近日，天成半導(dǎo)體官微宣布，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。

據(jù)悉，天成半導(dǎo)體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設(shè)備可產(chǎn)出直徑達(dá)到350㎜的單晶材料。

資料顯示，天成半導(dǎo)體成立于2021年8月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)及晶體生長裝備制造的高新技術(shù)企業(yè)。

近年來，天成半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域取得了諸多重要進(jìn)展，率先研發(fā)出可量產(chǎn)的8-12英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅單晶材料。

2022年實現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅晶錠的小批量生產(chǎn)；2023年6月實現(xiàn)8寸SiC單晶技術(shù)研發(fā)突破，開發(fā)出了直徑為 202mm 的8寸SiC單晶；2024年實現(xiàn)了8英寸SiC單晶批量生產(chǎn)，產(chǎn)品厚度均勻性誤差小于2微米。

今年7月，天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料，攻克了大尺寸擴(kuò)徑工藝和低缺陷N型單晶材料的生長工藝，其創(chuàng)新采用的電阻爐工藝使晶體生長速度突破0.4mm/h的行業(yè)瓶頸，微管密度降至0.5個 /cm² 以下，良率達(dá)到65%。

截至目前，天成半導(dǎo)體已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、6-12英寸碳化硅單晶材料生長、生產(chǎn)耗材加工等完整的生產(chǎn)線。實現(xiàn)了從碳化硅長晶設(shè)備制造、粉料、籽晶、熱場設(shè)計到晶體加工等全流程工藝完全自主可控。