由于主流顆粒的價(jià)格下跌，導(dǎo)致DXI數(shù)值在11月8日至15日之間，掉了2.3%(65點(diǎn)），來(lái)到了2750。

上周（11月8-15日）間，DDR 256Mb 32Mx8 400MHz的現(xiàn)貨價(jià)格由2.34美元跌至2.25美元，跌幅3.8%。同時(shí)，相同容量的ETT (UTT)顆粒，價(jià)格也滑落至2美元以下，在1.94美元與1.96美元之間徘徊。DDR2的市場(chǎng)交易也由于主要廠牌的價(jià)格由4.44美元跌至4.36美元，跌幅1.8%而顯的毫無(wú)生氣。N.M.B (非主要廠牌)的價(jià)格則是下跌1.5%，由3.28美元跌落至3.23美元。低密度的SDRAM，其價(jià)格仍在低價(jià)附近徘徊。SDRAM 1Mx16 成交價(jià)在0.62美元至0.63美元之間，而SDRAM 4Mx16成交價(jià)則約為0.96美元至0.98美元之間。

當(dāng)DRAM價(jià)格持續(xù)向下滑落時(shí)，部分主要DRAM買家和模塊廠商會(huì)因?yàn)槭种谐钟械膸?kù)存而蒙受損失。因此，他們傾向在接獲訂單的時(shí)候才開(kāi)始向外采購(gòu)DRAM顆粒。部分貿(mào)易商已經(jīng)開(kāi)始失去耐心等待價(jià)格反彈而紛紛將所持有的DRAM庫(kù)存在市場(chǎng)中傾銷。

DRAMeXchange觀察到部分標(biāo)記為五月至六月生產(chǎn)的DRAM顆粒仍在現(xiàn)貨市場(chǎng)里流通，該現(xiàn)象指出，某些DRAM的貿(mào)易商為了自身的投機(jī)行為而將這些DRAM顆粒保存數(shù)月。消息來(lái)源指出近期內(nèi)，最新的ETT (UTT)價(jià)格將下跌至美金兩塊錢(qián)且所供給的量也將提升。因此，DRAM價(jià)格在整個(gè)十二月將會(huì)遭受到不小的價(jià)格壓力。

雖然中國(guó)臺(tái)灣前四大主機(jī)板制造商表示在十月的出貨量成長(zhǎng)了將近9.4%，而總出貨量也將在十一月時(shí)達(dá)到最高峰，但是DRAM仍因?yàn)閺木旁缕鹁烷_(kāi)始浮現(xiàn)供過(guò)于求的現(xiàn)象，導(dǎo)致合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)在前幾個(gè)月雙雙下滑。這種不穩(wěn)定的價(jià)格則很明顯的反應(yīng)在中國(guó)臺(tái)灣DRAM制造商十月份的財(cái)報(bào)上。盡管Nanya和Powerchip分別表示營(yíng)收各增加了3.8%和14%，但DRAM 的平均售價(jià) 在十月至少下跌了5%。

除了8Gb部分外，大部分的NAND Flash顆粒在穩(wěn)定的需求和有限的現(xiàn)貨市場(chǎng)供應(yīng)下，得以使價(jià)格持穩(wěn)。8Gb的交易價(jià)格在11月8日至15日這周內(nèi)，由55.54美元跌至54.68美元。1Gb/2Gb/4Gb的成交價(jià)格則微幅上揚(yáng)，分別由28.52美元至28.88美元，14.39美元至15.1美元與8.07美元至8.18美元。

我們觀察到目前交易仍然是很有限，尤其是4Gb和8Gb的顆粒。Hynix所制造的2Gb芯片，在中國(guó)市場(chǎng)需求量的支持下成長(zhǎng)迅速。然而，有消息指出Hynix本周將釋放出更多的顆粒到現(xiàn)貨市場(chǎng)中，而且部分賣家也開(kāi)始以較低的價(jià)格出清存貨。