By Roger Chu, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

2005年第二季以來(lái)由于Hynix策略出現(xiàn)變動(dòng)，希望能夠自行建置DRAM后段測(cè)試產(chǎn)能，Hynix開(kāi)始通知國(guó)內(nèi)測(cè)試業(yè)者將逐季減少委外測(cè)試產(chǎn)能，但是這狀況在近期出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，因?yàn)镠ynix90奈米制程投片的新產(chǎn)能開(kāi)出，使得測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)4～6 成，加上內(nèi)部自行擴(kuò)建測(cè)試產(chǎn)能政策也出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，因此自7 月起陸續(xù)減少對(duì)臺(tái)灣內(nèi)存測(cè)試廠下單量的Hynix，又開(kāi)始回頭對(duì)臺(tái)灣業(yè)者尋求后段測(cè)試產(chǎn)能的支持，連帶地使DRAM產(chǎn)業(yè)又出現(xiàn)后段封測(cè)供給吃緊的雜音。因此本文將探討第四季DRAM后段封裝、測(cè)試產(chǎn)業(yè)近況及成本分析。

在后段測(cè)試產(chǎn)能方面，由于DRAM產(chǎn)業(yè)面臨DDR與DDR2的世代交替，造成測(cè)試業(yè)者均不愿意再增加DDR的測(cè)試機(jī)臺(tái)，不過(guò)卻因?yàn)榻K端市場(chǎng)對(duì)于DDR2的需求不強(qiáng)，造成DDR2滲透率未如預(yù)期拉高，這也使得測(cè)試廠商對(duì)于購(gòu)置DDR2測(cè)試機(jī)臺(tái)呈現(xiàn)觀望態(tài)度，目前僅知力成預(yù)計(jì)于12月新增5臺(tái)T5588機(jī)臺(tái)，因此第四季整體測(cè)試廠新增產(chǎn)能并不大。

至于測(cè)試需求量部分，自從第二季DRAM價(jià)格下跌后，部分DRAM廠已減少后段測(cè)試時(shí)間來(lái)降低成本，使得后段測(cè)試廠供給吃緊的狀況獲得舒緩，但這次Hynix后段測(cè)試外包策略的改變，將使得第四季DDR測(cè)試產(chǎn)能又再度吃緊，目前整體DDR的單月測(cè)試需求量約2,500-2,800萬(wàn)顆(256Mb equiv.)左右，相當(dāng)于70-80臺(tái)的T5581測(cè)試產(chǎn)能；至于DDR2測(cè)試部分，近期測(cè)試產(chǎn)能并沒(méi)有出現(xiàn)全面吃緊狀況，主要原因在于現(xiàn)階段DDR2 533MHZ仍為市場(chǎng)主流，但對(duì)于消費(fèi)者而言，其DDR2 533MHZ效能相對(duì)于DDR 400MHZ沒(méi)有明顯提升，再加上Intel 945芯片組缺貨影響，使得國(guó)內(nèi)DRAM廠紛紛延后DDR2的產(chǎn)出時(shí)間表，而后段測(cè)試外包最積極的Hynix也要到2006年也才會(huì)有DDR2測(cè)試產(chǎn)能外包至臺(tái)灣，所以第四季測(cè)試產(chǎn)能吃緊狀況僅會(huì)局限于少數(shù)測(cè)試廠。若以一臺(tái)T5593搭配四臺(tái)T5585換算單月可以測(cè)到250-300萬(wàn)顆(256 Mb equiv.)的量作為標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算，現(xiàn)階段僅力成有準(zhǔn)備擴(kuò)充產(chǎn)能的必要。

