我們可以大約區(qū)分NAND Flash技術(shù)為三個領(lǐng)域。最大的一個則是NAND技術(shù)。這中間有包含Samsung、Toshiba、Hynix、STMicroelectronics、以及Micron的廠商。其次，是使用AND技術(shù)的Renesas。最后一個是使用TwinFlash技術(shù)的Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG/Ltd(一個由Infineon Technologies AG持股70% 以及Saifun Semiconductor Ltd. 持股30%的合資企業(yè))。

除了以上所介紹的技術(shù)之外，我們也要考慮到cell architecture，不論是哪種NAND Flash技術(shù)。我可區(qū)分為兩大類: Single-Level Cell (SLC) 以及Multi-Level Cell (MLC)。SLC NAND Flash適合高效能的產(chǎn)品，其中一個cell只有儲存一個bit；而MLC NAND Flash適合價格敏感度較高的產(chǎn)品，其中一個cell儲存二個bit 。終端產(chǎn)品廠商可以使用SLC較先進的制成或直接使用MLC來達到儲存容量最大化。

在NAND技術(shù)方面，Toshiba是NAND Flash cell inventor創(chuàng)始者(有一些技術(shù)是與合作伙伴SanDisk一起研發(fā)的)。Toshiba有使用 SLC 與 MLC的技術(shù)來制造NAND Flash，并是MLC方面的技術(shù)領(lǐng)先者，最先進的非堆棧顆粒是4Gb/MLC/90nm。 Samsung 則現(xiàn)在NAND Flash 產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先者，目前使用SLC擁有超過60%的市場占有率，其最先進的非堆棧顆粒是2Gb/SLC/90nm。此技術(shù)領(lǐng)域的其余廠商有包含Hynix， STMicroelectronics以及Micron均以SLC的技術(shù)進入。此技術(shù)領(lǐng)域的廠商要增加儲存容量除了透過較先進的技術(shù)減少die size之外，亦可以透過使用large block cells來取代small blocks (Small=16KB/Block; Large=128KB/Block)。

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