華潤微電子12英寸晶圓廠落戶重慶

近日，國內(nèi)再增一座12英寸晶圓生產(chǎn)線。11月5日，華潤微電子與重慶西永微電園簽署合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，華潤微電子將在重慶西永微電園建設(shè)國內(nèi)首座本土企業(yè)的12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線。該12英寸生產(chǎn)線項目總投資約100億元，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

據(jù)了解，這是繼SK海力士二期、聯(lián)合微電子中心、華潤基板級扇出封裝項目后，西永微電園今年引進的第四個百億級集成電路項目。

而事實上，此次也并非華潤微電子與西永微電園的首次合作。此前，在西永微電園擁有一座8英寸功率及模擬芯片晶圓廠的中航（重慶）微電子有限公司被收編至華潤微電子旗下，并成立了華潤微電子（重慶）有限公司。

而在此次整合之后，華潤微電子8英寸晶圓制造產(chǎn)能超過10萬片，其功率器件業(yè)務(wù)將占國內(nèi)功率器件市場份額達6.5%。今年年初，華潤微電子正式入駐重慶西永微電園。

DRAM/NAND Flash顆粒合約價下跌

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，10月份的存儲器市場合約價均有明顯跌幅。

DRAM方面，隨著第四季度DRAM合約價議定，10月份的合約價格開始大幅下降，尤以大容量模組8GB跌幅為甚，其均價已滑落至61美元，較上季度的68美元而言，跌幅高達10.29%，而主流模組4GB的均價也從此前的34.5美元降至31美元，跌幅達到10.14%。

NAND Flash方面，除了SSD、eMMC/UFS價格持續(xù)下跌外，其他NAND Flash顆粒及Wafer產(chǎn)品的合約價跌幅也非常顯著。其中SLC NAND合約價在10月份完成第四季議價后，呈現(xiàn)出10-15%的跌幅。而TLC NAND Flash Wafer合約價跌幅更是高達13%-17%，創(chuàng)下2017年11月Wafer價格走跌以來，單月跌幅最大記錄。

展望后市，DRAMeXchange預(yù)估，2019年全年DRAM平均銷售單價的跌幅可能達到20%，而各大供應(yīng)商的獲利能力則將在今年第三季度達到巔峰后將以緩著陸(soft-landing)的態(tài)勢逐季下修。

至于NAND Flash市場，DRAMeXchange則認為，盡管年底歐美銷售旺季將至，但由于此波跌價未能有效刺激模組廠的備貨動能，因此預(yù)期11、12月的價格跌勢難止。

華天科技建高端汽車電子封裝線

11月7日，江蘇昆山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)與華天科技（昆山）電子有限公司就高可靠性車用晶圓級先進封裝生產(chǎn)線項目簽署了合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，該封裝生產(chǎn)線項目總投資約20億元人民幣，主要針對車載圖像傳感器晶圓級封裝測試，總建筑面積約3.6萬平方米。

項目達產(chǎn)后，其年新增傳感器高可靠性晶圓級集成電路先進封裝可達36萬片，年新增產(chǎn)值約10億元人民幣，將形成規(guī)?；母呖煽啃攒囉镁A級封裝測試及研發(fā)基地。

據(jù)了解，該項目是華天科技在昆山打造晶圓級高端封裝測試基地的重點項目。此前，華天科技（昆山）電子有限公司承擔(dān)的“國產(chǎn)中道工藝高端封測裝備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程”項目和“12英寸國產(chǎn)裝備新工藝開發(fā)與應(yīng)用”項目獲得了國家立項。

SK海力士96層4D NAND年內(nèi)量產(chǎn)

11月4日，存儲器大廠SK海力士宣布，已經(jīng)率先研發(fā)出96層512Gbit的4D NAND閃存半導(dǎo)體，并計劃年內(nèi)在韓國忠北青州市的M15廠初步量產(chǎn)新開發(fā)的96層4D NAND閃存產(chǎn)品。

作為全球首款的96層512Gbit的4D NAND閃存產(chǎn)品，采用的是SK海力士首次將3D CTF（Charge Trap Flash)與PUC（Peri Under Cell)技術(shù)結(jié)合起來而開發(fā)出的新技術(shù)，而通過這種技術(shù)開發(fā)出的產(chǎn)品可以獲得更好的性能和產(chǎn)能。

與SK海力士72層512Gb 3D NAND閃存相比，此次SK海力士新研發(fā)出的4D NAND閃存體積縮小了30%以上，可以搭載到智能手機移動零部件之中，每張面板可以生產(chǎn)的記憶容量提升1.5倍，可同時處理的數(shù)據(jù)量更是提升了1倍，而讀寫能力則分別提升了30%和25%。

根據(jù)規(guī)劃，SK海力士計劃年內(nèi)推出搭載4D NAND閃存的1TB容量SSD固態(tài)硬盤。此外，SK海力士還計劃利用相同的技術(shù)研發(fā)新一代128層4D NAND閃存。至于SK海力士能否憑借新產(chǎn)品的優(yōu)勢在競爭力相對較弱的NAND市場提高市占率，還需拭目以待。

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