至于在DRAM封裝方面，DDR的TSOP封裝方式屬純熟制程，各封裝廠維持穩(wěn)定產(chǎn)能利用率，產(chǎn)能并未有吃緊狀況。至于在DDR2封裝方面，現(xiàn)階段DDR2產(chǎn)量多來(lái)自于日本、韓國(guó)廠商，因此并無(wú)太多封裝產(chǎn)能外包至臺(tái)灣。目前臺(tái)灣廠商僅有力成自Hitachi技轉(zhuǎn)DDR2的uBGA封裝，單月產(chǎn)能至年底約1000萬(wàn)顆左右，也全數(shù)給供應(yīng)ELPIDA的DDR2封裝。而由于臺(tái)灣DRAM廠的DDR2產(chǎn)量進(jìn)度較慢，因此wBGA產(chǎn)能至年底僅擴(kuò)產(chǎn)到300萬(wàn)顆。

而近期DDR2市況低迷，已有部分DRAM廠考慮采用TSOP封裝形式的DDR2來(lái)刺激DDR2在現(xiàn)貨市場(chǎng)的銷量。目前DDR與DDR2在封裝型態(tài)上，DDR使用TSOP封裝，DDR2主要是采用以CSP標(biāo)準(zhǔn)的封裝技術(shù)，如FBGA(Fine- Pitch Ball Grid Array)、uBGA、WBGA等，與傳統(tǒng)TSOP封裝相比較，F(xiàn)BGA封裝面積不超過(guò)芯片的1.14倍，也因此體積只有TSOP封裝的三分之一；此外，F(xiàn)BGA封裝模式也提供更好的電氣性能與散熱性。但對(duì)于需要提供維修服務(wù)的模塊廠來(lái)說(shuō)，DDR2使用FBGA封裝方式將增加維修成本，也因此影響DDR2在現(xiàn)貨市場(chǎng)的銷量，所以才會(huì)有DRAM廠商推出以TSOP封裝的DDR2，希望能夠因此刺激現(xiàn)貨市場(chǎng)的銷貨量。

但是使用TSOP封裝的DDR2僅能支持到533MHZ，一旦進(jìn)入DDR2 667MHZ之后，若強(qiáng)制使用TSOP封裝將影響其速度，以DDR2 667MHZ為例，速度將下降至600MHZ左右，會(huì)造成這個(gè)情形發(fā)生，是因?yàn)楫?dāng)頻率過(guò)高時(shí)，TSOP較長(zhǎng)的接腳就會(huì)產(chǎn)生高的阻抗及電容，進(jìn)而影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度，這也就是為何使用TSOP封裝的DDR2不易超過(guò)533MHZ的原因。

在后段測(cè)試成本方面，第三季與第四季并無(wú)太大變化，制程成熟的0.11微米上DDR 256Mb測(cè)試時(shí)間約350秒左右，而90nm部分，由于良率偏低因素造成測(cè)試時(shí)間DDR 256Mb提高至500秒左右，而DDR2 512Mb測(cè)試時(shí)間仍維持在1000sec之上。至于在Hourly rate方面，由于第二季DRAM價(jià)格下滑之后，使得Hourly rate在第三季普遍下降5-8%，不過(guò)展望第四季將隨DDR測(cè)試產(chǎn)能吃緊而呈現(xiàn)止穩(wěn)?，F(xiàn)階段在后段封裝與測(cè)試成本方面，DDR256Mb測(cè)試成本約$0.2-0.3/顆；DDR2 512Mb約$0.6/顆，不過(guò)近來(lái)有部份測(cè)試廠在DDR2測(cè)試上作程序的修改，可以將一臺(tái)T5593搭配六臺(tái)T5585，以降低Hourly rate較高的T5593使用量，大約可以使DDR2測(cè)試價(jià)格再下降3%左右，有助于DRAM顆粒測(cè)試成本的下降。

而封裝成本方面，以TSOP封裝的DDR 256Mb約$0.2-0.25/顆。盡管目前傳出載板缺貨，但是DDR2封裝并無(wú)太嚴(yán)重漲價(jià)情形。以FBGA封裝的DDR2 512Mb約$0.5-0.6/顆左右。加諸以上數(shù)據(jù)，合計(jì)可得后段封裝加測(cè)試成本DDR256Mb約$0.4-0.5/顆，DDR2 512Mb約$1.1/顆，相較于第三季并無(wú)太大變化。