大基金二期近日兩次出手

大基金二期動(dòng)作頻頻，近日兩次出手投資。

12月4日，中芯國際發(fā)布公告，旗下全資子公司中芯控股、大基金二期和亦莊國投訂立合資合同以共同成立合資企業(yè)。合資企業(yè)的總投資額為76億美元，注冊資本為50億美元，中芯控股、大基金二期和亦莊國投各自同意出資25.5億美元、12.245億美元和12.255億美元，分別占合資企業(yè)注冊資本51%、24.49%和24.51%。

合資企業(yè)暫定名為中芯京城集成電路制造（北京）有限公司，業(yè)務(wù)范圍包括生產(chǎn)12英寸集成電路晶圓及集成電路封裝系列；技術(shù)測試；集成電路相關(guān)技術(shù)開發(fā)、技術(shù)服務(wù)及設(shè)計(jì)服務(wù)；銷售自產(chǎn)產(chǎn)品等。據(jù)此前公告披露，該項(xiàng)目將分兩期建設(shè)，項(xiàng)目首期計(jì)劃最終達(dá)成每月約100000片的12英寸晶圓產(chǎn)能，二期項(xiàng)目將根據(jù)客戶及市場需求適時(shí)啟動(dòng)。

12月7日，納思達(dá)公告披露，公司全資子公司艾派克微電子擬以增資擴(kuò)股及納思達(dá)轉(zhuǎn)讓艾派克微電子股權(quán)的方式引入戰(zhàn)略投資者。公告指出，此次引入的戰(zhàn)略投資者以大基金二期為領(lǐng)投方，導(dǎo)入資金合計(jì)32億元，其中大基金二期增資價(jià)款為15億元。

晶圓代工業(yè)者營收最新排名

TrendForce集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院表示，第四季晶圓代工市場需求依舊強(qiáng)勁，各業(yè)者產(chǎn)能呈現(xiàn)持續(xù)滿載，產(chǎn)能吃緊使得漲價(jià)效應(yīng)帶動(dòng)整體營收向上，預(yù)估2020年第四季全球前十大晶圓代工業(yè)者營收將超過217億美元，年成長18%，其中市占前三大分別為臺(tái)積電、三星、聯(lián)電。

排名前五大廠商中，臺(tái)積電第四季成長動(dòng)能續(xù)強(qiáng)，營收可望再創(chuàng)歷史新高，年成長約21%；三星預(yù)估第四季營收年成長約25%；聯(lián)電預(yù)估第四季28nm（含）以下營收年成長可達(dá)60%，整體營收年成長為13%；格芯預(yù)估第四季營收年減4%；中芯國際預(yù)估第四季營收季減約11%，然因2019年基期低，該季營收年成長仍有15%。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，第四季整體晶圓代工業(yè)者營收表現(xiàn)將穩(wěn)定提升，部分產(chǎn)品需求爆發(fā)，客戶傾向透過提前備貨提高庫存準(zhǔn)備，使晶圓代工產(chǎn)能呈現(xiàn)供不應(yīng)求狀況。不過業(yè)者仍需密切觀注目前全球疫情再次升溫，是否將對(duì)終端消費(fèi)力道產(chǎn)生負(fù)面影響，以及后續(xù)中美關(guān)系的發(fā)展態(tài)勢。

臺(tái)灣地區(qū)地震牽動(dòng)產(chǎn)業(yè)神經(jīng)

根據(jù)中國地震網(wǎng)的消息，12月10日21時(shí)19分在中國臺(tái)灣地區(qū)宜蘭縣海域（北緯24.74度，東經(jīng)121.99度）發(fā)生5.8級(jí)地震，震源深度80千米。此次地震，震中位于宜蘭縣海域，距臺(tái)灣島15公里，距臺(tái)北市57公里。四個(gè)小時(shí)后的02時(shí)15分，又發(fā)生了一次4.4級(jí)的余震，震源深度49千米。

