紫光南京半導(dǎo)體基地項(xiàng)目簽約

1月18日，紫光集團(tuán)南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目及新IT投資與研發(fā)總部項(xiàng)目在南京正式簽約，再次為紫光集團(tuán)實(shí)現(xiàn)“芯—網(wǎng)—云”的戰(zhàn)略目標(biāo)劃下重要一筆。

此次紫光集團(tuán)在南京的兩大項(xiàng)目總投資達(dá)到2600億元人民幣，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目涉及金額為300億美元（約合人民幣2060億元），未來將在南京市江北新區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園打造總占地面積約1500畝的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，該項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，一期投資約為100億美元（約合人民幣687億元）。主要攻堅(jiān)3D-NAND Flash、DRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，以存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)器尖端制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售于一體，帶動(dòng)設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。預(yù)計(jì)首期項(xiàng)目建成后月產(chǎn)能將達(dá)到10萬片。

此外，除了300億美元的工廠建設(shè)投資外，紫光集團(tuán)還將投入300億元人民幣用于建設(shè)包括科技園、設(shè)計(jì)封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國際人才公寓等在內(nèi)的綜合配套設(shè)施。該項(xiàng)目的實(shí)施也標(biāo)志著紫光集團(tuán)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略布局基本成形。

中芯國際40納米R(shí)eRAM芯片出樣

近年來，隨著摩爾定律趨向極限，不少存儲(chǔ)器廠商開始尋找下一個(gè)技術(shù)突破點(diǎn)，主要是基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù)的3D XPoint芯片和ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。其中3D XPoint芯片的研發(fā)代表為英特爾和美光，而2010年成立的Crossbar則成為了ReRAM芯片研發(fā)的代表。

2016年3月，中芯國際與Crossbar公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，基于中芯國際的40納米CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日，雙方合作后的首款產(chǎn)品終于誕生，中芯國際40nm工藝的ReRAM芯片正式出樣。

與NAND 閃存相比，ReRAM芯片不僅具有讀寫速度更快，性能更高，耐用性更強(qiáng)等特點(diǎn)，同時(shí)還具備結(jié)構(gòu)簡單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。

而基于中芯國際40納米的ReRAM芯片在寫入速度和耐久性方面更是比NAND芯片提升了1000倍，讀取速度快100倍，密度比DRAM內(nèi)存芯片提升了40倍，且200mm2左右的單芯片即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)的存儲(chǔ)。

此外，按照中芯國際的工藝制程規(guī)劃，其更先進(jìn)的20納米R(shí)eRAM芯片也將在2017年上半年正式亮相。

臺(tái)積電5納米制程基地或今年動(dòng)工

作為全球最大的晶圓代工廠，臺(tái)積電在工藝制程上的步伐一直都處于領(lǐng)先地位，在先進(jìn)工藝制程的研發(fā)布局上也是“毫不手軟”。

2016年12月，臺(tái)積電曾宣布投資5000億新臺(tái)幣用于建設(shè)5納米和3納米工藝的全新芯片生產(chǎn)線。按照臺(tái)積電此前公布的消息，目前已經(jīng)抽調(diào)了300到400名工程師進(jìn)行3納米制程工藝的研發(fā)，而在5納米制程上，臺(tái)積電目前也有了重大進(jìn)展。

最新消息是，臺(tái)灣地區(qū)環(huán)境影響評估審查委員會(huì)會(huì)議（環(huán)評大會(huì)）已于1月18日通過臺(tái)積電南科擴(kuò)建案環(huán)境差異影響評估，這意味著臺(tái)積電5納米制程基地最快有望在今年動(dòng)工，待臺(tái)積電董事會(huì)通過后即可啟動(dòng)。

相比現(xiàn)有的25納米制程，臺(tái)積電的5納米制程基地可省電90%。據(jù)悉，該制程基地占地面積約為40公頃（約600畝），投資金額達(dá)到數(shù)千億新臺(tái)幣，預(yù)計(jì)在2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

東芝擬拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

近日，有消息報(bào)道稱，日本電子大廠東芝（Toshiba）正在考慮拆分包括快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）在內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并以約2000億至3000億日元的作價(jià)將20%的股份賣給其合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital），而東芝也將因此獲得27億美元的進(jìn)賬。

隨后，東芝針對該消息發(fā)表聲明稱：“公司內(nèi)部的確正在討論拆出存儲(chǔ)器芯片部門，但尚未定案。”不過東芝對于股權(quán)交易部分并未發(fā)表任何評論。

作為東芝的核心部門以及東芝利潤的重要收入來源，有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，東芝此舉是為了彌補(bǔ)因核能業(yè)務(wù)巨額虧損對其運(yùn)營造成的巨大沖擊，同時(shí)提升與三星電子的競爭力。

據(jù)悉，按照該媒體的報(bào)道，東芝拆分半導(dǎo)體部門后，最快將在2017年上半年組建新的半導(dǎo)體公司，其中東芝出資比例將超過50%、以持續(xù)和西部數(shù)據(jù)共同推動(dòng)快閃存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，且半導(dǎo)體新公司今后還會(huì)考慮IPO上市。