上周DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)交易維持清淡, 價(jià)格小幅下跌1% to 1.5%.. 主流顆粒DDR 32Mbx8 400MHz由$2.22美元下跌至 $2.19 美元. 同樣256Mb的eTT顆粒則從$1.96 小跌至$1.94. DDR 512Mb 64Mx8下跌較大, 約3%, 由$4.69 to $4.55 DDR2 NMB 非品牌顆粒則由$3.23 跌至 $3.22. DDR2 在現(xiàn)貨市場(chǎng)交易, 仍屬少量, 與主流DDR相比, 僅5%不到.
大多數(shù)市場(chǎng)人士相信DRAM價(jià)格仍維持下跌趨勢(shì), 以致市場(chǎng)買(mǎi)氣繼續(xù)萎縮,而且十一月是美光的季報(bào)最后一個(gè)月, 下周又是本月最后一周, 市場(chǎng)悲觀地認(rèn)為賣(mài)壓會(huì)持續(xù)涌現(xiàn)而拉低DRAM現(xiàn)貨價(jià).
DRAM 十一月下旬合約價(jià)持續(xù)下探
雖然DRAM廠力守DDR2價(jià)格, 直至上周五仍不愿松口, 放大降幅. 但在部份計(jì)算機(jī)系統(tǒng)大廠不放棄其目標(biāo)價(jià), 將價(jià)格談判時(shí)間延長(zhǎng)至本周,而成功地將價(jià)格下砍5%-6%, 超過(guò)DRAM廠原先堅(jiān)守的2%-3%.但DDR2 512MB與DDR512MB的價(jià)差由十一月上旬的3.5美元, 縮少至3美元.
在DRAM廠調(diào)降DDR2的產(chǎn)出, 轉(zhuǎn)移至DDR后, 預(yù)計(jì)DDR2 512MB與DDR512MB的價(jià)差將進(jìn)一步縮少, 但價(jià)格下跌趨勢(shì)已然確立. 在十二月及明年第一, 第二季需求急速下降下, DRAM廠必須進(jìn)一步降低其成本, 以確保獲利. 第三季, 臺(tái)灣DRAM廠, 南科, 力晶及茂德分別有21.18%, 21.5% and 17.5%的毛利率. 但第三季的DRAM 主流顆粒DDR 32Mbx8 400MHz現(xiàn)貨均價(jià)為$2.6, 合約均價(jià)為$2.64. 若第四季DRAM 主流顆粒DDR 32Mbx8 400MHz均價(jià)跌至2.2美元, DRAM廠成本繼續(xù)下降10%, 則臺(tái)灣DRAM廠最高可維持10%-15%的毛利.
NAND Flash 上周現(xiàn)貨價(jià)不同容量, 漲跌互見(jiàn). 因海尼士只提供4Gb給直接客戶(hù), 4Gb為市場(chǎng)最熱門(mén)商品,而有些交易商試著降低1Gb的價(jià)格以刺激市場(chǎng)買(mǎi)氣. 整體來(lái)說(shuō), 8Gb價(jià)格由US$54.36 降至US$53.88 , 2Gb/4Gb 則小幅上揚(yáng)至US$29.94, 及US$15.37. 1Gb 由US$8.2 降至US$8.12 .