手機內(nèi)建照相和MP3播放功能帶動NAND Flash的需求成長

在本文上篇中，我們了解到NAND和NOR兩種Flash在手機上面應用方式的差異，NOR是專門作為儲存手機開機程序代碼所用的內(nèi)存裝置，而NAND則是專門作為儲存大量數(shù)據(jù)的媒介。以目前全球手機的發(fā)展現(xiàn)況來看，NOR的產(chǎn)值仍高于NAND，主要原因在于NOR的平均單價較NAND高，且多數(shù)手機皆需使用NOR Flash。但若仔細觀察手機的未來發(fā)展趨勢，就可以清楚知道NAND Flash的成長性將會遠遠超過NOR Flash，原因在于從2.5G世代開始，多數(shù)手機都開始提供MP3、照相和攝錄像的功能，進入3G世代手機更可以提供行動視訊的服務，這些多媒體的影音娛樂都需要能提供儲存大量數(shù)據(jù)的裝置，這點正是引爆NAND未來市場需求大于NOR的關鍵因素。

行動電話成為小型記憶卡的最大需求市場

數(shù)字相機原本是小型記憶卡的最大消費市場，但自從手機上面出現(xiàn)照相和攝錄像功能之后，手機頓時成為各小型記憶卡廠商的兵家必爭之地。以今年手機出貨量來說，目前各市調(diào)研究單位預估數(shù)字約在8.5至9億支，其中照相功能用的手機所占的比例可望超過50%以上，也就是約在4.5億支左右；然而今年全球數(shù)字相機的出貨量預估只有8000萬臺，顯見照相手機用戶將是小型記憶卡的最大市場。

目前小型記憶卡市場各種規(guī)格林立，主要陣營則以SD（Secure Digital）、MMC（Multi-Media Card）與MS（Memory Stick）三者為主。以現(xiàn)階段的發(fā)展來看，SD極有可能在這場激烈混亂的記憶卡規(guī)格制訂的競爭中脫穎而出，主要原因在于全球手機大廠Nokia、Motorola、Samsung、LG和Siemens都已陸續(xù)加入SD陣營，且已經(jīng)開始推出可以使用SD記憶卡的手機機種。SD記憶卡規(guī)格是由全球小型記憶卡市占率排名第一的SanDisk和日本松下電子（Matsushita）與東芝（Toshiba）共同制訂的，后來交由SDA（SD Card Association）負責后續(xù)新規(guī)格的制訂與推廣。目前，SD已經(jīng)針對手機日益輕薄短小的趨勢而設計出更小型的記憶卡規(guī)格miniSD（20×21.5×1.4mm）與microSD（15×11×1mm）。同樣地，MMC陣營也推出MMCmini（18×24×1.4mm）與MMCmicro（14×12×1.1mm）這兩種規(guī)格來應戰(zhàn)，MS則是推出MS Duo（20×31×1.6mm）與MS Micro（15×12.5×1.2mm）兩種規(guī)格以滿足市場需要。

NAND芯片業(yè)者意欲搶奪NOR芯片業(yè)者在手機市場的地盤

目前手機存取數(shù)據(jù)的方法都是使用XIP（execute-in-place）架構，它是由NOR Flash與DRAM組合而成。在這個架構之下， NOR Flash是專職負責程序代碼的執(zhí)行，而DRAM則是作為暫存一些信息和部分程序之用。XIP的優(yōu)點在于它的執(zhí)行架構不復雜，但它的缺點則是NOR Flash寫入數(shù)據(jù)的速度過慢，加上每位的成本相對于NAND Flash來說是昂貴的。因此，當手機為因應多媒體功能的需要必須增加內(nèi)存容量時，XIP架構顯然處于不利的地位。

為解決NOR Flash儲存成本過高與寫入速度過慢的問題，一些專門設計高階手機的業(yè)者提出另一種手機存取資料架構Shadow model。這個架構的運作方式是使用NAND Flash作為儲存程序代碼之用，而操作系統(tǒng)則在開機時被復制存放到DRAM上面，它的優(yōu)點是可以降低手機整體制造成本，缺點則是開機時間會變長并且因為DRAM不停地在運作會使手機耗電量比較高。
有些芯片業(yè)者為了解決上述兩種內(nèi)存架構的缺點，提出將SRAM、NAND Flash和控制邏輯芯片等三種組件混合成一個新架構，以便能提供NOR Flash的讀取速度又能兼具NAND Flash的儲存能力，其中Samsung和 M-Systems兩家公司已經(jīng)推出這種類型的產(chǎn)品。Samsung的OneNAND采用90奈米制程，其讀取速度可達108Mbyte/s，與一般的NOR Flash速度一致。而在寫入速度方面可達9.3Mbytes，是NOR Flash的66倍。M-Systems的DiskOnChip則是在寫入速度上面比一般的NOR Flash快，但讀取速度還是不如NOR Flash。

一般預估，未來數(shù)年NAND Flash藉由制程不斷的進步，當其可以克服讀取速度較NOR Flash慢且不穩(wěn)定等問題后，NAND Flash的市場規(guī)模將遠遠大于NOR Flash，成為非揮發(fā)性內(nèi)存市場的主宰者。