2017-07-10
存儲器產(chǎn)業(yè)首度出現(xiàn)DRAM、NAND Flash連袂上漲，甚至連NOR Flash也同步跟漲。
2017-07-07
據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子位于韓國京畿道平澤市的半導(dǎo)體工廠于7月4日正式投產(chǎn)，該工廠主要用于建設(shè)第四代64層3D NAND Flash。
2017-07-07
為了阻止東芝將TMC賣給第三方，WD向美國加州高等法院提起的訴訟將在14日(日本時(shí)間15日)開庭審查，且最快可能會在當(dāng)天作出裁決，而東芝開始考慮改用WD提案的目的，就是要對SK施加壓力。
2017-07-06
東芝近日發(fā)布首款3D QLC NAND快閃存儲器，采用BiCS架構(gòu)（Pipe-shaped Bit Cost Scalable），可提供單顆4-bit-per-cell的記憶單元，單顆容量達(dá)768Gb(32GB)。
2017-07-05
自2016年中旬全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來上升拐點(diǎn)以來，集成電路產(chǎn)業(yè)市場銷售額穩(wěn)步提升，至2017年第一季度，仍保持兩位數(shù)增
2017-07-05
韓媒爆料，韓廠SK海力士(SK Hynix)已經(jīng)開始量產(chǎn)72層3D NAND。
2017-07-05
存儲器模組廠威剛董事長陳立白預(yù)期，DRAM可望好到明年上半年，NAND Flash則有一變數(shù)，就是三星新增產(chǎn)能。
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