2022-12-16
據(jù)外媒報(bào)道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億，其8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)...
2022-12-14
近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來(lái)的又一輪融資...
2022-12-02
據(jù)江都經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，11月30日，百識(shí)電子項(xiàng)目簽約儀式在揚(yáng)州市江都區(qū)政府會(huì)議中心舉行。百識(shí)電子項(xiàng)目由南京百識(shí)電子科技有限公...
2022-12-01
近日，北京大學(xué)與中鎵半導(dǎo)體、波蘭國(guó)家高壓實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯...
2022-11-30
11月29日，蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在蘇州長(zhǎng)光華芯正式揭牌成立...
2022-11-23
11月17日，中瓷電子發(fā)布并購(gòu)重組修訂公告稱(chēng)，公司擬向中國(guó)電科十三所發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)其持有的博威公司73%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)...
2022-11-22
世界先進(jìn)今（22）日宣布，其領(lǐng)先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性...
2022-11-21
近日，安徽省教育廳 安徽省發(fā)展改革委發(fā)布《關(guān)于安徽省新型產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心建設(shè)立項(xiàng)的通知》指出，按照工作部署，在各有關(guān)高校申報(bào)的基礎(chǔ)上...
2022-11-10
近日，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目封頂儀式在蘇州工業(yè)園區(qū)納米城舉行，該項(xiàng)目于去年12月2日奠基...
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