由于接近月底，大部分的DRAM 制造商于上周企圖在現(xiàn)貨市場(chǎng)上傾銷(xiāo)DRAM顆粒以達(dá)到當(dāng)月業(yè)績(jī)。感恩節(jié)期間，美國(guó)現(xiàn)貨市場(chǎng)休市。即使如此，部分貿(mào)易商仍盡力的找尋客戶(hù)達(dá)成些許交易。DRAM主流顆粒，DDR256Mb 32Mbx8 400MHz，從$2.17下跌至$2.09，跌幅3.7個(gè)百分點(diǎn); DDR 512Mb 則是從$4.47 下跌至$4.28，跌幅4.25個(gè)百分點(diǎn)。DDR2 白牌，從$3.18 下跌至$3.10，跌幅2.5個(gè)百分點(diǎn)。低容量SDRAM 1Mx16 以及 4Mx16 則是分別維持在$0.92 及 $0.6
銷(xiāo)售壓力使得某些DRAM制造商采取DDR2 與 NAND Flash 顆粒搭配銷(xiāo)售的方式。然而，由于人們相信DRAM的價(jià)格將會(huì)持續(xù)目前下跌的走勢(shì)，因此，DRAM現(xiàn)貨購(gòu)買(mǎi)的意愿仍舊是愈振乏力。在Hynix 停產(chǎn)DDR 256Mb 32Mx8顆粒后，DDR 512Mb 價(jià)格的跌幅于上周高過(guò)DDR256Mb。 然而，單顆DDR 512Mb 的價(jià)格仍舊高于兩顆DDR 256Mb。此外，即使在eTT(UTT)的主要供貨商禁止其通路商銷(xiāo)售低于1.95美元以下的顆粒，在香港市場(chǎng)仍舊出現(xiàn)1.88美元低價(jià)的eTT(UTT) 顆粒。
DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)目前仍就難逃景氣低迷的命運(yùn)，然而，部份交易者仍舊希望即將到來(lái)的中國(guó)新年可以刺激些許買(mǎi)氣。
就NAND Flash市場(chǎng)而言，高容量的顆粒承受較大跌幅，8Gb從$53.86 下跌至 $51.12 及 4Gb 從$29.84 下跌至 $28.12，跌幅分別為5.1% 與 5.76%。2Gb 從$15.51 下跌至$15.31, 跌幅1.29%。1Gb 從$8.15下跌至$8.07，跌幅1%。Micron 2Gb,，Hynix 4Gb，Samsung 8Gb為上周最熱門(mén)的顆粒, 因?yàn)樵谙嗤萘康漠a(chǎn)品, 該品牌報(bào)價(jià)最低，。雖然，Hynix只出貨NAND Flash給直屬的經(jīng)銷(xiāo)商，然而，仍看見(jiàn)某些量由中國(guó)市場(chǎng)出來(lái)。由于，月底將會(huì)有一批新貨送達(dá)使得交易商仍舊擔(dān)心著NAND Flash價(jià)格的走勢(shì)是否會(huì)持續(xù)的下跌。
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