從谷歌地圖上顯示，此次地震波及了大半個(gè)臺(tái)灣地區(qū)，包括臺(tái)北、臺(tái)中、新竹、桃園都有遭受不同程度的影響，新竹縣與桃園市均測得四級(jí)震度。地震發(fā)生后，臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體工廠狀況備受各方關(guān)注，多家半導(dǎo)體企業(yè)亦已作出回應(yīng)。

如臺(tái)積電表示，臺(tái)積電按照內(nèi)部程序，北部廠區(qū)有部分人員因所在廠區(qū)達(dá)四級(jí)震度已進(jìn)行疏散以確保安全，目前工安系統(tǒng)正常；聯(lián)電初步確認(rèn)，各個(gè)廠區(qū)皆沒有停電問題，因此尚不需要啟動(dòng)各種備援機(jī)制，人員一切平安，廠區(qū)也正常運(yùn)作中。

SK海力士176層NAND閃存進(jìn)展

近日，韓國存儲(chǔ)廠商SK海力士宣布已完成176層NAND閃存的開發(fā)。目前，SK海力士已開始向客戶提供樣品，并計(jì)劃于2021年中期開始批量生產(chǎn)。

SK海力士官網(wǎng)顯示，最新開發(fā)的NAND閃存為4D NAND第三代，比上一代128層產(chǎn)品提高了35%以上生產(chǎn)率，成本競爭力有所提升。此外，明年中開發(fā)的176層NANDMobile Solution產(chǎn)品可使數(shù)據(jù)的最大讀取速度提高約70％，使數(shù)據(jù)寫入速度提高約35％。

SK海力士是全球范圍內(nèi)主要的存儲(chǔ)廠商，在NAND Flash市場排第四位。今年三季度，SK海力士在該領(lǐng)域的市占率為11.3%。其他廠商方面，美光今年11月已宣布成功開發(fā)出了176層產(chǎn)品，三星電子的第七代V-NAND正處于開發(fā)階段，預(yù)計(jì)將于明年量產(chǎn)。

華為哈勃擬投資鑫耀半導(dǎo)體

12月10日，云南鍺業(yè)公告披露，公司董事會(huì)同意控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“鑫耀半導(dǎo)體”）接受哈勃科技投資有限公司（以下簡稱“哈勃科技”）以貨幣方式向其增資人民幣3000萬元，出資額折合注冊資本3000萬元，云南鍺業(yè)放棄對(duì)此次新增注冊資本的優(yōu)先認(rèn)繳出資權(quán)。本次增資完成后，哈勃科技將持有鑫耀半導(dǎo)體23.91%股權(quán)。

資料顯示，鑫耀半導(dǎo)體成立于2013年9月，據(jù)云南鍺業(yè)官網(wǎng)介紹，鑫耀半導(dǎo)體立志于成為質(zhì)量穩(wěn)定產(chǎn)品可靠的III-V族半導(dǎo)體襯底生產(chǎn)企業(yè)，目前負(fù)責(zé)在云南國家鍺材料基地建成一條年產(chǎn)砷化鎵拋光晶片 30萬片4英寸（或12萬片6英寸）的單晶材料生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)5萬片磷化銦襯底生產(chǎn)線。

公告指出，鑫耀半導(dǎo)體是專業(yè)從事半導(dǎo)體材料砷化鎵及磷化銦襯底（單晶片）生產(chǎn)的企業(yè)，哈勃科技關(guān)聯(lián)方中有專業(yè)的半導(dǎo)體芯片廠商，公司本次接受哈勃科技的增資主要目的是為了加強(qiáng)與下游廠商的溝通與協(xié)作，有利于鑫耀半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的提升和推動(dòng)其市場開拓工作，鑫耀半導(dǎo)體將向哈勃科技關(guān)聯(lián)方提供砷化鎵及磷化銦襯底，并保障供應(yīng)，對(duì)方則通過對(duì)相關(guān)產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用為鑫耀半導(dǎo)體提供技術(shù)及產(chǎn)品驗(yàn)證上的反饋。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)