Samsung、Toshiba (FlashVision LLC) 、以及Renesas 為2003年以前的三大NAND型閃存供貨商。2004年初有Infineon、Hynix 、ST Microelectronics的加入，再加上年底的力晶與Micron，今年總共會有八家廠商分食這個市場。

在這八家廠商中，Samsung為市占率最大的一家，也是唯一僅有的一家同時擁有八吋及十二吋廠。Samsung自今年四月起開始使用十二吋廠、90奈米制程生產(chǎn)2Gb的單一顆粒，而其下一個制程規(guī)劃是于2005年第一季生產(chǎn)70奈米制程生產(chǎn)4Gb的單一顆粒。其余規(guī)格的顆粒如512Mb及1Gb現(xiàn)在都在八吋廠以120奈米的制程生產(chǎn)，并會于今年第三季底轉(zhuǎn)換制程到90奈米。

NAND型閃存市場上擁有第二大市占率的就是Toshiba(閃存創(chuàng)立者)以及 FlashVision LLC (Toshiba與SanDisk于2000年五月九號以50-50的方式合資)。目前它們只有用八吋廠生產(chǎn)，十二吋廠將于2005年會計年度下半年加入生產(chǎn)。對于512Mb及512Mb以上之規(guī)格Toshiba都使用130奈米的制程。Toshiba于今年四月展示產(chǎn)業(yè)第一顆以90奈米制程所制造的4Gb單一顆粒。其下一步就是于2005年上半年于八吋廠使用70奈米的技術(shù)。

Renesas是一家把主力放在十二吋廠來生產(chǎn)NAND型閃存的廠商。對于1Gb以及以上的規(guī)程Renesas都使用130奈米的生產(chǎn)制程。預(yù)計明年第一季，Renesas將會使用90奈米來生產(chǎn)單一4Gb顆粒。力晶也為Renesas于其十二吋廠以130奈米的制程做512Mb的代工，預(yù)計將于今年第四季進入量產(chǎn)。

Hynix 與 ST Microelectronics 的策略聯(lián)盟中訂定產(chǎn)出對分的協(xié)議，并于今年一月時以512Mb、120nm奈米制程進入此市場，并預(yù)計于今年第四季將會使用90奈米來量產(chǎn)1Gb。雖然目前只有使用八吋廠生產(chǎn)NAND型閃存，但是到了明年年中將于新的十二吋廠生產(chǎn)。

Infineon亦于今年一月加入NAND型閃存市場。初期以170奈米制程于八寸廠生產(chǎn)單一512Mb顆粒，而其下一階段就是于明年以110奈米制程生產(chǎn)單一2Gb顆粒。

Micron是此市場今年度最晚加入的競爭者，預(yù)計將于今年底或明年初于八吋廠90奈米制程來生產(chǎn)單一2Gb顆粒，至于明年就尚未有其它規(guī)劃。