美國(guó)功率半導(dǎo)體新創(chuàng)iDEAL Semiconductor 宣布，其超高效率SuperQ™ 硅功率元件已正式在Polar Semiconductor 投產(chǎn)，為美國(guó)本土供應(yīng)鏈注入新動(dòng)能。

SuperQ 是硅MOSFET 架構(gòu)的重大突破，首次采用專利不對(duì)稱RESURF 結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)能讓MOSFET 在高電壓下均勻分散電場(chǎng)，避免能量集中造成損耗，因此能在保持高耐壓的同時(shí)，大幅降低導(dǎo)通電阻與切換損耗。

根據(jù)官方新聞稿，導(dǎo)通電阻相較傳統(tǒng)硅降低最高2.7 倍，切換損耗減少2.1 倍。目前，首批150V 與200V 產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)，后續(xù)將擴(kuò)展至300V 與400V 應(yīng)用。 Polar 也正擴(kuò)建明尼蘇達(dá)州的200mm 晶圓廠，以支援美國(guó)本土需求。

功率半導(dǎo)體是支撐電動(dòng)車馬達(dá)、AI 資料中心服務(wù)器、再生能源電網(wǎng)的關(guān)鍵元件，因具備承受高電壓與大電流的特性，能有效控制與轉(zhuǎn)換電能。然而，全球市場(chǎng)長(zhǎng)期由歐洲（Infineon、STMicroelectronics）與日本（ROHM、富士電機(jī)）等廠商主導(dǎo)，美國(guó)在制造端相對(duì)薄弱，產(chǎn)能有限。