健的發(fā)展; 8月上旬NAND Flash合約價(jià)反應(yīng)三星停電事件平均上漲約15-25%

在2007年8月7-9日在美國(guó)Santa Clara舉行的Flash Memory Summit上，SanDisk、Intel、Samsung、 Dell & Seagate等Flash memory相關(guān)業(yè)者對(duì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢(shì)與挑戰(zhàn)提出他們的看法， 對(duì)NAND Flash業(yè)界的發(fā)展而言，具有相當(dāng)?shù)那罢邦I(lǐng)航指標(biāo)意義，我們茲摘要及匯整如下:

就NAND Flash應(yīng)用面而言， NAND Flash應(yīng)用將從消費(fèi)性電子及手機(jī)市場(chǎng)延伸到計(jì)算機(jī)的儲(chǔ)存及快取(cache)加速應(yīng)用，由于NAND Flash生產(chǎn)成本將隨制程技術(shù)提升而持續(xù)下降，以及電子產(chǎn)品在未來高分辨率視訊的應(yīng)用需求將會(huì)持續(xù)增加下，因此未來將會(huì)驅(qū)動(dòng)NAND Flash的應(yīng)用容量持續(xù)提高，目前NAND Flash 對(duì) 1 & 1.8英吋HDD已具有替代性作用，未來也將會(huì)對(duì)2.5英吋HDD在NB PC上的應(yīng)用產(chǎn)生部份替代性作用，但是在DT PC & server 上的應(yīng)用，由于HDD在大儲(chǔ)存容量應(yīng)用上仍具成本優(yōu)勢(shì)，所以未來SSD & HDD將會(huì)共存在儲(chǔ)存媒體市場(chǎng)。

但是NAND Flash在制程技術(shù)推進(jìn)上也將面臨一些技術(shù)及物理限制的挑戰(zhàn)，使得未來制程技術(shù)的發(fā)展速度將會(huì)變得較慢，32 nm & 20 nm制程將是業(yè)者未來要面臨的兩道難關(guān)，業(yè)者因此提出了發(fā)展3D cell、3-bit/cell & 4-bit/cell等架構(gòu)方案來解決制程微縮不易所造成的物理及容量限制問題，使得未來NAND Flash的技術(shù)將得以再發(fā)展4-5個(gè)世代，由于業(yè)者預(yù)期未來NAND Flash將會(huì)在往后7年左右遇到其發(fā)展瓶頸，因此目前業(yè)者也積極開發(fā)在讀寫速度、使用壽命、微縮尺寸及電力消耗上，均比目前的Flash memory性能佳的phase-change memory ，來做為未來的儲(chǔ)存媒體市場(chǎng)的應(yīng)用之一。

另外NAND Flash的投資成本對(duì)業(yè)者也是一個(gè)重要問題，目前NAND Flash新廠建設(shè)成本已經(jīng)高達(dá)50億美元，而且NAND Flash的新制程及現(xiàn)有8吋廠都將在未來2年內(nèi)進(jìn)行更新，因此NAND芯片廠商為此將需要投入大量資本支出，雖然新生產(chǎn)線將使生產(chǎn)效率最高的廠商每年將價(jià)格下調(diào)30-45%，不幸的是，在過去的二年中，NAND價(jià)格每年下滑的幅度高達(dá)60%，如果成本每年只能降低40%，價(jià)格就無法下調(diào)60%，并購(gòu)將成為業(yè)者不可避免的一種選擇。

8月上旬NAND Flash合約價(jià)平均上漲約15-25%，其中MLC合約價(jià)平均上漲約15%，SLC合約價(jià)平均上漲約25%，主要在反應(yīng) 8月3日三星的NAND Flash主要生產(chǎn)基地器興(Giheung)廠區(qū)的停電事件，所造成的市場(chǎng)預(yù)期短期產(chǎn)能將會(huì)吃緊的狀況，雖然8-10月將進(jìn)入NAND Flash下游客戶的傳統(tǒng)備貨旺季，但有見于此次NAND Flash合約價(jià)已一次大幅調(diào)漲反應(yīng)過此一突發(fā)的供給短缺狀況，且需考慮NAND Flash下游應(yīng)用客戶未來在旺季仍有刺激市場(chǎng)買氣的促銷策略， 因此我們預(yù)期NAND Flash合約價(jià)在短期內(nèi)仍會(huì)呈現(xiàn)持平或部份規(guī)格小漲的狀況。

最后，DRAMeXchange將8/6和8/13的NAND Flash現(xiàn)貨收盤價(jià)做一比較：1Gb的價(jià)位從5.13美元上升至5.25美元，漲幅為2.3%；2Gb從7.86上漲至8.24美元，漲幅4.8%；4Gb從11.69上升至12.78美元，漲幅9.3%；8Gb則從15.9上升至16.04美元，漲幅為0.9%；16Gb從22.03上升至24.79美元，漲幅12.5%。