在信息社會(huì)的當(dāng)下，存儲(chǔ)器在我們的日常生活中扮演著非常重要的角色，可能我們無(wú)法直觀的看到它，但存儲(chǔ)器已經(jīng)廣泛存在于我們身邊的很多電子產(chǎn)品中。

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球存儲(chǔ)器（包括DRAM和NAND）市場(chǎng)規(guī)模已高達(dá)713.24億美元。

不過(guò)，在快速發(fā)展的同時(shí)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也正在面臨著不少挑戰(zhàn)，包括制程技術(shù)的演進(jìn)以及成本的控制等等。日前，在SEMICON China 2017上海展會(huì)期間由晉華集成電路有限公司贊助舉辦的中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，來(lái)自通富微電、美光、西數(shù)、Lam以及TechSearch等廠商的專家就這些問(wèn)題發(fā)表了看法。

功耗已成主要挑戰(zhàn)

僅從DRAM產(chǎn)品來(lái)看，通富微電CSO和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁彭安表示，雖然摩爾定律的發(fā)展目前已經(jīng)受到了很大限制，但是工藝制程并不是DRAM發(fā)展的最大難題，在20nm工藝之后，DRAM市場(chǎng)還有很長(zhǎng)的路要走。

事實(shí)上，彭安認(rèn)為，DRAM面臨的主要挑戰(zhàn)是如何更好的+。只有極大的降低功耗和成本才能滿足未來(lái)大數(shù)據(jù)市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品近乎爆炸式的增長(zhǎng)需求。

西數(shù)新一代平臺(tái)技術(shù)高級(jí)主任Zvonimir Z.Bandic同樣認(rèn)為，DRAM的價(jià)格是非常昂貴的，且功耗并不是很低，在應(yīng)對(duì)大數(shù)據(jù)需求時(shí)，大量的堆砌DRAM，勢(shì)必造成能耗過(guò)高。

來(lái)自TechSearch的E.Jan Vaedaman女士則從封裝的角度側(cè)面印證他們的觀點(diǎn)。她表示，移動(dòng)終端為了容納更多的功能，必然要求各類芯片的尺寸越來(lái)越小，并集中封裝在一起，這就需要相關(guān)芯片的功耗越來(lái)越少，存儲(chǔ)器同樣不例外。

需探索更多解決方案

可以說(shuō)，存儲(chǔ)器產(chǎn)品發(fā)展到現(xiàn)階段，功耗已經(jīng)成了主要的瓶頸，降低功耗甚至比制程技術(shù)的推進(jìn)難度更大。

對(duì)此，Lam Research的技術(shù)總監(jiān)Rich Wise認(rèn)為，3D技術(shù)雖然是為了應(yīng)對(duì)制程物理極限推出的，但它將會(huì)成為存儲(chǔ)器解決尺寸和功耗問(wèn)題的主要趨勢(shì)。目前在NAND Flash領(lǐng)域，3D技術(shù)的應(yīng)用已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績(jī)，3D技術(shù)除了能夠規(guī)避制程技術(shù)物理極限，其在功耗控制、容量、可靠性、成本等方面優(yōu)勢(shì)也是不言而喻的。

“3D技術(shù)能夠使得存儲(chǔ)器在摩爾定律的基礎(chǔ)上更好的提高性能，滿足各種應(yīng)用的需求。”美光存儲(chǔ)器解決方案副總裁Dean A.Klein也持同樣的觀點(diǎn)。

除此之外，西數(shù)Zvonimir Z.Bandic表示，使用PCI-E接口的NVM產(chǎn)品同樣能夠很好地解決目前存儲(chǔ)器產(chǎn)品遇到的功耗以及速度問(wèn)題。

隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G、汽車電子等新興產(chǎn)業(yè)的到來(lái)，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)還將迎來(lái)巨大的增長(zhǎng)機(jī)遇。未來(lái)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)一定是多樣化的，單純的使用單一產(chǎn)品是無(wú)法適應(yīng)市場(chǎng)的，所以需要產(chǎn)業(yè)鏈的參與者開(kāi)發(fā)出更多地解決方案來(lái)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展。