2017年NAND Flash價(jià)格穩(wěn)健走揚(yáng)

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究報(bào)告顯示，2017年一整年，2D NAND市場(chǎng)都將處于持續(xù)缺貨的狀況，而在64層堆棧3D-NAND 順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，3D NAND也將同樣處于缺貨狀態(tài)。在這樣的市場(chǎng)背景下，NAND Flash價(jià)格將穩(wěn)健走揚(yáng)，各大NAND原廠在明年的運(yùn)營(yíng)也有望持續(xù)向上。

供給端方面，2017年NAND的位元產(chǎn)出年成長(zhǎng)將以3D NAND 為主。主要是因?yàn)樵贜AND Flash原廠加速將NAND制程從2D轉(zhuǎn)向3D的過(guò)程中，除三星電子以外，大部分廠商的制程轉(zhuǎn)換良率提升速度普遍趨緩，使得2D NAND Flash供給下滑嚴(yán)重，導(dǎo)致2017年2D NAND缺貨情況更加明顯。

需求端方面，受惠于行動(dòng)式NAND平均搭載量不斷攀升，以及非蘋(píng)果智能手機(jī)品牌為提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力加速提升eMMC／UFS的容量，2017年，SSD固態(tài)硬盤(pán)需求成長(zhǎng)將迎來(lái)大爆發(fā)，所消耗的Flash比重將占整體NAND Flash消耗量的40%。

DRAMeXchange預(yù)估，自2017年第一季起，2D-NAND的供給量的滑落速度將更加快速，至第三季占整體NAND出貨比重將滑落至50%以下。

中國(guó)半導(dǎo)體基金布局將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向IC設(shè)計(jì)

自國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（即“大基金”）成立以來(lái)，承諾投資額已經(jīng)接近700億元人民幣，其中用于半導(dǎo)體制造晶圓廠建設(shè)的投資金額達(dá)到60%。據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，自2015年至今，中國(guó)計(jì)劃在晶圓廠方面的投資金額約為4800億元，其中大陸出資達(dá)到約4350億，占整體半導(dǎo)體基金（包括大基金和地方基金）總額的86.5%。

不過(guò)，作為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，近年來(lái)IC設(shè)計(jì)業(yè)越來(lái)越受到政府和企業(yè)的重視，企業(yè)增長(zhǎng)數(shù)量在一年內(nèi)幾乎翻倍，2016年，中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司已經(jīng)從去年的736家增加到1362家。

目前，大基金已經(jīng)參與或承諾投資的半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)企業(yè)為6家，其中對(duì)紫光集團(tuán)有限公司的投資金額為100億元，其次為深圳中興微電子有限公司和北京北斗星通導(dǎo)航技術(shù)有限公司，分別為24億和15億元。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計(jì)，在基本完成制造端資金布局后，為提升企業(yè)的研發(fā)創(chuàng)新能力，加速I(mǎi)C設(shè)計(jì)業(yè)海外并購(gòu)步伐，中國(guó)半導(dǎo)體基金未來(lái)的投資重點(diǎn)或?qū)⒅С諭C設(shè)計(jì)業(yè)，尤其是對(duì)能與中國(guó)半導(dǎo)體資源形成互補(bǔ)或加強(qiáng)的NOR Flash等細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域，也會(huì)是未來(lái)大基金的重點(diǎn)投資方向。

紫光集團(tuán)197億投資長(zhǎng)江控股

12月21日晚間，紫光國(guó)芯發(fā)布公告，稱其間接控股股東紫光集團(tuán)將與長(zhǎng)江存儲(chǔ)共同出資成立長(zhǎng)江控股，以實(shí)現(xiàn)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控制，其中紫光集團(tuán)下屬控股子公司紫光控股出資197億元。

公告顯示，長(zhǎng)江控股成立后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將成為其全資子公司，由紫光控股持有長(zhǎng)江控股51.04%的股權(quán)，大基金、湖北國(guó)芯投資和湖北省科投合計(jì)占長(zhǎng)江控股48.96%的股權(quán)。

作為擴(kuò)張存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的重要戰(zhàn)略布局，紫光集團(tuán)此次拿下長(zhǎng)江存儲(chǔ)，無(wú)疑將與其未來(lái)規(guī)劃投資進(jìn)入存儲(chǔ)器芯片制造領(lǐng)域的目標(biāo)形成潛在同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。

為解決上述問(wèn)題，紫光集團(tuán)承諾，紫光國(guó)芯未來(lái)規(guī)劃發(fā)展存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)時(shí)，在滿足條件的情況下，紫光國(guó)芯有權(quán)通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行、重大資產(chǎn)重組等方式對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。

對(duì)于本次紫光國(guó)芯未直接參與投資的原因，公告稱，主要是因?yàn)楸敬瓮顿Y金額巨大，而紫光國(guó)芯自有資金不足以完成本次收購(gòu)，加上本次投資時(shí)間有限，審核周期較長(zhǎng)，若由紫光國(guó)芯通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行、重大資產(chǎn)重組等方式進(jìn)行投資，將無(wú)法在預(yù)定時(shí)間內(nèi)完成，因此本次投資由紫光控股進(jìn)行。

SK海力士27億美元投資中韓存儲(chǔ)器市場(chǎng)

此前，集邦咨詢（TrendForce）等市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)估，2017年，DRAM存儲(chǔ)器價(jià)格將維持漲勢(shì)，這一消息讓不少?gòu)S商加碼存儲(chǔ)器市場(chǎng)，建新廠，擴(kuò)產(chǎn)能。而此前外界盛傳韓國(guó)半導(dǎo)體大廠SK海力士將擴(kuò)產(chǎn)的消息也在近日得到了證實(shí)。

12月22日，SK海力士公布最新投資建廠計(jì)劃，宣布將在韓國(guó)和中國(guó)投資3.16萬(wàn)億韓元（約27億美元）擴(kuò)大存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能。

根據(jù)曝光的計(jì)劃來(lái)看，SK海力士的韓國(guó)新廠將在下個(gè)月展開(kāi)設(shè)計(jì)，地址位于其NAND Flash生產(chǎn)的大本營(yíng)韓國(guó)清州市，主要用于NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能擴(kuò)建，總投資金額為2.2萬(wàn)億韓元，預(yù)計(jì)明年8月開(kāi)始外殼結(jié)構(gòu)與無(wú)塵室建構(gòu)，2019年6月完工。

此外，SK海力士同時(shí)宣布，將在2017年7月至2019年4月期間投資9500億韓元（約8億美元））擴(kuò)增中國(guó)無(wú)錫DRAM廠的芯片產(chǎn)能。